「障壁特性」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

かかる構造とすることにより、再成長界面での電位障壁が低減され、窒化物半導体素子の電気的特性が向上する。例文帳に追加

Owing to the structure, the potential barrier in the re-growth interface is reduced so as to improve the electrical characteristics of the nitride semiconductor device. - 特許庁

少なくとも二つの層を有する機械的特性及び水蒸気障壁効果に優れた可撓性の多層フイルムを提供すること。例文帳に追加

To provide a flexible multilayered film having at least two layers and excellent in mechanical characteristics and steam barrier effect. - 特許庁

次に、良好な接着特性を有する前記障壁体層１０６、２０６の上に、銅１１０が沈着される。例文帳に追加

The copper 110 is then deposited over the barrier layer 106, 206 with good adhesion. - 特許庁

ＳｉＧｅスペーサ層７のアイディアを活用し、且つ、寄生障壁の発生を阻止することにより、理論通りのトランジスタ特性を持たせる。例文帳に追加

To obtain transistor characteristics complying with the by applying the idea of an SiGe spacer layer 7 and blocking a parasitic barrier from growing. - 特許庁

本発明による方法は、基板を提供する段階と、基板に障壁層を形成し、更に障壁層をパターン化して基板の一部を露出させて電極パターン領域を形成する段階と、電極パターン領域の基板の表面特性を変えて、パターン化可視マークを形成する段階と、障壁層を除去する段階と、パターン化可視マークをアラインメントマークとする段階とを含む。例文帳に追加

The method includes steps of: providing a substrate; forming a barrier layer on the substrate, patterning the barrier layer, and thus exposing a portion of the substrate to form an electrode pattern region; changing the surface property of the substrate in the electrode pattern region to form a visible patterned mark; removing the barrier layer; and using the visible patterned mark as an alignment mark. - 特許庁

古典的キャリア密度が全キャリア密度と等しくなるように、ショットキー障壁ポテンシャルを変更した補正ショットキー障壁ポテンシャルを用い、古典的・半古典的な輸送方程式を解き、ＭＯＳＦＥＴの電気的特性をシミュレーションする。例文帳に追加

The classical and semiclassical transport equations are solved using a corrected Schottky barrier potential obtained by varying the Schottky barrier potential so that the classical carrier density and all-carrier density become equal to each other, and electric characteristics of the MOSFET are simulated. - 特許庁

ゲート絶縁膜１０を構成する最下層のボトム絶縁膜１１は、当該ボトム絶縁膜１１と基板とのエネルギー障壁を二酸化珪素とシリコンとのエネルギー障壁より小さくし、ＦＮ電気伝導特性を示す誘電膜を含む。例文帳に追加

A bottom insulating film 11 in the lowest layer constituting the gate insulating film 10 contains a dielectric film, which makes an energy barrier between the bottom insulating film 11 and the substrate smaller than an energy barrier between silicon dioxide and silicon and exhibits an FN electric conduction characteristic. - 特許庁

メンブレン型液化天然ガスタンク用断熱性複合パネルの障壁材表面に接着性の良好な特性を持たせて他の積層素材との剥離強度を向上させ、しかも障壁材をシート状で適度の硬さがあり、加工時に取り扱い易いものとすることである。例文帳に追加

To improve separation strength with another laminated material by providing a surface of a barrier material of a heat insulating composite panel for a membrane type liquefied natural gas tank, with good adhesive property, and to provide the sheet-shaped barrier material having proper hardness and being easily handled in processing. - 特許庁

第一コンポーネントの材料に比べて、第二コンポーネントの材料は、より高い拡散障壁特性、炭化水素燃料に関する低下した膨張特性、より高い機械的強度及びより高い熱形状安定性を有する。例文帳に追加

A material of the second component has higher diffusion barrier capability, reduced swelling capability relative to the hydrocarbon fuel, higher mechanical strength and higher thermal shape stability compared to the material of the first component. - 特許庁

