エッチピット法の英語

適正な径のエッチピットを形成することにより、光学顕微鏡を用いて簡便にＩＩＩ族窒化物結晶の転位密度の評価ができる方法を提案する。例文帳に追加

To provide a method of evaluating the dislocation density of a group III nitride crystal in a simple and convenient manner using an optical microscope by forming etch pits having a suitable diameter. - 特許庁

選択エッチングによりＯＳＦのエッチピットのみを検出し、ＯＳＦを正確に判別することができるシリコンウェーハの結晶欠陥評価方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for evaluating a crystal defect of a silicon wafer, by which only an etch pit of an OSF (Oxidation-induced Stacking Fault) is detected by selective etching and an OSF can be accurately determined. - 特許庁

ＳｉＧｅ層の形成方法及びこれを用いた歪みＳｉ層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法、並びに半導体ウェーハ及びこれを用いた歪みＳｉウェーハと電界効果型トランジスタにおいて、ＳｉＧｅ層のエッチピット密度を低減すること。例文帳に追加

To decrease an etch bit density in an SiGe layer in a method for forming a SiGe layer, a method for forming a distorted Si layer using the same, a method for manufacturing a field-effect transistor, a semiconductor wafer, a distorted Si wafer using the same, and a field-effect transistor. - 特許庁

シリコンウエーハのＮｉ汚染を評価する方法であって、前記シリコンウエーハを劈開し、該劈開したシリコンウエーハに熱処理を行った後、シリコンウエーハの劈開面に選択エッチングを行って浅いエッチピット（シャローピット）を形成し、該劈開面に形成された浅いエッチピットを観察することによってシリコンウエーハのＮｉ汚染を評価することを特徴とするシリコンウエーハのＮｉ汚染の評価方法。例文帳に追加

In the method for evaluating the Ni contamination in the silicon wafer, the silicon wafer is cleaved, the cleaved silicon wafer is heat-treated, selection etching is made to the cleaved surface of the silicon wafer for forming a shallow etch pit (shallow pit), and the Ni contamination in the silicon wafer is evaluated by observing the shallow etch pit formed on the cleaved surface. - 特許庁

溶融ＫＯＨにＮａ_２Ｏ_２，ＢａＯ_２，ＮａＮＯ_３，ＫＮＯ_３の少なくとも１種を添加したエッチング液によりｎ型炭化珪素単結晶をエッチングし、形成されたエッチピットにより結晶の欠陥を検出することを特徴とする炭化珪素単結晶の欠陥検出方法。例文帳に追加

The method of detecting the defect of the silicon carbide single crystal is characterized in etching the n-type silicon carbide single crystal with an etchant prepared by adding at least one kind among Na_2O_2, BaO_2, NaNO_3, and KNO_3 to molten KOH, and detecting the defect of the crystal from a formed etch pit. - 特許庁