HTOとは 意味・読み方・使い方

Consequently, the short circuit between electrodes caused by the emergence of a thin film on an HTO film 118 is suppressed.例文帳に追加

これにより、ＨＴＯ膜１１８に薄膜部が発生することによる電極間の短絡を抑制する。 - 特許庁

After a first HTO film 2a is formed on the upper surface of a silicon substrate 1 by a thermal CVD method, a silicon-rich HTO film 2b having a deep trap level is formed by the thermal CVD method under the condition of decelerating the flow rate of an N_2O of process gas for forming this first HTO film 2a.例文帳に追加

シリコン基板１の上面に、熱ＣＶＤ法によって第一のＨＴＯ膜２ａを成膜した後、この第一のＨＴＯ膜２ａを成膜するプロセスガスのうちＮ２ Ｏの流量を削減した条件で熱ＣＶＤ法によって、深いトラップ準位を有するシリコンリッチＨＴＯ膜２ｂを成膜する。 - 特許庁

An HT(Header Translator) 2 has a VPI(Virtual Path Identifier) and a VCI(Virtual Channel Identifier) and has an HTi 21 (header translator having transmission information) and a plurality of HTo (header translators having reception information).例文帳に追加

ＨＴ２は１つのＶＰＩ及びＶＣＩを有し、１つのＨＴｉ２１と複数のＨＴｏ２２，２３を有している。 - 特許庁

An HT 4 has a VPI and a VCI and has an HTi 41 and a plurality of HTo 42, 43.例文帳に追加

ＨＴ４は１つのＶＰＩ及びＶＣＩを有し、１つのＨＴｉ４１と複数のＨＴｏ４２，４３を有している。 - 特許庁

An HT 3 has a VPI and a VCI and has an HTi 31 and a plurality of HTo 32, 33.例文帳に追加

ＨＴ３は１つのＶＰＩ及びＶＣＩを有し、１つのＨＴｉ３１と複数のＨＴｏ３２，３３を有している。 - 特許庁

The third insulating film (150) is formed to be used as a top oxide film of a dielectric film between the floating gate and the control gate of a NAND flash device, and in a production process of a capacitor, as an interlayer insulating film between the lower electrode of the capacitor and the upper electrode of the capacitor, preferably formed of an HTO oxide layer.例文帳に追加

第3の絶縁膜(150)は、NANDフラッシュ素子のフローティングゲートとコントロールゲートとの間の誘電体膜の上部酸化膜、キャパシタ製造工程ではキャパシタの下部電極とキャパシタの上部電極との間の層間絶縁膜として用いるために形成され、望ましくはHTO酸化膜で形成する。 - 特許庁

The dielectric film of the capacity element 53 includes the silicon oxide film 25 (thermal oxide film), the silicon oxide film 37 (HTO film) and the silicon oxide film 31 (thermal oxide film).例文帳に追加

容量素子５３の誘電体膜は、シリコン酸化膜２５（熱酸化膜）、シリコン酸化膜３７（ＨＴＯ膜）およびシリコン酸化膜３１（熱酸化膜）を含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for forming a tunnel oxide film with less electric leakage by sufficiently reforming an HTO film with an oxygen annealing treatment without oxidizing a polysilicon film of a lower layer.例文帳に追加

下層のポリシリコン膜を酸化させることなく、酸素アニールによりＨＴＯ膜を十分に改質させ、電気的にリークが少ないトンネル酸化膜を形成する半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