太陽電池１では、第１の電極３または第２の電極５の少なくとも一方と半導体４との界面に、ダイオード特性を有する整流障壁が形成されているのが好ましい。例文帳に追加

In the solar cell 1, a rectification barrier wall exhibiting diode characteristics is preferably formed on the interface between the semiconductor 4 and at least one of the first electrode 3 and the second electrode 5. - 特許庁

素子分離のためのメサ構造部により良好な素子分離特性を得つつ、ショットキー障壁が低いことに基因するゲートリーク電流の増大を防止する。例文帳に追加

To prevent a gate leakage current from being increased by the reason of a low Schottky barrier while obtaining good element isolation characteristics by a mesa structure for isolating an element. - 特許庁

イオン化したＧａ空孔１４による高密度の固定負電荷層が存在するため、エネルギーバンドの曲率が大きくなり、ショットキー障壁が薄くなって、オーミック特性が実現する。例文帳に追加

Since a fixed negative charge layer in high density by the ionized Ga voids 14 exists, the curvature of energy band becomes large, the Schottky barrier becomes thin, and the ohmic property is materialized. - 特許庁

多結晶化合物半導体中の結晶粒界に存在する電気的障壁を除去するなどにより、変換効率などの出力特性に優れた多結晶化合物半導体太陽電池を安価に再現性よく提供する。例文帳に追加

To provide a polycrystalline compound semiconductor solar battery with improved output characteristics such as conversion efficiency inexpensively with improved reproducibility, for example, by removing an electrical barrier existing in a crystal grain boundary in a polycrystalline compound semiconductor. - 特許庁

活性層内に電子を閉じ込めるための電子障壁を越えてオーバーフローする電子を低減することで、しきい電流が小さく、微分効率の高い、良好な特性を備える半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor light-emitting element, having small threshold current, high differential efficiency and satisfactory characteristics, by reducing electrons that overflow an electronic barrier to confine electrons in an active layer. - 特許庁

ＴａＮの堆積中に窒素流をオフにすることで、ＴａＮ／Ｔａ二重層が容易に成長され、この二重層は、単一Ｔａ層または単一ＴａＮ層よりも優れた銅拡散障壁特性を有する。例文帳に追加

By turning off the nitrogen flow during deposition of TaN, a TaN/Ta bilayer is easily grown, which has copper diffusion barrier properties superior to those of a single Ta layer or a single TaN layer. - 特許庁

この発明は、ショットキー障壁高さや理想係数値といった特性を良好な値に保ちつつ、耐熱性に優れた電極を備えるトランジスタを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a transistor having an electrode which has an excellent heat resistant property while keeping good characteristic values for the Schottky barrier height, the ideal coefficient, etc. - 特許庁

ショットキー障壁を生じさせず，所望する電気伝導特性を有する電子素子及び電子素子の製造方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide an electronic device having desired electrical conduction characteristics, and to provide a manufacturing method for manufacturing the electronic device, while preventing a Schottky barrier from being produced. - 特許庁

本容器は高酸素及び水分障壁特性を有する熱可塑性材料から構成されており、内容を劣化させることなく容器を長期間保存することができる。例文帳に追加

The container is constructed of thermoplastic materials having high oxygen and moisture barrier properties which allows the container to be stored for extended periods of time without degrading the contents. - 特許庁

有機ＴＦＴにおいて、金属電極と有機薄膜とのエネルギー障壁を効率的に低減させることで、デバイス特性を向上することを課題とする。例文帳に追加

To enhance the device characteristics of an organic TFT by reducing the energy barrier between a metal electrode and an organic thin film efficiently. - 特許庁

よって、電子輸送層とカソードとのエネルギー障壁差を縮めて電子注入効率を高めることにより、発光効率、色座標及び輝度特性に優れ、かつ、駆動電圧が下がる。例文帳に追加

Therefore, the organic electroluminescent element has a good luminous efficiency, color coordinate and brightness property, and lowers a driving voltage by reducing an energy barrier difference with an electron transmission layer and improving the electron injection efficiency. - 特許庁

ウェル領域間に拡散防止領域を形成することにより、基板とウェル領域間の障壁特性を改善することができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a flush memory element which can improve a barrier characteristic between a substrate and a well region by forming a diffusion preventive region in the well region. - 特許庁

意味の変更には、その命令に関連するパフォーマンス特性、または命令の動作（たとえば、ガーベジ・コレクタを支援する読み出しまたは書き込み障壁動作）を決定するモニタ・コードが含まれる。例文帳に追加

The change in the semantic of the instruction includes a monitor code to determine performance characteristics associated with the instruction or the operation of the instruction(e.g., read or wright barrier operation to support a garbage collector). - 特許庁

電子障壁層１６の活性層１４に対するΔＥｃが大きくなり、第１ｐ型クラッド層１７ないし第２ｐ型クラッド層１９への電子のオーバーフローが確実に抑制され、温度特性や信頼性が向上する。例文帳に追加

The ΔEc of the electron barrier layer 16 to the active layer 14 becomes large, the overflow of electrons to the first p-type clad layer 17 or the second p-type clad layer 19 is suppressed securely, improving the temperature characteristics and the reliability. - 特許庁

簡便な手法によってエピタキシャル基板の障壁層表面の平坦性を向上させ、ショットキーコンタクト特性の優れたエピタキシャル基板を実現する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for realizing an epitaxial substrate having excellent Schottky contact characteristics by improving flatness on a barrier layer surface of the epitaxial substrate by a simple method. - 特許庁

本容器は高酸素及び水分障壁特性を有する熱可塑性材料から構成されており、内容を劣化させることなく容器を長期間保存することができる。例文帳に追加

The container is constructed of thermoplastic materials having high oxygen and moisture barrier properties which allows the container to be stored for extended periods of time without degrading the contents. - 特許庁

圧縮歪の量子井戸層と引張歪の障壁層からなる活性領域を備えた半導体レーザ装置において、界面歪を低減させ高出力特性を改善する。例文帳に追加

To improve high-power characteristics by reducing interface strain, related to a semiconductor laser device provided with an active region comprising a quantum well layer of compression strain and a barrier layer of tensile strain. - 特許庁

強磁性導電体薄膜とトンネル障壁薄膜を整合性よく接合することができ、それにより、接合の不具合による特性の低下が生じることを防ぐことができる磁気抵抗素子を提供する。例文帳に追加

To provide a magnetoresistive element in which a ferromagnetic conductor thin film and a tunnel barrier thin film can be bonded with sufficient alignment, thereby preventing the characteristics from deteriorating due to poor bonding. - 特許庁

強度、耐摩耗性、障壁特性、掛覆い性および柔らかさの改善された組み合わせをもち、且つ繊維布の特性を著しく劣化させることなく、および／または不愉快な臭気を発生することなく滅菌を行える低価格の不織布の提供。例文帳に追加

To provide an inexpensive nonwoven web which has an improved combination of strength, abrasion resistance, barrier characteristics, coverability and softness and can be sterilized without remarkably deteriorating the characteristics of the fiber web and/or without producing an unpleasant odor. - 特許庁

正特性サーミスタ素子の第１電極であるＮｉと第２電極であるＡｇとの界面に存在する障壁層を、正特性サーミスタ素子の破壊や整流作用の残存という問題を発生させずに破壊して良好なオーミック接触を得る。例文帳に追加

To obtain a proper ohmic contact by breaking a barrier layer existing in an interface between Ni of a first electrode of a positive temperature coefficient thermistor element and Ag of a second electrode without bringing about the problem of the damage or rectifying operation of the positive temperature coefficient thermistor element. - 特許庁

これにより、イオン注入法を用いてシリコン層にイオンを注入し、熱処理して、金属−シリサイドを形成することによって、特性が安定で且つ高性能を有するショットキー障壁トンネルトランジスタを製造することができる。例文帳に追加

Thereby the ions are implanted into the silicon layer by using an ion implantation method, and the metal-silicide is formed by annealing, so that the schottky barrier tunnel transistor having stable characteristics and high performance can be manufactured. - 特許庁

