しんえいちょう２ちょうめの英語

成長用基板１上に配置した無機粒子２が、３−５族窒化物半導体層の成長時においてマスクとして作用し、成長用基板１の表面１Ａにおいて無機粒子２の無いところが成長領域１Ｂとなる。例文帳に追加

Wherein the inorganic particles 2 disposed on the substrate 1 for growing act as a mask at a growing time of a 3-5 group nitride semiconductor layer and areas where the inorganic particles 2 do not exist on the surface 1A of the substrate 1 for growing become growing areas 1B. - 特許庁

主制御部１は、輝度変更前の画像の階調数ｉから、輝度変更後の画像の階調数としてｉの階調数より小さいｊの階調数の範囲で画像を表示するために、［（ｉ−ｊ）／２］＋ｎ （但し、ｎは０〜ｊ−１の階調値）の条件を満足するように階調値を変更する。例文帳に追加

In order to display an image, after the luminance change within a range of j gradations whose number is smaller than i being the number of gradations of the image before the luminance change, a main control part 1 changes the gradation values so as to satisfy the condition: [(i-j)/2]+n (n is a gradation value of 0 to j-1). - 特許庁

また本発明は、２^k階調（ｎ＜ｋ≦２ｎ）の表示が可能である表示装置を用いて、２^n-α階調（０＜α＜２^n、αは自然数）の表示を行う。例文帳に追加

A display device capable of display of 2^k gradations (n<k≤2n) is used to display 2^n-α gradations (0<α<2n where α is a natural number). - 特許庁

基板上への窒化物薄膜の成長方法において、ｃ面サファイア（Ａｌ_２ Ｏ_３ ）基板１上に＋ｃ面で成長するＧａ面２と、ｃ面サファイア（Ａｌ_２ Ｏ_３ ）基板上に−ｃ面で成長するＮ面３とを形成する。例文帳に追加

In the process for growing a nitride thin film on a substrate, a Ga face 2 growing on +c face and an N face 3 growing on -c face are formed on a c face sapphire (Al_2O_3) substrate 1. - 特許庁

募兵、新兵教練を終えた薩軍では2月13日、次のように大隊編成がなされた（隊長の正式名称は指揮長。一般に大隊長とも呼ばれた。副長役は各大隊の一番小隊隊長がつとめた）。例文帳に追加

On February 13, with soldiers having been recruited and trained, the Satsuma army has formed into the battalions as below (The battalion commander was formally called Shikicho and generally called Daitaicho. The leader of the 1st platoon in each battalion served as Fukucho, the second in command.)発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

窒化物半導体結晶２は、ＭＯＣＶＤ法等によって形成され、その成長表面が非極性面又は半極性面で成長する。例文帳に追加

The nitride semiconductor crystal 2 is formed by an MOCVD method etc., and its growing surface grows on the non- or semi-polar surface. - 特許庁

ｃ面サファイア基板１上に成長させたＧａＮ層２上に、成長マスクとしてストライプ形状を有するＳｉＯ_2 膜３を形成する。例文帳に追加

An SiO2 film 3 having a stripe shape as a growing mask is formed on a GaN layer 2 grown on a c-face sapphire substrate 1. - 特許庁

1880年（明治13年）5月歩兵第8連隊長、1882年（明治15年）2月には大佐に進み近衛歩兵第1連隊長に就任する。例文帳に追加

In May 1880, he became the Captain assigned to the 8th Regiment Foot Soldier, and in February 1882, moved up to be a Colonel of the Army appointed to the Captain of the 1st Regiment of Foot Soldier.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス