けい化タングステン膜の英語

その後、多結晶シリコン膜４、窒化タングステン膜１３、タングステン膜１４をパターニングしてゲート電極１５を形成する。例文帳に追加

After that, the polycrystal silicon film 4, the tungsten nitride film 13, and the tungsten film 14 are patterned to form a gate electrode 15. - 特許庁

タングステン酸化物の薄膜は、溶融塩めっき法により形成されている。例文帳に追加

The thin film of tungsten oxide is formed by molten salt plating. - 特許庁

前記窒化膜が除去された部分にタングステンゲート２３を形成する。例文帳に追加

A tungsten gate 23 is formed at a part where the nitride film is removed. - 特許庁

シリコン酸化膜２上のタングステン膜５をエッチバックして、タングステンプラグ（配線プラグ）５１を形成する。例文帳に追加

The tungsten film 5 deposited on the silicon oxide film 2 is etched back, by which a tungsten plug (wiring plug) 51 is formed. - 特許庁

それから、スルーホール２２ａを埋めるようにタングステン膜をＣＶＤ法を用いて形成し、絶縁膜２１上の不要なタングステン膜と窒化チタン膜２３を除去して、タングステンプラグ２４を形成する。例文帳に追加

Then a tungsten film is formed to fill the through hole 22a by a CVD method, and the tungsten film and titanium nitride film 23 which are unnecessary on the insulating film 21 are removed to form a tungsten plug 24. - 特許庁

コントロールゲート用タングステン膜(W)１１０ａの側壁にタングステン窒化膜(WN)１１４を形成し、後続のアニーリング工程時にタングステン膜１１０ａの異常酸化(abnormal oxidation)を防止しながらタングステン膜１１０ａの断面積を増加させる。例文帳に追加

A tungsten nitride (WN) layer 114 is formed on sidewalls of a tungsten (W) layer 110a for a control gate, and the cross section of the tungsten layer 110a is increased while preventing abnormal oxidization of the tungsten layer 110a in a subsequent annealing process. - 特許庁

絶縁膜２０中に配線溝を形成し、この絶縁膜上および配線溝内部にタングステン膜２２を形成した後、このタングステン膜を機械化学的に研磨する際、絶縁膜が露出した後は、過酸化水素水の含有量が少ない研磨液を用いてタングステン膜および絶縁膜を研磨する。例文帳に追加

When a tungsten film 22, formed on an insulation film 20 and in interconnection trenches made therein, is polished by chemical-mechanical polishing method, the tungsten film and the insulation film are polished, using a polishing liquid having a low content of hydrogen peroxide water after the insulation film is exposed. - 特許庁

シリコン基板１上に多結晶シリコン膜４、窒化タングステン膜１３を形成する。例文帳に追加

A polycrystal silicon film 4 and a tungsten nitride film 13 are formed on a silicon substrate 1. - 特許庁