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英訳・英語 barrier property


JST科学技術用語日英対訳辞書での「障壁特性」の英訳

障壁特性


「障壁特性」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 57



例文

改善された障壁特性を有する気体障壁組成物例文帳に追加

GAS BARRIER COMPOSITION HAVING IMPROVED BARRIER PROPERTY - 特許庁

本発明のゴルフボールは良好な湿度障壁特性を示す。例文帳に追加

The above golf ball exhibits a good moisture barrier characteristic. - 特許庁

第一コンポーネントは、炭化水素燃料に対して、十分な拡散障壁特性がない。例文帳に追加

The first component has an insufficient diffusion barrier capability relative to hydrocarbon fuel. - 特許庁

ドレイン誘導障壁低下を抑制しカットオフ特性の良好な半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device exhibiting good cut-off characteristics by suppressing drain induced barrier lowering. - 特許庁

同期リラクタンス機械と永久磁石機械の両方の有益な特性を有する多重障壁IPM電気モータを提供する。例文帳に追加

To provide a multi-barrier IPM electric motor, having both useful characteristics of synchronous reluctance machine and permanent magnet machine. - 特許庁

かかる構造とすることにより、再成長界面での電位障壁が低減され、窒化物半導体素子の電気的特性が向上する。例文帳に追加

Owing to the structure, the potential barrier in the re-growth interface is reduced so as to improve the electrical characteristics of the nitride semiconductor device. - 特許庁

例文

少なくとも二つの層を有する機械的特性及び水蒸気障壁効果に優れた可撓性の多層フイルムを提供すること。例文帳に追加

To provide a flexible multilayered film having at least two layers and excellent in mechanical characteristics and steam barrier effect. - 特許庁

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日英・英日専門用語辞書での「障壁特性」の英訳

障壁特性


「障壁特性」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 57



例文

次に、良好な接着特性を有する前記障壁体層106、206の上に、銅110が沈着される。例文帳に追加

The copper 110 is then deposited over the barrier layer 106, 206 with good adhesion. - 特許庁

SiGeスペーサ層7のアイディアを活用し、且つ、寄生障壁の発生を阻止することにより、理論通りのトランジスタ特性を持たせる。例文帳に追加

To obtain transistor characteristics complying with the by applying the idea of an SiGe spacer layer 7 and blocking a parasitic barrier from growing. - 特許庁

本発明による方法は、基板を提供する段階と、基板に障壁層を形成し、更に障壁層をパターン化して基板の一部を露出させて電極パターン領域を形成する段階と、電極パターン領域の基板の表面特性を変えて、パターン化可視マークを形成する段階と、障壁層を除去する段階と、パターン化可視マークをアラインメントマークとする段階とを含む。例文帳に追加

The method includes steps of: providing a substrate; forming a barrier layer on the substrate, patterning the barrier layer, and thus exposing a portion of the substrate to form an electrode pattern region; changing the surface property of the substrate in the electrode pattern region to form a visible patterned mark; removing the barrier layer; and using the visible patterned mark as an alignment mark. - 特許庁

古典的キャリア密度が全キャリア密度と等しくなるように、ショットキー障壁ポテンシャルを変更した補正ショットキー障壁ポテンシャルを用い、古典的・半古典的な輸送方程式を解き、MOSFETの電気的特性をシミュレーションする。例文帳に追加

The classical and semiclassical transport equations are solved using a corrected Schottky barrier potential obtained by varying the Schottky barrier potential so that the classical carrier density and all-carrier density become equal to each other, and electric characteristics of the MOSFET are simulated. - 特許庁

ゲート絶縁膜10を構成する最下層のボトム絶縁膜11は、当該ボトム絶縁膜11と基板とのエネルギー障壁を二酸化珪素とシリコンとのエネルギー障壁より小さくし、FN電気伝導特性を示す誘電膜を含む。例文帳に追加

A bottom insulating film 11 in the lowest layer constituting the gate insulating film 10 contains a dielectric film, which makes an energy barrier between the bottom insulating film 11 and the substrate smaller than an energy barrier between silicon dioxide and silicon and exhibits an FN electric conduction characteristic. - 特許庁

メンブレン型液化天然ガスタンク用断熱性複合パネルの障壁材表面に接着性の良好な特性を持たせて他の積層素材との剥離強度を向上させ、しかも障壁材をシート状で適度の硬さがあり、加工時に取り扱い易いものとすることである。例文帳に追加

To improve separation strength with another laminated material by providing a surface of a barrier material of a heat insulating composite panel for a membrane type liquefied natural gas tank, with good adhesive property, and to provide the sheet-shaped barrier material having proper hardness and being easily handled in processing. - 特許庁

第一コンポーネントの材料に比べて、第二コンポーネントの材料は、より高い拡散障壁特性、炭化水素燃料に関する低下した膨張特性、より高い機械的強度及びより高い熱形状安定性を有する。例文帳に追加

A material of the second component has higher diffusion barrier capability, reduced swelling capability relative to the hydrocarbon fuel, higher mechanical strength and higher thermal shape stability compared to the material of the first component. - 特許庁

例文

太陽電池1では、第1の電極3または第2の電極5の少なくとも一方と半導体4との界面に、ダイオード特性を有する整流障壁が形成されているのが好ましい。例文帳に追加

In the solar cell 1, a rectification barrier wall exhibiting diode characteristics is preferably formed on the interface between the semiconductor 4 and at least one of the first electrode 3 and the second electrode 5. - 特許庁

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