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ちっかけいその英語
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「ちっかけいそ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 297件
半導体装置の組み立てにおけるチップクラックやチップカケを防止する。例文帳に追加
To prevent chip cracks and chip chipping in the assembly of a semiconductor device. - 特許庁
チッ化珪素膜の堆積方法、及び堆積装置例文帳に追加
METHOD AND APPARATUS FOR DEPOSITING SILICON NITRIDE FILM - 特許庁
以上により、ウエハ上にチッ化珪素膜が形成される。例文帳に追加
Accordingly, the silicon nitride film is formed on the wafer. - 特許庁
本発明に係る炭化珪素半導体装置は、炭化珪素基板と、当該炭化珪素基板上に積層された複数の窒素含有炭化珪素層と、当該複数の窒素含有炭化珪素層のうち、前記炭化珪素基板に最も近い窒素含有炭化珪素層とは異なる窒素含有炭化珪素層を熱酸化処理して形成した酸化膜とを備える。例文帳に追加
The silicon carbide semiconductor device is provided with a silicon carbide substrate, a plurality of nitrogen-containing silicon carbide layers which are stacked on the silicon carbide substrate, and an oxide film which is formed by thermally oxidizing such the silicon carbide layer among the silicon carbide layers that is different from one closest to the silicon carbide substrate. - 特許庁
窒化珪素焼結体、切削チップ、耐摩耗部材、切削工具及び窒化珪素焼結体の製造方法例文帳に追加
SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT, CUTTING TIP, WEAR-RESISTANT PART, CUTTING TOOL AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT - 特許庁
前記フッ素を含む絶縁膜は、フッ素を含む酸化珪素膜、フッ素と窒素を含む酸化珪素膜、フッ素を含む窒化珪素膜のいずれか1つである。例文帳に追加
The insulating film containing fluorine is any one of a silicon oxide film containing fluorine, a silicon oxide film containing fluorine and nitrogen, and a silicon nitride film containing fluorine. - 特許庁
アルゴン、窒素、およびシランガスを使用した窒化珪素プラズマ処理方法例文帳に追加
METHOD OF PROCESSING SILICON NITRIDE WITH PLASMA, USING ARGON, NITROGEN AND SILANE GAS - 特許庁
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「ちっかけいそ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 297件
その後、ウエハ上にチッ化珪素膜を堆積する工程が実施される。例文帳に追加
Thereafter, a process for depositing the silicon nitride film on the wafer is performed. - 特許庁
耐摩耗性のすぐれた窒化珪素基セラミックス製切削チップ例文帳に追加
SILICON NITRIDE GROUP CERAMIC CUTTING TIP EXCELLENT IN WEAR RESISTANCE - 特許庁
半導体装置において、弗素添加酸化珪素膜4A上に窒素添加酸化珪素膜4Bが配設され、この窒素添加酸化珪素膜4B上に第2層目の金属配線6が配設されている。例文帳に追加
In the semiconductor device, a nitrogen added silicon dioxide thin film 4B is stacked on a fluorine added silicon dioxide thin film 4A, and on the top of this nitrogen added dioxide thin film 4B, the metallic wires 6 of a second layer are arranged. - 特許庁
窒素気流中で、一酸化ケイ素粉末を高温に加熱することにより、単結晶のα型窒化珪素ナノリボンを製造する。例文帳に追加
The single-crystal α-silicon nitride nano-ribbon is manufactured by heating a silicon monoxide powder to an elevated temperature under a nitrogen gas stream. - 特許庁
ガスバリア無機質層は窒素を含む酸化珪素膜よりなり、無機質層は炭素を含む酸化珪素膜よりなる。例文帳に追加
The gas barrier inorganic layer comprises a silicon oxide film containing nitrogen and the inorganic layer comprises a silicon oxide film containing carbon. - 特許庁
反応性ガスとして酸素または窒素を成膜時に用いると、二酸化珪素膜や窒化珪素膜を安定して成膜できる。例文帳に追加
When oxygen or nitrogen is used as reactive gas in film deposition, a silicon dioxide film and a silicon nitride film can be stably deposited. - 特許庁
前記炭化ケイ素粉末の製造方法により製造される炭化ケイ素粉末であり、窒素含有量が100ppm以下である態様が好ましい。例文帳に追加
It is desirable that nitrogen contents of the silicon carbide powder manufactured by the method of manufacturing the silicon carbide powder is ≤1000 ppm. - 特許庁
酸化窒化珪素膜3を成膜する前に、酸化窒化珪素膜のソースガスである亜酸化窒素(N_2O)ガスを用いてプラズマ前処理した。例文帳に追加
Before forming the oxynitride silicon film 3, pretreatment with plasma is done by using nitrous oxide (N2O) gas, which is a source gas of the oxynitride silicon film. - 特許庁
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