イオン後方散乱の英語

試料１１に電子ビーム１ａを照射するための電子ビーム鏡筒１と、試料１１を支持する試料台３と、試料１１から放出される後方散乱電子を検出するための散乱電子検出器６と、試料１１に集束イオンビーム２ｂを照射するための集束イオンビーム鏡筒２とを有する電子顕微鏡を提供する。例文帳に追加

An electron microscope has: an electron beam lens-barrel 1 in order to irradiate an electron beam 1a to a sample 11; a sample stage 3 to support the sample 11; a scattered electron detector 6 in order to detect backscattered electrons discharged from the sample 11; and a focused ion beam lens-barrel 2 in order to irradiate the sample 11 with a focused ion beam 2b. - 特許庁

この時の標準試料及び被分析試料へのイオン照射量のずれによる定量誤差を、検出器(DA)によって検出されるイオン照射時の後方散乱スペクトル収量の標準試料と被分析試料との比を用いて補正する。例文帳に追加

In this case, the quantitative determination error due to the deviation of the ion irradiating content to the standard sample and the sample to be analyzed is corrected by using a ratio of the standard sample to the sample to be analyzed of a back scattering spectral yield at the time of irradiating with the ion to be detected by the detector (DA). - 特許庁

物体Ｗ上の少なくともマークが形成された領域に向けてイオンＢ１を照射する照射器７と、イオンＢ１の照射で発生した後方散乱イオンＢ２のエネルギ情報を検出する検出器８と、検出したエネルギ情報に基づいてマークの位置情報を演算する演算器９とを備える。例文帳に追加

The position detecting device comprises an irradiating device 7 for irradiating ions B1 to the region where at least a mark is formed on the object W, a detector 8 for detecting energy information of a backscattered ions B2 generated by the irradiation of the ions B1, and a computing unit 9 for computing the positional information of the mark on the basis of the energy information detected. - 特許庁

走査型電子顕微鏡装置と集束イオンビーム装置との共用試料ホルダーは、電子線後方散乱パターン計測機能を有した走査型電子顕微鏡装置と、マイクロサンプリング機能を装備した集束イオンビーム装置とに装着可能で、試料の載せ替え作業をせずに結晶方位解析とマイクロサンプリング加工が可能であることを特徴とする。例文帳に追加

The common sample holder for a scanning electron microscope device and a focused ion beam device is set mountable on a scanning electron microscope device with an electron beam backscatter pattern measurement function and on a focused-ion beam device with a microsampling function, and enables a crystal orientation analysis and microsampling, without having to remount a sample. - 特許庁

また、霧化室１３内からイオンを引き込んで質量分析部４０へと送るイオン輸送管１７よりも後方に蒸発管５２の入口開口を設け、蒸発管５２に形成した光入射窓５３と光出射窓５４の外側にＥＬＳＤ４のレーザ光源部５０と光散乱検出部５６とを配置する。例文帳に追加

An inlet of an evaporation pipe 52 is provided behind an ion transport pipe 17 which attracts ions from an atomizing chamber 13 and feeds them to a mass spectrometer 40, and a laser beam source part 50 and a light scattering detection unit 56 of an ELSD 4 are disposed outside a light incoming window 53 and a light outgoing window 54 formed in the evaporation pipe 52. - 特許庁