せいかいちょう６ちょうめの英語

我々は，中期的な成長基盤の強化のため，次の6分野の計画に合意した。例文帳に追加

We have agreed to a six-point plan to strengthen the medium-term foundations for growth:発音を聞く  - 財務省

ガラス−セラミック製調理板４の下に配置されている電熱器６のための壁１４である。例文帳に追加

A wall 14 is for an electric heater 6 adapted to be located beneath a glass-ceramic cooking plate 4. - 特許庁

各分極性電極を、集電体となる基板3, 4 とその片面に成長させたブラシ状カーボンナノチューブ5, 6 とから構成した。例文帳に追加

The polarizable electrodes 1, 2 comprise substrates 3, 4 serving as power collectors and carbon nano-tubes 5, 6 grown into a brush shape on one side of each of the substrates 3, 4. - 特許庁

また、共鳴調節部材６として打撃音を速やかに減衰させる制振材を用いてもよい。例文帳に追加

Or, a damping material quickly damping the driving sound may be used as the resonance adjusting member 6. - 特許庁

徴兵令（ちょうへいれい、太政官布告無号）（明治22年法律第1号）は、1873年（明治6年）に制定され、国民の兵役義務を定めた日本の法令。例文帳に追加

The Conscription Ordinance (Edict of Dajokan [Grand Council of state] Non-number) (1889 Law No.1) was enacted in 1873, which stipulated the obligation of Japanese citizens to military service.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

潜在成長率の低下が懸念され、新たな経済成長モデルの確立が求められる中、EUでは2010年6月の欧州理事会（首脳会議）で2020年を目標とする新成長戦略である「欧州2020」を採択した。例文帳に追加

Amid concerns that the potential growth rate may decrease and demand for establishment of a new economic growth model, the EU adopted Europe 2020, a new growth strategy until 2020, at a European Council meeting (leaders meeting) in June 2010. - 経済産業省

このように配置すれば、その角度に応じて種結晶４の上に成長する炭化珪素単結晶６の成長面も傾斜するため、炭化珪素単結晶６の成長面（凹面）の凹部から下流側までの間においても、炭化珪素原料ガスの流れが円滑に行われる傾斜とすることができる。例文帳に追加

By this disposition, the growth face of the silicon carbide single crystal 6 is inclined according to the angle and the smooth flow of the silicon carbide reaction gas can be secured even in the range from the concave part of the growing face (having a concave face) to the down stream side of the silicon carbide single crystal 6. - 特許庁

外部端子電極の下地となる第１層１３を構成するめっき膜は、内部電極５および６の露出端によって与えられる導電面を起点として析出しためっき析出物が高めっき成長領域１１と低めっき成長領域１２との境界を低めっき成長領域１２側へと越えて成長することが制限された状態で成長することによって形成される。例文帳に追加

A plating film constituting a first layer 13 that serves as a base of an external terminal electrode is formed such that plating deposition deposited from a conductive surface formed by exposing end surfaces of internal electrodes 5, 6 is restricted to grow to the side of the low-growth plating region 12 beyond the border of the high-growth plating region 11 and the low-growth plating region 12. - 特許庁