放射線の検出媒体として、不純物を人工的にドープしない高純度ＩｎＳｂ単結晶を用い、かつダイオード特性を得るため、Ａｕ・Ｐｄ合金を用いて表面障壁型電極を形成した半導体放射線検出器を製作する。例文帳に追加

The semiconductor radiation detector which uses a high-purity InSb single crystal with no impurities doped artificially as a detection medium of radiation and having a surface-barrier-type electrode, formed using an Au/Pd alloy to obtain diode characteristics, is manufactured. - 特許庁

可変容量ダイオード１１と、同調周波数近傍で容量性の特性を示す先端開放スタブ（容量性スタブ）１５と、共振周波数近傍で開放となり、かつ、前記可変容量素子の障壁電位を与えるための基準電圧印加回路とを備える。例文帳に追加

The oscillator has a variable capacitance diode 11, a distal end open stub (capacitive stub) 15 indicating capacitive characteristics near a tuning frequency, and a reference voltage applying circuit becoming an open state near an oscillation frequency and for providing barrier potential of the variable capacitive element. - 特許庁

レーザダイオードの量子井戸と井戸障壁との間の伝導帯ギャップ差値が、３００ｍｅＶ乃至４５０ｍｅＶまで向上され、レーザダイオードの特性温度が向上されるレーザダイオードの活性層エネルギー帯を提供する。例文帳に追加

To provide an active layer energy band for a laser diode by which a conduction band gap differential value between a quantum well and a well barrier of the laser diode is improved up to 300 meV or 450 meV and a characteristic temperature of the laser diode is improved. - 特許庁

多重量子井戸構造からなる活性層の井戸層又は障壁層の単一層中にｎ型不純物を変調ドープすることで素子特性を悪化させることなく順方向電圧を低減することが可能な窒化物半導体素子が得られる。例文帳に追加

Forward voltage of a nitride semiconductor element can be lowered without sacrifice of the element characteristics by subjecting the well layer of an active layer having multiple quantum well structure or the single layer of a barrier wall layer to modulation doping with n-type impurities. - 特許庁

放射線の検出媒体として、不純物を人工的にドープしない高純度ＩｎＳｂ単結晶を用い、かつダイオード特性を得るため、Ａｕ−Ｐｄを用いて表面障壁型電極を形成した半導体放射線検出器を製作する。例文帳に追加

The semiconductor radiation detector is manufactured by using a high-purity InSb single crystal in which impurity is not doped artificially as a detection medium of radiation, and in order to obtain diode characteristics, a surface barrier type electrode is formed by using Au-Pd. - 特許庁

実効キャリアー濃度が増加し、物質間のエネルギーバンドギャップ調節によりショットキー障壁が減少し、高い透過率を有する、優れた電気的、光学的、熱的及び構造的特性を有する新概念のオーミック接触システムを提供する。例文帳に追加

To provide an ohmic contact system of a new concept having excellent electrical, optical, thermal and structural characteristics in which an effective carrier concentration is increased, a Schottky barrier is reduced by the adjustment of an energy-band gap between substances, and high transmissivity is obtained. - 特許庁

ショットキー障壁を量子力学的にトンネルする効果を、古典的・半古典的な輸送方程式に基づくデバイスシミュレータに取り入れ、ショットキー・ソース／ドレインＭＯＳＦＥＴの電気的特性を高速で正確に解析可能なデバイスシミュレーション装置、方法、プログラムの提供。例文帳に追加

To provide a device simulation apparatus, a device simulation method and a program that accurately analyze electric characteristics of a Schottky source/drain MOSFET at a high speed by employing the effect of quantum-mechanical tunneling through a Schottky barrier for a device simulator based on a classical and a semiclassical transport equation. - 特許庁

本発明はトンネル障壁層に半導体膜を用いるが、添加される不純物の量を調節して電気伝導度を調節することにより、素子の収率、生産性、特性及び信頼性を向上させ、それに伴う素子の高集積化を可能にする。例文帳に追加

