にゅうびけっしょうの英語

本発明の微細炭素繊維からなる結晶化促進剤によれば、分子鎖が不規則で結晶化しないか、あるいは結晶化度が低く、従来の結晶化促進剤では結晶化が困難な非結晶性樹脂についても結晶化できる。例文帳に追加

The crystallization promoter comprising the fine carbon fiber can crystallize a noncrystalline resin which does not crystallize caused by irregular molecular chains or has a low degree of crystallization and difficult to be crystallized with a conventional crystallization promoter. - 特許庁

結晶層３５および磁性結晶粒３２の間や結晶層４１および磁性結晶粒３６の間には非晶質層３４、３９が介在する。例文帳に追加

Amorphous layers 34, 39 exist between the crystal layer 35 and the magnetic grains 32 or between the crystal layer 41 and the magnetic grains 36. - 特許庁

結晶直径検出方法、結晶直径検出に用いるロードセル、結晶直径検出装置および結晶成長装置例文帳に追加

METHOD FOR DETECTING CRYSTAL DIAMETER, LOAD CELL USED FOR DETECTING CRYSTAL DIAMETER, DEVICE FOR DETECTING CRYSTAL DIAMETER, AND CRYSTAL GROWTH APPARATUS - 特許庁

結晶性樹脂の微結晶化を促進させるために有機化処理を施したクレーを結晶核剤として結晶性樹脂に配合する。例文帳に追加

In order to promote the microcrystallization of a crystalline resin, clay subjected to the organization treatment is used as a crystallization nucleating agent and is formulated to the crystalline resin. - 特許庁

種結晶に到達する前に析出した微粒子が種結晶に付着することを防いで、種結晶上に成長する結晶品位を劣化させることなく、良質な単結晶を成長させることが可能な化合物半導体結晶の成長方法及び単結晶製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a growing method of compound semiconductor crystal and a manufacturing apparatus of single crystal which are capable of growing single crystal having a good quality without deteriorating the quality of crystal that grows on seed crystal by preventing the fine particles that have been crystallized before they reach to the seed crystal from adhering to the seed crystal. - 特許庁

粒状結晶の製造装置および粒状結晶の製造方法ならびに光電変換装置例文帳に追加

APPARATUS AND METHOD FOR PRODUCING GRANULAR CRYSTAL AND PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE - 特許庁

結晶の周期性構造の形成方法及びその装置並びに結晶の周期性構造例文帳に追加

PERIODICAL STRUCTURE OF CRYSTAL AND METHOD FOR FORMING THE SAME - 特許庁

本発明に係るIII族窒化物半導体基板の製造方法は、一の結晶面と一の結晶面の硬度より小さい硬度の他の結晶面とを含むIII族窒化物半導体単結晶からなるバルク結晶を準備するバルク結晶準備工程と、準備したバルク結晶の他の結晶面側から一の結晶面側に向けてバルク結晶を切断する切断工程とを備える。例文帳に追加

The group III nitride semiconductor substrate production method includes: a bulk crystal preparing step of preparing a bulk crystal formed of a group III nitride semiconductor single crystal having one crystalline plane and an other crystalline plane having hardness of the other crystalline plane being smaller than hardness of the one crystalline plane; and a cutting step of cutting the prepared bulk crystal from the other crystalline plane to the one crystalline plane of the bulk crystal. - 特許庁