n シリコンの英語

An N^- silicon substrate 1 where an N^+ layer 2 is formed through a silicon oxide film 4 is formed on a P silicon substrate 3.例文帳に追加

Ｐシリコン基板３上にシリコン酸化膜４を介してＮ^+層２の形成されたＮ^-シリコン基板１が設けられている。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 6 and an n-type amorphous silicon film 7 are formed sequentially on the rear surface of the n-type single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面には、ｉ型非晶質シリコン膜６およびｎ型非晶質シリコン膜７が順に形成されている。 - 特許庁

An N-type silicon-gerumanium mixed crystal layer 5 is formed on an N-type silicon substrate 4, and an N-type silicon layer 6 is formed thereon, and furthermore, a P-type silicon diffused layer 7 is formed in the N-type silicon layer 6.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板４の上にＮ型シリコン−ゲルマニウム混晶層５が形成され、Ｎ型シリコン−ゲルマニウム混晶層５の上にＮ型シリコン層６が形成され、さらに、Ｎ型シリコン層６内にＰ型シリコン拡散層７が形成される。 - 特許庁

The silicon substrate 1 contains n-type impurities.例文帳に追加

シリコン基板１はｎ型の不純物を含む。 - 特許庁

The silicon nitride film 7 has a boron nitride (B-N) bond.例文帳に追加

前記シリコン窒化膜７は、Ｂ−Ｎ結合を有する。 - 特許庁

N-TYPE SILICON FOR FORMING INGOT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

インゴット成形用ｎ型シリコンとその製造方法 - 特許庁

An n^- type silicon region 3 having high resistance, to be the region of maintaining a breakdown voltage, is vertically provided with respect to a principal surface 72 of an n^+ type silicon substrate 1, and the n^- type silicon region 3 having the high resistance is connected to the n^+ type silicon substrate 1.例文帳に追加

耐圧保持領域である高抵抗のｎ^−型シリコン領域３をｎ^＋型シリコン基板１の主面７２に対して垂直に設け、高抵抗のｎ^−型シリコン領域３をｎ^＋型シリコン基板１に接続させる。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon layer 14 and a p-type amorphous silicon layer 15 get into a via hole of an n-type single-crystal silicon substrate 11 while an i-type amorphous silicon layer 12 and an n-type amorphous silicon layer 13 get into a via hole of the n-type single-crystal silicon substrate 11.例文帳に追加

ｉ型非晶質シリコン層１４とｐ型非晶質シリコン層１５とは、ｎ型単結晶シリコン基板１１が有する貫通孔内に入り込み、ｉ型非晶質シリコン層１２とｎ型非晶質シリコン層１３とは、ｎ型単結晶シリコン基板１１が有する貫通孔内に入り込む。 - 特許庁