げっけいかたの英語

円筒形基材の外側面に円筒形状のセラミックス焼結体からなる円筒形ターゲット材を複数接合してなる円筒形スパッタリングターゲットとするとともに、前記円筒形ターゲット材同士の接続部に所定量の間隙を有する円筒形スパッタリングターゲットとする。例文帳に追加

The cylindrical sputtering target is obtained by joining a plurality of the cylindrical target materials composed of cylindrical ceramic sintered bodies at the outside face of a cylindrical base material, and the cylindrical sputtering target having a prescribed gap at the connecting part of the cylindrical target materials is obtained. - 特許庁

円筒形基材の外側面に円筒形状のセラミックス焼結体からなる円筒形ターゲット材を複数接合してなる円筒形スパッタリングターゲットとするとともに、前記円筒形ターゲット材同士の接続部に所定量の間隙を有する円筒形スパッタリングターゲットとする。例文帳に追加

The cylindrical sputtering target can be obtained by joining a plurality of cylindrical target materials comprising cylindrical ceramic sintered compacts onto the outside surface of a cylindrical base material, wherein a prescribed gap is provided at each joining part between the cylindrical target materials. - 特許庁

異なる形としては、ループ状、楕円形、卵形、三角形、及び弧がターゲット周囲にはまっている三角形が含まれる。例文帳に追加

As the different forms, a loop shape, an oval shape, an egg shape, a triangle shape and a triangle shape in which an arc is fitted to the circumference of the target are included. - 特許庁

円筒形セラミックスターゲット材２１の内周面を電界還元して、ターゲット材の還元金属から成る下地層３１を形成し、次いで円筒形支持基材１１の外周面に円筒形セラミックスターゲット材を接合することにより、円筒形スパッタリングターゲットを製造する。例文帳に追加

The cylindrical sputtering target is manufactured by electrolytically reducing an inner circumferential surface of a cylindrical ceramics target material 21 to form an underlayer 31 formed of a reduced metal of the target material, and then bonding the cylindrical ceramics target material to the outer circumferential surface of a cylindrical support base material 11. - 特許庁

ターゲット材料を成形又は焼成することなく、緻密な結晶構造を有するターゲット材料を形成することにより、スパッタリングの際にパーティクルが発生し難いスパッタリング用ターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target which does not easily produce particles during sputtering, through forming a target material having a dense crystal structure without molding or burning the target material. - 特許庁

Ａｇ−Ｂｉ系合金スパッタリングターゲットは、ＢｉがＡｇに固溶している。例文帳に追加

The Ag-Bi-based alloy sputtering target contains Bi dissolved in Ag. - 特許庁

炭化タンタル焼結体およびその製造方法ならびに成形用型およびターゲット材例文帳に追加

TANTALUM CARBIDE SINTERED COMPACT, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, MOLDING DIE, AND TARGET MATERIAL - 特許庁

スパッタリング法に使用されるターゲット材において、該ターゲット材の端部を５度〜８５度の傾斜角とし、熱間等方加圧焼結（ＨＩＰ）により、少なくとも２枚を接合してなる大型ターゲット材。例文帳に追加

In the target material used for a sputtering method, the edge parts thereof are made into an inclination of 5 to 85 degrees, and at least two pieces of the target materials are joined by hot isostatic press (HIP) to obtain the large target material. - 特許庁