はいえんそうきゅうきんの英語

反応炉内に供給された原料ガスは、加熱されたＧａＡｓ基板１付近で熱分解され、基板１上にＡｌＧａＡｓ層２が成長する。例文帳に追加

Material gas supplied into a reactor is decomposed thermally near a heated GaAs substrate 1, and an AlGaAs layer 2 grows on the substrate 1. - 特許庁

ＴｉＡｌＮ単層膜は高温耐久性及びガラスの離型性に優れるので、金型の高温耐久性及びガラスの離型性が向上する。例文帳に追加

Since the single layer film composed of TiAlN has excellent high temperature durability and mold-releasing performance, the mold for forming glass is improved in these characteristics. - 特許庁

ＩｎＧａＮ層４の近傍の傾斜層５では、Ｉｎの組成比がゆっくりと変化するのに対し、ＩｎＧａＮ層６ａの近傍の傾斜層５では、Ｉｎの組成比が急激に変化するように、傾斜層５が構成されている。例文帳に追加

The inclined layer 5 is configured to slowly change the composition ratio of indium in the inclined layer 5 near the InGaN layer 4, and to rapidly change the composition ratio of indium, in the inclined layer 5 near the InGaN layer 6a. - 特許庁

基板４１上に、ＡｌＮ層４７、第１ＡｌＧａＮ層４８（平均Ａｌ組成５０％）および第２ＡｌＧａＮ層４９（平均Ａｌ組成２０％）からなるバッファ層４４を形成する。例文帳に追加

A buffer layer 44 composed of an AlN layer 47, a first AlGaN layer 48 (the average Al composition is 50%), and a second AlGaN layer 49 (the average Al composition is 20%) is formed on a substrate 41. - 特許庁

ＩＳＤＮ網を用いた緊急呼発信の送出方法およびボタン電話装置例文帳に追加

METHOD FOR TRANSMITTING EMERGENCY CALL ON ISDN NETWORK AND KEY TELEPHONE - 特許庁

緊急警報放送が行われる際には、ＡＭ／ＦＭ放送が選局されていても、緊急警報信号検出回路１５が緊急警報信号を検知し、切り替えスイッチ１４が緊急警報信号に切り変え、緊急警報放送が聴取できる状態にする。例文帳に追加

In emergency warning broadcasting, even while tuning for AM/FM broadcast, the emergency warning signal detecting circuit 15 detects an emergency warning signal and a changeover switch 14 switches to the emergency warning signal, thereby an emergency warning broadcast is turned to a viewing/listening enabled state. - 特許庁

Ａｌ合金層からなる第２メタル配線層１９及びランド部２１を形成する。例文帳に追加

A second metal wiring layer 19 that consists of the Al alloy layer and a land area 21 are formed. - 特許庁

光を吸収し電子−正孔対を生成する光吸収層と、少なくとも一つのショットキー接触型電極と、を有する金属−半導体−金属（Ｍｅｔａｌ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ：ＭＳＭ）型受光素子であって、光吸収層がＩｎＡｓ層又はＩｎＳｂ層を含む。例文帳に追加

The present invention relates to an MSM type light receiving element including a light absorption layer, that absorbs light and generates an electron-hole pair and at least one Schottky contact type electrode, wherein the light absorption layer includes an InAs layer or an InSb layer. - 特許庁