QDRとは 意味・読み方・使い方

To achieve high speed operation and low latency of a semiconductor storage device adopting a QDR system.例文帳に追加

ＱＤＲ方式を採用した半導体記憶装置の高速動作と低レイテンシを実現する。 - 特許庁

Each unit circuit U includes a driving transistor QDR which drives the electro-optical element E according to a gate potential VG and a transistor QSW2 which diode-connects the driving transistor QDR.例文帳に追加

各単位回路Ｕは、ゲート電位ＶGに応じて電気光学素子Ｅを駆動する駆動トランジスタＱDRと、駆動トランジスタＱDRをダイオード接続させるトランジスタＱSW2とを含む。 - 特許庁

A receiving-side QDR semiconductor device according to the present invention receives first and second strobe signals from the transmitting-side semiconductor device and receives first and second group data using the first and second strobe signals.例文帳に追加

本発明に係る受信側ＱＤＲ半導体装置は、送信側半導体装置から第１及び第２ストローブ信号を受信し、第１及び第２ストローブ信号を用いて第１及び第２グループデータを受信する。 - 特許庁

According to the present invention, the receiving-side semiconductor device does not require any PLL or DLL, so that a circuit scale and power consumption can be reduced less than a conventional QDR interface system.例文帳に追加

本発明によれば、受信側半導体装置では、ＰＬＬあるいはＤＬＬを要しないので、従来のＱＤＲインターフェースシステムよりも回路面積及び電力消耗を減少させることができる。 - 特許庁

A unit circuit P includes a capacity element C which holds a voltage Vd corresponding to a data current Id[j] flowing to a data line 14 and a drive transistor Qdr controlling luminance of an electrooptical element E according to the voltage Vd.例文帳に追加

単位回路Ｐは、データ線１４に流れるデータ電流Ｉd[j]に応じた電圧Ｖdを保持する容量素子Ｃと、電圧Ｖdに応じて電気光学素子Ｅの輝度を制御する駆動トランジスタＱdrとを含む。 - 特許庁

To provide an entirely new semiconductor storage device which does not delay read/write access by a refresh operation, and is interface-compatible with a high-speed SRAM such as a QDR SRAM, and to provide a refresh control method.例文帳に追加

リフレッシュによるリード／ライトアクセスを遅延させず、ＱＤＲ ＳＲＡＭ等の高速ＳＲＡＭにインタフェース互換の全く新規の半導体記憶装置とリフレッシュ制御方法の提供。 - 特許庁

Under a state where drying gas is ejected, a control section 47 elevates a lifter 15 from processing position to drying position and opens a QDR valve 19 to drain pure water in a processing tank 1 rapidly.例文帳に追加

乾燥用気体を噴射させた状態で、制御部４７は、リフタ１５を処理位置から乾燥位置へと上昇させるとともに、ＱＤＲ弁１９を開放して、処理槽１内の純水を急速排水する。 - 特許庁