absolute diffusionとは 意味・読み方・使い方

The portion 305 is provided with a retinex computation portion A502, a retinex computation portion B503, a differential absolute value computation portion 504, a decision portion 505 and a diffusion error computation portion 506.例文帳に追加

上記誤差算出部３０５にはレチネックス計算部Ａ５０２、レチネックス計算部Ｂ５０３、差分絶対値計算部５０４、判定部５０５、拡散誤差計算部５０６を備えている。 - 特許庁

Moreover, a soft magnetism layer 4b of a free magnetism layer 4 is made of an NiFe alloy, and a diffusion preventing layer 4a is made of an CoFe alloy, thereby enabling the absolute value of magnetostrictive constant λ of the free magnetism layer 4 can be set to 1.3 ppm or smaller.例文帳に追加

また、フリー磁性層４の軟磁性層４ｂをＮｉＦｅ合金、拡散防止層４ａをＣｏＦｅ合金を用いて形成することにより、フリー磁性層４の磁歪定数λの絶対値を１．３ｐｐｍ以下にすることができる。 - 特許庁

The apparatus also includes a dead layer (86) coupled to the light-illumination side of the bulk semiconductor material, the dead layer having a thickness configured to substantially match a predetermined thickness value and wherein an absolute value of a thermal coefficient of gain due to the minority carrier diffusion length property of the bulk semiconductor material is configured to substantially match an absolute value of a thermal coefficient of gain due to the thickness of the dead layer (86).例文帳に追加

装置はまた、バルク半導体材料の光照射面に結合されており予め決められた厚み値に実質的に一致するように構成されている厚みを有する不感層（８６）を含んでおり、バルク半導体材料の少数担体拡散距離特性による熱利得係数の絶対値が、不感層（８６）の厚みによる熱利得係数の絶対値に実質的に一致するように構成されている。 - 特許庁

To obtain a high performance variable capacitor having a maximum capacity variation ratio against an intended absolute capacity by effectively utilizing a capacity component in the horizontal direction of the variable capacitor to regulate a structure of each diffusion layer composing the variable capacitor, and minimizing an increase in the area of the variable capacitor.例文帳に追加

バリキャップの水平方向の容量成分を効果的に活用し、バリキャップを構成する各拡散層の構造を規定化することにより、所望の絶対容量に対して最大の容量変化比を有し、なおかつ、バリキャップの面積の増大を最小限に抑えた高性能なバリキャップを得る。 - 特許庁

A general peripheral circuit such as a sense amplifier using inner voltage having an absolute value smaller than external supply voltage as a main operating power supply is constituted of a (p) channel and (n) channel MOSFETs having a p+ gate and an n+ gate having the same conductivity type as the diffusion layer of the general peripheral circuit respectively and having comparatively thin oxide films.例文帳に追加

また、外部電源電圧より絶対値の小さな内部電圧を主たる動作電源とするセンスアンプ等の一般周辺回路を、その拡散層と同じ導電型のｐ^+ ゲート及びｎ^+ ゲートをそれぞれ有し、かつ比較的薄い酸化膜を有するＰチャネル及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴにより構成する。 - 特許庁