しんえいちょう１ちょうめの英語

(ａ)図に示すように、成長面が凹凸面とされた基板１を用いる。例文帳に追加

As shown in Fig.(a), a substrate 1 is used having a growth plane having a concavo-convex surface. - 特許庁

トナー円形度（ＳＦ）＝［トナー面積／（トナー周囲長）^2］×４π＜０．９５ …（１）例文帳に追加

(1):toner circularity (SF)=[toner area/(circumference length of toner)^2]×4π<0.95. - 特許庁

本発明の階調電圧選択回路では、第１階調選択ＭＯＳトランジスタ群（ＳＳ０）とＭ個（Ｍは、１以上の整数）の中間階調電圧生成ＭＯＳトランジスタ群（ＳＳａ、ＳＳｂ）と第２階調選択ＭＯＳトランジスタ群（ＳＳ１）は、制御信号に応じて、第１階調電圧と第２階調電圧との間の階調電圧を（Ｍ＋２）等分に分圧して（Ｍ＋１）個の中間階調電圧を生成する。例文帳に追加

In the gradation voltage selecting circuit, 1st gradation selecting MOS transistor groups (SS0), M-pieces half gradation voltage MOS transistor groups (SSa, SSb), and 2nd gradation selecting MOS transistor groups (SS1) equally divides a gradation voltage between a 1st gradation voltage and a 2nd gradation voltage to generate (M+1) half gradation voltages. - 特許庁

成長用基板１上に配置した無機粒子２が、３−５族窒化物半導体層の成長時においてマスクとして作用し、成長用基板１の表面１Ａにおいて無機粒子２の無いところが成長領域１Ｂとなる。例文帳に追加

Wherein the inorganic particles 2 disposed on the substrate 1 for growing act as a mask at a growing time of a 3-5 group nitride semiconductor layer and areas where the inorganic particles 2 do not exist on the surface 1A of the substrate 1 for growing become growing areas 1B. - 特許庁

主制御部１は、輝度変更前の画像の階調数ｉから、輝度変更後の画像の階調数としてｉの階調数より小さいｊの階調数の範囲で画像を表示するために、［（ｉ−ｊ）／２］＋ｎ （但し、ｎは０〜ｊ−１の階調値）の条件を満足するように階調値を変更する。例文帳に追加

In order to display an image, after the luminance change within a range of j gradations whose number is smaller than i being the number of gradations of the image before the luminance change, a main control part 1 changes the gradation values so as to satisfy the condition: [(i-j)/2]+n (n is a gradation value of 0 to j-1). - 特許庁

基板上への窒化物薄膜の成長方法において、ｃ面サファイア（Ａｌ_２ Ｏ_３ ）基板１上に＋ｃ面で成長するＧａ面２と、ｃ面サファイア（Ａｌ_２ Ｏ_３ ）基板上に−ｃ面で成長するＮ面３とを形成する。例文帳に追加

In the process for growing a nitride thin film on a substrate, a Ga face 2 growing on +c face and an N face 3 growing on -c face are formed on a c face sapphire (Al_2O_3) substrate 1. - 特許庁

上記半導体基板１のエピタキシャル成長面が上下方向に向くように、半導体基板１を成長室３内に保持する。例文帳に追加

The semiconductor substrate 1 is held in each growth chamber 3 so as to direct the epitaxial growth surface of the semiconductor substrate 1 upward. - 特許庁

常圧気相成長および減圧気相成長が可能な気相成長装置１０の反応容器１内に配置したシリコン単結晶基板３の主表面上にシリコンエピタキシャル層を減圧気相成長する。例文帳に追加

The substrate 3 is arranged in a reaction vessel 1 of vapor growth equipment 10 capable of ordinary pressure vapor growth and low pressure vapor growth. - 特許庁