Since principal surfaces of the right crystal plates 1 and 2 are joined by optical coupling, attenuation of the laser light 100 and the second harmonic 200 at a coupling interface can be suppressed.例文帳に追加

また、右水晶板１および右水晶板２の主面は光学接合によって接合されているので、接合界面でのレーザ光１００および第２高調波２００の減衰を抑えることができる。 - 特許庁

Since principal surfaces of right crystal plates 1 and 2 are coupled by optical coupling, attenuation of the laser light 100 and the second harmonic 200 at a coupling interface can be suppressed.例文帳に追加

さらに、右水晶板１，２の主面は光学接合によって接合されているので、接合界面でのレーザ光１００および第２高調波２００の減衰を抑えることができる。 - 特許庁

To provide a nitride-based semiconductor element capable of reducing an offset voltage on an interface between a semiconductor layer on a gallium oxide substrate and a principal surface of the gallium oxide substrate.例文帳に追加

酸化ガリウム基板上の半導体層と酸化ガリウム基板の主面との界面におけるオフセット電圧を低減可能な窒化物系半導体素子を提供する。 - 特許庁

When such a bonding wire is used to connect to an electrode whose principal constituent is Al, a joint construction is obtained in which intermetallics of Al and X exist at an interface of a very fine-grained layer and a matrix.例文帳に追加

このボンディングワイヤによってＡｌを主成分とする電極と接続したとき微細粒層とマトリックスとの界面にＡｌとＸの金属間化合物が存在する接続部構造を得る。 - 特許庁

Fine particles 3a of at least two kinds of metals, silicides, nitrides, carbides, sulfides, oxides and the like each having different kind of an element constituting the principal component are dispersed in the interface or the grain boundary 3 of the ceramic sintered compact 1.例文帳に追加

セラミツク焼結体１の少くとも結晶粒子２の界面または粒界相内３に、主成分を構成する元素種が異なる２種以上の金属または珪化物、窒化物、炭化物、硫化物、酸化物などの微粒子３ａを分散させる。 - 特許庁

The multilayer ceramic substrate 4 including the glass ceramic 5 and the external electrode 2 formed at least on one of principal planes of the glass ceramic 5 is characterized in that resin 7 is filled in at least part of an interface between the electrode 2 and the ceramic 5.例文帳に追加

ガラスセラミックス５と、少なくとも前記ガラスセラミックス５の一方の主面表面上に形成された外部電極２とを備える多層セラミック基板４において、少なくとも前記外部電極２とガラスセラミックス５の界面の一部に樹脂７が充填されていることを特徴とする。 - 特許庁

The multilayer ceramic capacitor includes a plurality of dielectric ceramic layers and a plurality of internal electrodes formed along a particular interface between the dielectric ceramic layers, and each dielectric ceramic layer includes a dielectric ceramic containing a perovskite compound represented by ABO_3 as a principal component and R (R is La and the like), M (M is Mn and the like) and Si as accessory components.例文帳に追加

複数の誘電体セラミック層および誘電体セラミック層間の特定の界面に沿って形成された複数の内部電極を備え、誘電体セラミック層が、ＡＢＯ_３で表わされるペロブスカイト型化合物を主成分とし、副成分として、Ｒ（Ｒは、Ｌａ等）、Ｍ（Ｍは、Ｍｎ等）およびＳｉを含む、誘電体セラミックからなる。 - 特許庁

The photomask comprises a transparent substrate 1, an antireflection structure formed by successively laminating a chromium oxide film 3, a chromium film 4 and a chromium oxide film 5 on the principal face side of the substrate 1, an LiF film 2 as an antireflection film formed on the interface between the chromium oxide film 3 and the substrate 1 and a spin-on glass film 6 formed on the surface of the chromium oxide film 5.例文帳に追加

透明基板１と、この透明基板１の主面側に、酸化クロム膜３、クロム膜４及び酸化クロム膜５順次積層して形成された反射防止構造と、酸化クロム膜３表面であって透明基板１との界面に形成された反射防止膜としてのＬｉＦ膜２と、酸化クロム膜５表面に形成されたスピンオングラス膜６から構成される。 - 特許庁

The semiconductor device is provided, on the principal surface of a substrate, with a group III nitride semiconductor layer formed by epitaxial growth, an active element arranged on the group III nitride semiconductor layer, and an insulated region provided to include at least a part of the interface between the group III nitride semiconductor layer and the substrate.例文帳に追加

基板の主面上に、エピタキシャル成長により形成された３族窒化物半導体層と、前記３族窒化物半導体層上に配置された能動素子と、絶縁性であり、前記３族窒化物半導体層と前記基板との界面の少なくとも一部を含むように設けられた絶縁化領域と、を具備する。 - 特許庁