AlGaAs laserとは 意味・読み方・使い方

In this laser element, a layer which is grown to bury the mesa strip 15a is constituted of an Si current blocking layer 18 containing AlGaAs, and Si current blocking layers 19 and 20 containing AlGaInP.例文帳に追加

この半導体レーザ素子は、メサストライプ１５ａを埋め込む成長層が、AlGaAsを含むSi電流ブロック層１８及びAlGaInPを含むSi電流ブロック層１９、２０から構成されている。 - 特許庁

In the AlGaAs group semiconductor laser element 10, the lattice constant of an embedded layer 16 is greater than that of a p-type clad layer 14.例文帳に追加

ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ素子１０において、埋め込み層１６の格子定数がｐ型クラッド層１４のそれより大きくなっている。 - 特許庁

To provide a surface light emitting semiconductor laser that suppresses diffusion of Al of a DBR including an AlGaAs layer and also suppresses a decrease in light emission intensity.例文帳に追加

ＡｌＧａＡｓ層を含むＤＢＲにおけるＡｌの拡散を抑え、発光強度の低下を抑制できる面発光型半導体レーザを提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser device 40 has the same layered structure as a conventional broad area-type semiconductor laser device has except that regions 44 located at the sides of a light emitting region 42 of an AlGaAs active layer 18 and a p-AlGaAs clad layer 20 are two-dimensionally photonic-crystallized.例文帳に追加

本半導体レーザ素子４０は、ＡｌＧａＡｓ活性層１８及びｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層２０の発光領域４２の両側の領域４４が２次元フォトニック結晶化されていることを除いて、従来のブロードエリア型半導体レーザ素子と同じ層構造を備えている。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor laser comprises the steps of forming an AlGaAs semiconductor laser 29 on an N-type GaAs substrate 21, then etching the substrate, until an N-type AlGaAs clad layer 23 reaches the substrate from the surface, and then removing the layer 23 via an etchant having a selectivity to a GaAs by etching.例文帳に追加

ｎ型ＧaＡs基板２１上にＡlＧaＡs系半導体レーザ２９を形成した後、表面からｎ型ＡlＧaＡsクラッド層２３に届くまでエッチングを行ない、次にＧaＡsに対して選択性があるエッチャントによってｎ型ＡlＧaＡsクラッド層２３をエッチング除去する。 - 特許庁

A method for manufacturing the polygonal semiconductor ring laser comprises steps of growing an n-type AlGaAs clad layer 11, an active layer region 12, an AlAs-current constriction layer 13, and a p-type AlGaAs clad layer 14 on an n-type GaAs substrate in Fig. (a); and patterning a first resist 1 thereon, in a shape of an optical waveguide.例文帳に追加

（ａ）において、ｎ型ＧａＡｓ基板上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１１、活性層領域１２、ＡｌＡｓ電流狭窄層１３と、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１４を成長させ、その上に第一のレジスト１を光導波路の形状にパターニングする。 - 特許庁

This semiconductor laser element 10 is provided with a laminated structure of an n-type AlGaAs clad layer 14, a GaAs active layer 16, a p-type AlGaAs clad layer 18, and a p-type GaAs contact layer 20 on an n-type GaAs substrate 12.例文帳に追加

本半導体レーザ素子１０は、ｎ−ＧａＡｓ基板１２上に、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層１４、ＧａＡｓ活性層１６、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層１８、及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層２０の積層構造を備えている。 - 特許庁

On a Si sub-mount 45-4, a GaN blue semiconductor laser chip 45, an AlGaInP red semiconductor laser chip 46, and an AlGaAs near-infrared semiconductor laser chip 47 are mounted.例文帳に追加

Ｓｉサブマウント４５−４の上に、ＧａＮ系青色半導体レーザチップ４５とＡｌＧａＩｎＰ系赤色半導体レーザチップ４６とＡｌＧａＡｓ系近赤外半導体レーザチップ４７とを実装する。 - 特許庁