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えしぇりきあぞくの英語
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「えしぇりきあぞく」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 448件
エシェリキア・コリによる異種タンパク質の発酵的製造方法例文帳に追加
METHOD FOR FERMENTATIVE PRODUCTION OF HETEROLOGOUS PROTEIN BY ESCHERICHIA COLI - 特許庁
（ここで、ＭはＨ，アルカリ金属イオン，Ｃ_１〜Ｃ_５のアルキル基又はフェニル基）例文帳に追加
In the chemical formulas, M is H, an alkali metal ion, a 1-5C alkyl group or a phenyl group. - 特許庁
ストリームタイプ・ネゴシエーション部１１２は、処理機能が表示ならばＪＰＰ−ｓｔｒｅａｍを選択し、処理機能が印刷、保存又はアップロードならばＪＰＴ−ｓｔｒｅａｍを選択する。例文帳に追加
A stream type negotiation section 112 selects a JPP-stream when the processing function indicates display, or selects a JPT-stream when the processing function is print, storage or upload. - 特許庁
エフェクト処理部１６６は、画像サイズ１６５より供給された、アスペクト比と画像サイズが設定値に等しい画像に対してエフェクト処理を施す。例文帳に追加
An effect processing unit 166 applies effect processing to the image, supplied from the unit 165 having the aspect ratio and image size equal to the set values. - 特許庁
データバス３′は、インターフェース信号Ｉで中央演算処理器４′に接続し、インターフェース信号Ｊで表示装置５′に接続し、インターフェース信号Ｋで記憶装置６′に接続する。例文帳に追加
An interface signal I from the data bus 3' is connected to a central arithmetic processing apparatus 4', an intermediate frequency signal J is connected to a display apparatus 5', and an intermediate frequency signal K is connected to a storage device 6'. - 特許庁
シリコンウェーハ（例えばシリコンエピタキシャルウェーハ）のシリコン薄膜（例えばエピタキシャル層）の膜厚分布をより均一化することを可能とするシリコンウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing a silicon wafer capable of making more uniform a film thickness distribution of a silicon thin film (e.g. an epitaxial layer) of a silicon wafer (e.g. a silicon epitaxial wafer). - 特許庁
画像データは例えばＨＴＭＬにより記述され、タイムアウトプログラムはＪＡＶＡ（登録商標）により記述される。例文帳に追加
The image data are described in, for example, HTML and the time-out program is described in JAVA(R). - 特許庁
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「えしぇりきあぞく」の部分一致の例文検索結果
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気液分離器４と２段圧縮機１中間圧力室１０とを接続するインジェクション回路８が備えられている。例文帳に追加
An injection circuit 8 is provided for connecting the gas-liquid separator 4 and a two stage compressor 1 middle pressure chamber 10. - 特許庁
安定剤を含む下記式（１）で示されるケタールビスフェノール類であって、前記安定剤がアルカリ金属又はアルカリ土類金属の水酸化物、炭酸塩又は炭酸水素塩、有機アミン、アンモニアおよび下記式（１）で示されるケタールビスフェノール類のアルカリ金属塩またはアルカリ土類金属塩から選ばれた少なくとも１種。例文帳に追加
The ketal bisphenol contains a stabilizer and is represented by the formula (1). - 特許庁
NO_x 吸蔵材は、アルカリ金属からなる核体と核体の周囲を覆うシェル層とからなるコア・シェル構造をもち、シェル層はアルカリ土類金属，希土類元素，Mn，Fe，Co，及びNiから選ばれる元素を含む。例文帳に追加
An NOx occluding material has a core-shell structure comprising a core body comprising an alkali metal and a shell layer coating the periphery of the core body, wherein the shell layer contains an element selected from the alkaline earth metals, the rare earth elements, Mn, Fe, Co and Ni. - 特許庁
保護フィルムがポリエチレンテレフタレート又はアクリル樹脂フィルムであり、金属箔がＡｌ若しくはＴｉ又はこれらを含む合金からなり、樹脂基板がＡＢＳ，ポリカーボネート，ポリフェニレンエーテル又はポリフェニレンオキサイドのいずれかである。例文帳に追加
The protective film is a polyethylene terephthalate film or an acrylic resin film, and the metal foil consists of Al or Ti or an alloy containing them and the resin base sheet is made of ABS, polycarbonate, polyphenylene ether or polyphenylene oxide. - 特許庁
ウェハアライメント方法は、ウェハアライメント装置の処理と同様の処理機能によって、複数のウェハを連続的に入れ替えて処理する際に当該ウェハの位置決めを行う。例文帳に追加
The wafer alignment method carries out positioning of the wafers in continuously and alternately processing a plurality of wafers by a processing function same as that of the processing of the wafer alignment device. - 特許庁
光吸収層としてＳｉＧｅＣ混晶を使い、Ｓｉよりなるキャリア増倍層と組み合わせてアバランシェフォトダイオードを構成する。例文帳に追加
An SiGeC mixed crystal is used as a light absorption layer and is combined with a carrier multiplication layer which is mode of Si, and thereby, an avalanche photodiode is constituted. - 特許庁
ｎ^＋−ＩｎＰ基板２上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層３、ｎ^−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層４、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ中間層５、ｎ^＋−ＩｎＰアバランシェ増倍層６、ｎ^−−ＩｎＰ窓層７をエピタキシャル成長法により、順次積層する。例文帳に追加
An n-InP buffer layer 3, an n^--InGaAs light absorbing layer 4, an n-InGaAsP intermediate layer 5, an n^+-InP avalanche multiplication layer 6, and an n^--InP window layer 7 are formed sequentially on an n^+-InP substrate 2 by epitaxial growth. - 特許庁
フェノキシフェノールをアルカリ金属水酸化物の存在下にてエピハロヒドリンと反応させることにより得られるエポキシ化合物を用いる。例文帳に追加
An epoxy compound obtained by reacting phenoxyphenol with an epihalohydrin in the presence of an alkali metal hydroxide is used. - 特許庁
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