ねつでんどうほうていしきの英語

かかる手法を用いることで、空間及び時間方向に離散的な温度測定データがあれば、非定常熱伝導方程式に支配される反応容器壁領域全体（任意の時空間位置）での温度推定値が得られることになる。例文帳に追加

Thus, when the discrete measured data of temperature is available in space and time, the temperature is estimated for the entire wall region of the reactor vessel (at arbitrary space-time points) governed by the equation for non-steady state heat conduction. - 特許庁

反応容器の壁内の温度情報測定点において測定された温度情報から、非定常熱伝導方程式を満たす内外挿関数を用いた逆問題解析を行うことにより、前記反応容器の内表面及び外表面における温度分布又は熱流束分布を演算する。例文帳に追加

The distributions of temperature or heat flux on both the interior and exterior surfaces of the reactor vessel are calculated through an analysis of inversion problems with the equations of interpolation and extrapolation satisfied the equation of non-steady state heat conduction, based on the temperature information measured at the measuring points of in-wall temperature information of the reactor vessel. - 特許庁

樹脂内に気泡が形成される発泡現象における気泡の成長を、樹脂自体の密度低下現象として取り扱い、発泡材の密度が、樹脂温度または時間項を含む関数として表される連続の式または運動方程式またはエネルギ保存式を含む式を用いた計算により、熱伝導率または比熱の分布を出力する。例文帳に追加

The growth of foams in a foaming phenomenon to form foams in resin is treated as a density lowering phenomenon of the resin and the heat conductivity or the specific heat distribution is outputted by calculation using expressions including continuous expressions, a motion equation, or an energy holding equation in which the density of a foaming material is expressed as a function including a resin temperature or a time term. - 特許庁

身体の深部温度を推定する電子体温計であって、加熱温度を変更可能な可変温度ヒータ１０を駆動しながら、プローブに配された２つの温度センサによってリアルタイムでＴ_１，Ｔ_２，ｄＴ_１／ｄｔ，ｄＴ_２／ｄｔ等のデータを収集し、熱伝導方程式の逆問題を解くことにより、深部温度を推定する。例文帳に追加

The electronic clinical thermometer for estimating the temperature at the deep section of a body collects data such as T1, T2, dT1/dt, and dT2/dt in real time by two temperature sensors that are arranged at a probe while driving a variable temperature heater 10 that can change a heating temperature, and solves a reverse problem in a thermal conductivity equation to estimate a depth temperature. - 特許庁

鋳型内に溶融金属を充填させて成形品を製造するプロセスの流動解析方法であって、前記鋳型内に設置したライナーの初期温度分布を認識する段階（Ｓ１００、Ｓ２００）と、前記認識したライナーの初期温度分布に基づき熱伝導方程式にしたがって流動解析を行なう段階（Ｓ３００）と、を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The flow analysis method with which a molten metal is packed into a die so as to produce a molding includes: stages (S100, S 200) in which initial temperature distribution of a liner installed in the die is recognized; and a stage (S300) in which flow analysis is performed in accordance with a heat conduction equation on the basis of the initial temperature distribution of the liner which has been recognized. - 特許庁

解析対象のトランジスタＴｒ５と、解析対象のトランジスタに対して鏡像関係で配置された周辺トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ４及びＴｒ６〜Ｔｒ９とを備え、周辺トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ４及びＴｒ６〜Ｔｒ９に所定の電圧を印加して解析対象のトランジスタＴｒ５の周囲に熱伝導方程式の断熱境界条件を成立させるようにした。例文帳に追加

The semiconductor device comprises a transistor Tr5 to be analyzed, and peripheral transistors Tr1-Tr4 and Tr6-Tr9, which are arranged as mirror images of the transistor to be analyzed, wherein thermal insulation boundary conditions of heat conduction equation are established around the transistor Tr5 to be analyzed by applying a predetermined voltage to the peripheral transistors Tr1-Tr4 and Tr6-Tr9. - 特許庁

情報処理装置におけるヘテロ界面を含む半導体デバイスのシミュレーション方法であり、ヘテロ界面近傍において、当該ヘテロ界面に垂直な方向のキャリア電流密度を、ドリフト拡散方程式に基づいて表されるキャリア電流密度と熱電子放出条件又は熱電子・電界放出条件に基づいて表されるキャリア電流密度とを加重平均したものとして演算する（Ｓ０４，Ｓ０５）。例文帳に追加

In a simulation method of a semiconductor device containing a hetero interface in an information processing apparatus, a carrier current density in a vertical direction to the hetero interface in the vicinity of the hetero interface is calculated by weight-averaging a carrier current density represented based on a drift diffusion equation and a carrier current density represented based on a thermoelectronic emission condition or a thermoelectronic/field emission condition (S04, S05). - 特許庁

レーザビームの中心位置、分布、及びエネルギ密度、並びにレーザビームを多重照射する際の重複率を含む基本パラメータのみならず、中心位置、及びエネルギ密度を含むゆらぎ成分に基づいてシリコン膜に関する熱伝導方程式を解いて、対象物中における結晶の成長を統計的に計算する。例文帳に追加

A thermal conduction equation regarding a silicon film is solve on the basis of not only basic parameter including a central position, disctribution and energy density of a laser beam and overlapping ratio when multiplex laser beam irradiation is performed, but also fluctuation components including the center position and energy density, and growth of crystals in the object is statistically calculated. - 特許庁