To enhance the yield, productivity, characteristics, and reliability of an element while using a semiconductor film as a tunnel barrier layer by adjusting the amount of added impurities for controlling electric conductivity, thereby obtaining the high integration of elements. - 特許庁

実効キャリアー濃度が増加し、物質間のエネルギーバンドギャップ調節によりショットキー障壁が減少し、高い透過率を有する、優れた電気的、光学的、熱的及び構造的特性を有する新概念のオーミック接触システムを提供する。例文帳に追加

To provide a new-concept ohmic contact system with excellent electrical, optical, thermal and structural features, to increase an effective carrier density, to reduce a Schottky barrier by adjusting an energy bandgap between substances, and high in permeability. - 特許庁

特に、第１電位障壁膜となる酸化シリコン膜をプラズマ成膜法で形成した場合であっても、酸化シリコン膜の膜質を改善して不揮発性メモリの記憶保持特性の向上を図ることができる不揮発性半導体記憶装置の製造技術を提供する。例文帳に追加

A silicon oxide film OX1 which is the main component of the first potential barrier film EV1 is formed by a plasma film-forming method. - 特許庁

高感度感熱記録層１８と低感度感熱記録層１４との間には、高感度感熱記録層１８と低感度感熱記録層１４とに含有される感熱記録層の発色特性を変化させる成分が他方の感熱記録層に作用することを阻害するよう障壁層１６を形成する。例文帳に追加

A barrier layer 16 for disturbing an operation of a component for changing color developing characteristics of the recording layers contained in the layers 18 and 14 at the other recording layer is formed between the layers 18 and 14. - 特許庁

リブペースト材を使用しないで気密性が高くノンポーラスな障壁を形成してパネル特性を向上でき、余分な工程を省略して低コストで加工でき、かつ環境にも悪影響を与えることがなくなるプラズマディスプレイパネル用背面基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a back base plate for a plasma display panel, capable of improving panel characteristic by forming non-porous barrier ribs having air-tightness without rib paste, being processed at a low cost by omitting a spare process and preventing bad influence upon the environment. - 特許庁

超電導マトリクス部と安定化銅層を隔離する拡散障壁層を更に改善することで、優れた伸線加工性の下で安価に提供することができ、しかも高レベルの超電導特性を与えるＮｂ_3Ｓｎ系超電導線材とその前駆体を提供すること。例文帳に追加

To provide a Nb_3Sn system superconducting wire rod and its precursor capable of being offered at low cost under excellent stretching processibility and giving a high-level superconductive property, through further improvement of a diffusion barrier layer separating a superconducting matrix part and a stabilized copper layer. - 特許庁

発光しているＧａＩｎＮａＡｓ井戸層の成長条件が両半導体レーザで全く同等であるけれども、井戸層を挟むＧａＡｓ障壁層の作製方法を変更することによって、ＧａＩｎＮａＡｓ井戸層からの発光特性を向上できる。例文帳に追加

Although the growth condition of the GaInNaAs well layer that is emitting the light is completely identical to both the semiconductor lasers, the light-emitting characteristics from the GaInNaAs well layer can be improved, by changing a method of manufacturing the GaAs barrier layers holding the well layer. - 特許庁

特に、ｐ／ｎ／ｎ^−／ｐ^＋／ｎ構造において顕著となる表面シールド層２０５によるポテンシャル障壁に起因する転送特性劣化を抑えるために電荷蓄積部２０４の一部を転送ゲート電極２０８の直下であって、且つ、転送ゲート電極下のシリコン−ゲート酸化膜界２０９面から離れた深さに形成する。例文帳に追加

In order to suppress especially transfer characteristics degradation caused by potential barrier wall of a surface shield layer 205 prominent in p/n/n^-/p^+/n structure, a part of a charge accumulation part 204 is formed in such depth as away from a silicon-gate oxide film interface 209 under a transfer gate electrode, directly below the transfer gate electrode 208. - 特許庁