けい化タングステン薄膜の英語

金属多孔質体の表面に、タングステン酸化物の薄膜が、直接形成されている多孔質光触媒素子。例文帳に追加

What is provided is a porous photocatalytic element composed of a porous metallic substrate and a thin film of tungsten oxide directly formed on the surface thereof. - 特許庁

導入する還元性ガスの種類を切り替えると、窒化物薄膜２４表面に高融点金属薄膜(タングステン薄膜)２５を形成することができるので、積層構造のバリア膜３３を得ることができる。例文帳に追加

If the kind of reductive gas to be introduced is changed, a high-melting point metal thin film (tungsten thin film) 25 can be formed on the surface of the nitride thin film 24, resulting in the barrier film 33 with a laminated structure. - 特許庁

基板２０表面に高融点金属の窒化物薄膜(窒化タングステン薄膜)２４を形成する前に、電離した窒素及び水素を含むプラズマで基板表面をクリーニングする。例文帳に追加

Before a nitride thin film (tungsten nitride thin film) 24 made of a high-melting point metal is formed on the surface of a substrate 20, the surface of the substrate is cleaned by a plasma containing an ionized nitride or hydrogen. - 特許庁

シリコン基板１上に例えばタングステンシリサイド膜からなる薄膜配線２が形成され、シリコン基板１及び薄膜配線２上にシリコン酸化膜からなる絶縁膜３が形成されている。例文帳に追加

Thin film wiring 2 composed of a tungsten silicide film for instance is formed on a silicon substrate 1, and an insulation film 3 composed of a silicon oxidized film is formed on the silicon substrate 1 and the thin film wiring 2. - 特許庁

検知素子は、石英製の透明基板と、該透明基板上に柱状結晶構造を有する三酸化タングステン薄膜と、該薄膜表面に15nm以下の厚さに堆積形成された白金層から構成されている。例文帳に追加

A detection element has a transparent substrate made from quartz, a tungsten trioxide thin film having a columnar crystal structure on the transparent substrate, and a platinum layer deposited and formed on the thin film surface to have a thickness of 15 nm or less. - 特許庁

透明基板と、該透明基板上に形成された高配向性の酸化タングステン薄膜と、該高配向性酸化タングステン薄膜の表面上に堆積された触媒金属とから構成される光学式水素ガス検出素子であって、該触媒金属が分子状の水素ガスを吸着して水素原子へと解離するものである、前記光学式水素ガス検出素子。例文帳に追加

In this optical hydrogen gas detection element constituted of a transparent substrate, a highly-oriented tungsten oxide thin film formed on the transparent substrate, and a catalyst metal deposited on the surface of the highly-oriented tungsten oxide thin film, a molecular hydrogen gas is adsorbed by the catalyst metal and dissociated into hydrogen atoms. - 特許庁

次いで、前記前駆体膜を加熱して結晶化させ、Ｂａサイトの少なくとも一部が希土類元素で置換されたタングステンブロンズ型の結晶構造を有する強誘電体薄膜を形成する。例文帳に追加

The precursor film is heated and crystallized to form the ferroelectric thin film having a tungsten bronze type crystal structure in which at least a part of the Ba site is substituted by the rare earth element. - 特許庁

溝１０３の側面および底面を含めて層間絶縁膜１０２上に窒化タングステン膜からなる下部下地膜（第１の薄膜）１０４を形成する。例文帳に追加

A lower base film (first thin film) 104 constituted of a tungsten nitride film is formed on an interlayer insulating film 102 by including the side and the base of a groove 103. - 特許庁