OFBとは 意味・読み方・使い方

The impurity concentration of the fourth impurity layer PW is higher than that of the third and fifth impurity layers OFB and OFB2, and the impurity concentration of the fifth impurity layer OFB2 is higher than that of the third impurity layer OFB.例文帳に追加

第４の不純物層ＰＷにおける不純物濃度は、第３および第５の不純物層ＯＦＢ，ＯＦＢ２における不純物濃度よりも高く、第５の不純物層ＯＦＢ２における不純物濃度は、第３の不純物層ＯＦＢにおける不純物濃度よりも高い。 - 特許庁

The angle detector 25 detects the density of the magnetic flux of a rotor magnet, and when the graph of correlation between the estimated phase difference and the actual phase difference shifts in positive direction or negative direction (Y→Yp, Y→Ym) by the change of the density of the magnetic flux, this angle detector changes the offset value, according to it(ofb→ofp, ofb→ofm).例文帳に追加

角度検出部２５は、ロータ磁石の磁束密度を検出し、該磁束密度の変化により推定位相差／実位相差の相関グラフが正又は負方向にシフト（Ｙ→Ｙｐ，Ｙ→Ｙｍ）したときは、それに応じてオフセット値を変更する（ｏｆｂ→ｏｆｐ，ｏｆｂ→ｏｆｍ）。 - 特許庁

This makes possible no duplication of a pseudo- random bit string at all for the decryption, similarly to OFB, and the security and the speed may be balanced, as needed.例文帳に追加

これによりＯＦＢと同じく，復号化に使用する疑似乱数ビット列をまったく重複させないことが可能であり，必要に応じて安全性と速度のバランスを取ることができる。 - 特許庁

A potential fluctuation inhibition semiconductor area for inhibiting a fluctuation in a potential barrier that depends upon a signal charge amount stored in a sensor part 11 is formed around an overflow barrier area OFB.例文帳に追加

オーバーフローバリア領域ＯＦＢの周囲に、センサ部１１に蓄積された信号電荷量に依存する電位障壁の変動を抑制するための電位変動抑制半導体領域を形成する。 - 特許庁

Encryption in the OFB mode is applied to a plain text 9 until a plain text 10 of the final block similarly to output an encrypted text 12 up to an encrypted text 13 of the final block.例文帳に追加

平文９から最終ブロックである平文１０までを同様にＯＦＢモードで暗号化して暗号文１２から最終ブロックである暗号文１３まで出力する。 - 特許庁

When signal charge is going to be accumulated more than a saturation level, potential around the overflow barrier area OFB is inhibited from being going to fluctuate by being affected by potential by the semiconductor areas EPCR_1 and EPCR_2.例文帳に追加

信号電荷が飽和レベル以上に溜まろうとするときに、オーバーフローバリア領域ＯＦＢ付近の電位が半導体領域EPCR_1，EPCR_2による電位の影響を受けて、障壁電位が変動しようとすることを抑制する。 - 特許庁

A semiconductor area EPCR_2 is provided at a lower part of a reading gate part ROG and connected to the semiconductor area EPCR_1 so that the semiconductor area EPCR_1 and the semiconductor area EPCR_2 can surround the entire fringe of the overflow barrier area OFB.例文帳に追加

読出ゲート部ＲＯＧの下部に半導体領域EPCR_2を設け、半導体領域EPCR_1に繋げて、半導体領域EPCR_1と半導体領域EPCR_2とでオーバーフローバリア領域ＯＦＢの全周囲を取り囲むようにする。 - 特許庁

For example, a semiconductor area EPCR_1 that also functions as a channel stop part CS1 is extended from the surface of a sensor in the direction of the overflow barrier area OFB.例文帳に追加

たとえば、チャネルストップ部ＣＳ１を兼用する半導体領域EPCR_1をセンサ表面からオーバーフローバリア領域ＯＦＢの方向に延在させる。 - 特許庁