エッチレートの英語

本発明の微細加工処理剤は、フッ化水素と、少なくとも２成分からなり、各成分のアクセプター数が３５以下、比誘電率が４０以下の溶媒とを含み、高誘電率膜に対する２５℃でのエッチレートがシリコン酸化膜に対する２５℃でのエッチレートの２倍以上であることを特徴とする。例文帳に追加

The microfabrication processing agent consisting of hydrogen fluoride, at least two components, and a solvent with acceptor number of each component of 35 or less and specific inductive capacity of 40 or less, and etching rate to the high permittivity film at 25°C twice or more than that to the silicone oxide film at 25°C. - 特許庁

石英基板１上に２層のホトレジスト膜２ａ，２ｂを形成し、エッチレートが大きく異なるドライエッチング条件を用いることにより、大きなテーパ角の溝１０を形成する。例文帳に追加

Two photoresist films 2a, 2b are formed on a quartz substrate 1 and a groove 10 having a large taper angle is formed by using dry etching conditions vastly different from each other in etching rate. - 特許庁

そのドライエッチング処理におけるエッチング終点時間またはエッチレートを測定し、その値に応じて変更された条件でエッチング装置１のエージングを行う。例文帳に追加

An etching completion time or an etching rate is measured in the dry etching treatment to age the etching device 1 in a condition modified in response to the value. - 特許庁

該凹所の壁を画定する物質と相対的に該凹所を充填する物質のエッチレートの選択性が片持ち梁型ビームの自由端部の長さを正確に制御することを可能とさせる。例文帳に追加

The selectivity of the etch rates of the material within the cavity relative to the material defining the walls of the cavity permits accurate control of the length of a free end of the cantilevered beam. - 特許庁

広義の亜臨界状態かつ液体状態の水の，シリコン窒化膜に対するエッチレートが特に大きいことを利用して、窒化膜のみを選択的に除去する工程全般に利用することができる。例文帳に追加

This method can be used entirely for processes of removing nitride films only selectively by utilizing particularly large etch rate for the nitride film of water of a quasi-critical state, in a wide sense besides a liquid state. - 特許庁

沃素ガスをバルブ13を介して装置内に導入できるようにし、沃素ガス雰囲気下で、イオンビーム2の照射条件を加工領域の透過率が高く、エッチレートも低くくなる条件を選ぶ。例文帳に追加

The introduction of gaseous iodine into the device through a valve 13 is made possible, and the conditions under which the transmittance of a processing region is high, and an etching rate is low are selected for the irradiation conditions of an ion beam 2 under a gaseous iodine atmosphere. - 特許庁

高エッチレートを確保しつつＰＦＣガスの排出量を削減することができ、しかも生産性の高い半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device with high productivity by reducing the discharged amounts of per fluorocarbon(PFC) gas while maintaining high etching rate. - 特許庁

塗布絶縁膜と、当該塗布型絶縁膜とエッチレートを異にする膜との積層を、従来よりも短時間かつ安価に行うことができる半導体装置及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device for inexpensively performing lamination of an application insulating film and a film differing in the etching rate from the application insulating film in a short time, as compared with the conventional cases, and to provide its manufacturing method. - 特許庁