むさんそけっしょうの英語

厚膜抵抗構造体中には、カルシウムと珪素を含む酸化化合物の結晶が析出している。例文帳に追加

Crystal of an oxide compound containing calcium and silicon is deposited in the thick-film resistor structure. - 特許庁

裏面に基板保護層を有し、表面に半導体材料を結晶成長させるガリウム酸化物基板と、前記ガリウム酸化物基板上に結晶成長させて形成した発光素子部とを有する発光素子とする。例文帳に追加

The light emitting element has a substrate protection layer on a rear face, the gallium oxide substrate where a semiconductor material is crystal-grown, and a light emitting element formed by crystal-growing it on the gallium oxide substrate on a surface. - 特許庁

バナジウム酸ガドリニウム単結晶は、出発原料としてＧｄ_２Ｏ_３、Ｖ_２Ｏ_５、Ｍ_２Ｏ_３（但し、ＭはＣｒ及び希土類元素の内の少なくとも一種を示す）を用い、ＦＺ法による単結晶育成で形成されたバナジウム酸ガドリニウム（ＧｄＶＯ_４ ）単結晶である。例文帳に追加

The gadolinium vanadate (GdVO_4) single crystal is formed by a single crystal growth process based on an FZ method using Gd_2O_3, V_2O_5 and M_2O_3 (wherein, M is at least one kind of Cr and rare earth elements) as starting raw materials. - 特許庁

結晶質アルミニウム酸化物層のエネルギーバンドギャップを高める方法及びエネルギーバンドギャップの高い結晶質アルミニウム酸化物層を備える電荷トラップメモリ素子の製造方法例文帳に追加

METHOD OF RAISING ENERGY BAND GAP OF CRYSTALLINE ALUMINUM OXIDE LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING CHARGE TRAP MEMORY DEVICE PROVIDED WITH CRYSTALLINE ALUMINUM OXIDE HAVING HIGH ENERGY BAND GAP - 特許庁

結晶質アルミニウム酸化物層のエネルギーバンドギャップを高める方法及びエネルギーバンドギャップの高い結晶質アルミニウム酸化物層を備える電荷トラップメモリ素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of raising the energy band gap of a crystalline aluminum oxide layer, and a method of manufacturing a charge trap memory device provided with a crystalline aluminum oxide layer having a high energy band gap. - 特許庁

単斜晶系の単結晶構造から成る、新規なゲルマニウム酸インジウムサブミクロンチューブ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an indium germanate submicron tube which is composed of a single crystal of a monoclinic system and its manufacturing method. - 特許庁

缶蓋に成形されるときに、外面側に位置するフィルム３０の基材層３１の結晶化度を、内面側に位置するフィルム３０の結晶化度よりも低くなるように設定する。例文帳に追加

The laminate material is molded into the can lid in such a state that the crystallinity of the substrate layer 31 of a film 30 positioned on an outer surface side is made lower than that of the film 30 positioned on an inner surface side. - 特許庁

Ｓｉの基板と、基板上に結晶成長され、孤立した島状に形成されたＧｅ層と、Ｇｅ層の上に結晶成長され、Ｐを含む３−５族化合物半導体層からなるバッファ層と、バッファ層の上に結晶成長された機能層と、を備える半導体基板を提供する。例文帳に追加

A semiconductor substrate includes an Si substrate, a Ge layer crystal-grown on the substrate and having an isolated island shape, a buffer layer crystal-grown on the Ge layer and composed of a group 3-5 compound semiconductor layer including P, and a functional layer crystal-grown on the buffer layer. - 特許庁