ふん囲気調節熱処理の英語

そして，被加熱体１０の加熱処理時では，気体の出し入れにより，加熱室２が処理室１に対して正圧となるように各室の雰囲気圧力を調節する。例文帳に追加

At the heat-treatment of the target to be heated 10, atmospheric pressures in individual chambers are adjusted by introducing and discharging gas so that the pressure inside the heating chamber 2 becomes positive relative to the pressure inside the treatment chamber 1. - 特許庁

薬品賦活活性炭を処理して表面酸化物量が調節された活性炭を製造する方法であって、前記処理として薬品賦活活性炭を空気雰囲気下、１５０℃〜９００℃で加熱処理することにより、得られる活性炭の表面酸化物量を０．１０〜０．８５ｍｅｑ／ｇにする。例文帳に追加

In the method for preparing the activated carbon having the controlled quantity of the surface oxide by treating chemical-activated carbon, the quantity of the surface oxide of the activated carbon obtained by heating the chemical-activated carbon under an air atmosphere at 150-900°C is controlled to 0.10-0.85 meq/g. - 特許庁

そして、次のステップＳ２の工程において、上記ウェーハを酸素含有ガス雰囲気中で等温熱処理しその後に急速降温を施すことによって、ウェーハのＤＺ層あるいはシリコンエピタキシャル層の表層部に固溶酸素の注入およびその濃度の調節を行う。例文帳に追加

Then, in the step of the next step S2, by applying isothermal annealing to the wafer in an oxygen-containing gas atmosphere then applying rapid heat reduction thereto, solid solution oxygen is injected to the surface layer part of the DZ (Denuded Zone) layer or silicon epitaxial layer of the wafer, and the concentration is adjusted. - 特許庁

雰囲気制御工程は、供給されるアンモニアの供給量を調節することにより熱処理炉内の未分解アンモニア濃度を制御する未分解アンモニア濃度制御工程と、一酸化炭素および二酸化炭素の少なくともいずれか一方の分圧を制御する分圧制御工程とを含んでいる。例文帳に追加

The atmosphere control step includes an undecomposed ammonium concentration control step of controlling the concentration of undecomposed ammonium in a heat treatment furnace by adjusting the feed amount of ammonium to be fed, and a partial pressure control step of controlling at least any one partial pressure of carbon monoxide and carbon dioxide. - 特許庁

絶縁基板１０１上にアモルファスシリコン膜１０２を形成し、結晶化を助長する金属元素（ニッケル）１０３をアモルファスシリコン膜１０２に添加した後、処理室雰囲気の酸素濃度が１０００ｐｐｍ以下となるように調節された非酸化性ガス中で結晶化加熱処理を行なう。例文帳に追加

The amorphous silicon film 102 is formed on an insulating substrate 101, the metal element 103 (nickel) that promotes the crystallization is added to the amorphous silicon film 102, and then the crystallization heating process is carried out in non-oxidation gas that is adjusted to have an oxygen concentration of a process chamber atmosphere of 1000 ppm or below. - 特許庁