アルミニウム格子の英語

格子４０は、金属壁４１が正面アルミニウム板３０ａのｙ軸方向及びｚ軸方向に延びるように各々が配置されている。例文帳に追加

A grid 40 includes metal walls 41 each of which is disposed so as to extend in the y-axis direction and z-axis direction of the front face aluminum plate 30a. - 特許庁

あるいは、窒化アルミニウム質セラミックスの５００℃での体積抵抗率が１×１０^８Ω・ｃｍ以上であり，あるいは、窒化アルミニウムの格子定数のａ軸長が３．１１２オングストローム以上であり、ｃ軸長が４．９８０オングストローム以上である。例文帳に追加

Or volume resistivity of the aluminum nitride ceramics at 500°C is ≥1×10^8 Ω.cm, or lengths of a-axis and c-axis of lattice constant of the aluminum nitride are respectively ≥3.112 angstrom and ≥4.980 angstrom. - 特許庁

シリコン基板１１上に格子整合された銅−アルミニウム−ガリウム−インジウム−イオウ−セレン（ＣｕＡｌＧａＩｎＳＳｅ）系混晶または銅−アルミニウム−ガリウム−インジウム−亜鉛−イオウ−セレン（ＣｕＡｌＧａＩｎＺｎＳＳｅ）系混晶からなるカルコパイライト系化合物半導体からなる光電変換膜１３を有する。例文帳に追加

A solid-state imaging device includes, on a silicon substrate 11, the photoelectric conversion film 13 composed of a chalcopyrite-based compound semiconductor comprising: a lattice-matched copper-aluminum-gallium-indium-sulfur-selenium(CuAlGaInSSe)-based mixed crystal; or a copper-aluminum-gallium-indium-zinc-sulfur-selenium(CuAlGaInZnSSe)-based mixed crystal. - 特許庁

この後、マスター回折格子１２を真空蒸着室から取り出して大気中にさらし、第１アルミニウム薄膜２２の表面に酸化膜を形成させた後、再び真空蒸着室に戻し、膜厚が約２μｍの第２アルミニウム薄膜２４を形成する。例文帳に追加

Then the master diffraction grating 12 is taken out of a vacuum vapor-deposition chamber and exposed to the atmosphere to form an oxide film on a surface of the first aluminum thin film 22, and then the master diffraction grating 12 is put back in the vacuum vapor-deposition chamber again to form a second aluminum thin film 24 of about 2 μm in film thickness. - 特許庁

マスター回折格子１０の格子面にフッ素系表面処理剤を塗布して離型剤層１３を設け、その後にアルミニウムを真空蒸着して薄膜２３を形成する（ｃ）。例文帳に追加

A fluorine-based surface treating agent is applied on the grating face of a master grating 10 to form a release agent layer 13, which is then subjected to vacuum vapor deposition of aluminum to form a thin film 23 (c). - 特許庁

窒化ガリウム（GaN）層と、いろいろなＡｌ組成を持つ窒化アルミニウム・ガリウム（AlGaN）層の交互層を有し、ベース層（２８）の中に傾斜超格子構造を形成しているHBT（２０）が含まれる。例文帳に追加

The alternate layers of a gallium nitride(GaN) layer and an aluminum/gallium nitride(AlGaN) layer having various Al compositions are provided, and an HBT (20) where an inclined superlattice structure is formed in a base layer (28) is included. - 特許庁

ｐ型超格子キャップ層２０は、窒化ガリウム（ＧａＮ）からなる第１層２０ａと該第１層２０ａの上に形成された窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）からなる第２層２０ｂとが４周期分積層されて構成されている。例文帳に追加

The p-type superlattice cap layer 20 is constituted by laminating a first gallium nitride (GaN) layer 20a and a second aluminum gallium nitride (AlGaN) layer 20b formed on the first layer 20a by a four-period amount. - 特許庁

接着剤２２が硬化した後に油膜１３を境に両者を剥離させると、アルミニウム薄膜２３がレプリカ基板２１に反転転写され、レプリカ回折格子２０が完成する。例文帳に追加

When both are exfoliated from each other with the oil film 13 as a border after the adhesive 22 is hardened, the aluminum thin film 23 is reversely transferred onto the replica substrate 21 and the replica diffraction grating 20 is completed. - 特許庁