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障壁構造の英語
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英訳・英語 barrier structure
「障壁構造」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 207件
イリジウム導電電極/障壁構造およびその形成方法例文帳に追加
IRIDIUM CONDUCTIVE ELECTRODE/BARRIER STRUCTURE AND FORMATION THEREOF - 特許庁
III−V族半導体構造に対する拡散障壁スパイク例文帳に追加
DIFFUSION BARRIER SPIKES FOR III-V SEMICONDUCTOR STRUCTURE - 特許庁
接合障壁ショットキー(JBS)一体構造が提供される。例文帳に追加
An integral structure of a junction barrier Schottky (JBS) is provided. - 特許庁
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「障壁構造」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 207件
第2トンネル障壁構造体が該浮遊ゲート上に配置されている。例文帳に追加
A second tunnel barrier structure is arranged on the floating gate. - 特許庁
量子井戸構造は、上記井戸層1と上記障壁層2とを交互に積層した構造を有している。例文帳に追加
The quantum well structure has a structure of alternately laminated well layers 1 and barrier layers 2. - 特許庁
障壁冗長構成要素を有する相互接続構造体および相互接続構造体を形成する方法例文帳に追加
INTERCONNECT STRUCTURE WITH BARRIER-REDUNDANCY CONSTITUENT, AND METHOD OF FORMING INTERCONNECT STRUCTURE - 特許庁
井戸層が障壁層で挟まれて構成される化合物半導体の量子井戸構造において、障壁層にn型不純物をドープする。例文帳に追加
In the quantum well structure of a compound semiconductor in which an well layer is sandwiched by barrier layers, an n-type impurity is doped into the barrier layers. - 特許庁
該第2トンネル障壁構造体上に電荷トラップ構造体が配置され、該電荷トラップ構造体上に阻止誘電構造体が配置されている。例文帳に追加
A charge trap structure is arranged on the second tunnel barrier structure, and a blocking dielectric structure is arranged on the charge trap structure. - 特許庁
本発明の共鳴トンネル素子6は、エネルギー障壁を両端として、量子井戸とエネルギー障壁とが交互に連続するように形成されてなる多重障壁構造を有している。例文帳に追加
The resonance tunnel element 6 has a multiple barrier structure including quantum wells and energy barriers formed alternately and continuously with the energy barriers at both ends. - 特許庁
流れフィールドの流路の横断面の面積は、流れの方向に減少し、形状の異なる流れ障壁は、丸形流れ障壁及び楕円形流れ障壁52、64、66を含む構造。例文帳に追加
This is the structure in which cross sectional area of the flow passage of the flow field is reduced in the flow direction, and the flow barriers having different shapes include a round shaped flow barrier and oval shaped flow barriers 52, 64, 66. - 特許庁
また、多重障壁層200は、AlN9原子層からなる障壁層201、GaN2原子層からなる井戸層206、及びAlN9原子層からなる障壁層202が順に積層された構造を有する。例文帳に追加
The multilayered barrier layer 200 has a structure constructed by successively laminating a barrier layer 201 composed of AlN9 atomic layer, a well layer 206 composed of a GaN2 atomic layer, and another barrier layer 202 composed of an AlN9 atomic layer upon another in this order. - 特許庁
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