障壁電位の英語

かかる構造とすることにより、再成長界面での電位障壁が低減され、窒化物半導体素子の電気的特性が向上する。例文帳に追加

Owing to the structure, the potential barrier in the re-growth interface is reduced so as to improve the electrical characteristics of the nitride semiconductor device. - 特許庁

半導体基板内に、縦方向に積層された接続部２１、電位障壁層２２、電荷蓄積層２３からなる縦型転送路５０を形成する。例文帳に追加

A vertical transfer path 50 including a connection part 21, a potential barrier layer 22, and a charge storage layer 23 laminated in a vertical direction is formed in the semiconductor substrate 17. - 特許庁

該フォーワードバイアスがｐｎ接合の固有電位障壁より小さな値となるように、ｍとｎを設定する。例文帳に追加

So that the forward bias has a value smaller than an inherent potential barrier of pn junction, m and n are set. - 特許庁

メモリセル領域に形成されているメモリセルには、コントロールゲート電極ＣＧの側壁に電位障壁膜ＥＶ１、電荷蓄積膜ＥＣおよび電位障壁膜ＥＶ２を介して、サイドウォール形状のメモリゲート電極ＭＧが形成されている。例文帳に追加

A memory cell formed in a memory cell region has a memory gate electrode MG formed in a side wall shape on a side wall of a control gate electrode CG with a potential barrier film EV1, a charge storage film EC, and a potential barrier film EV2 interposed. - 特許庁

信号電荷が飽和レベル以上に溜まろうとするときに、オーバーフローバリア領域ＯＦＢ付近の電位が半導体領域EPCR_1，EPCR_2による電位の影響を受けて、障壁電位が変動しようとすることを抑制する。例文帳に追加

When signal charge is going to be accumulated more than a saturation level, potential around the overflow barrier area OFB is inhibited from being going to fluctuate by being affected by potential by the semiconductor areas EPCR_1 and EPCR_2. - 特許庁

光照射に適合した、少なくとも１つの電位障壁、又は表面障壁を持つ半導体デバイスの製造または処理に関し、高い絶縁破壊電圧と、大電流で低いキヤリア密度を有するデバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To manufacture and process semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier adapted to light emission, and provide a method of manufacturing devices having a high breakdown voltage and a high current but low carrier density. - 特許庁

その結果、Ｎ^−型フォトダイオード不純物領域１０からＮ^＋型フローティングディフュージョン不純物領域９に転送される電荷が電位障壁や電位の窪みにおいてトラップされ難くなる。例文帳に追加

In result, the charges transferred from the N^- photodiode impurity zone 10 to the N^+ floating difusion impurity zone 9 are hardly trapped in the recess of the potential barrier. - 特許庁

オーバーフローバリア領域ＯＦＢの周囲に、センサ部１１に蓄積された信号電荷量に依存する電位障壁の変動を抑制するための電位変動抑制半導体領域を形成する。例文帳に追加

A potential fluctuation inhibition semiconductor area for inhibiting a fluctuation in a potential barrier that depends upon a signal charge amount stored in a sensor part 11 is formed around an overflow barrier area OFB. - 特許庁