エミッタ接地電流増幅率の英語

ＨＢＴのエミッタ接地電流増幅率ｈ_ＦＥの経時変化、温度依存性、バラツキ等に依存するＲＦパワーモジュールの電気的特性を補償すること。例文帳に追加

To compensate the electrical characteristics of an RF power module that depends on the changes with time, temperature dependency, variation or the like of the grounded emitter current amplification factor h_FE of an HBT (heterojunction bipolar transistor). - 特許庁

トランジスタQ1,Q2のベース電圧が基準電圧Ｖ_refに等しくなるように動作し、トランジスタQ1,Q2のベースの入力インピーダンスは、トランジスタQ2のエミッタ接地電流増幅率と定電流源3-2の電流値を適切に設定することにより高くすることができる。例文帳に追加

An operation is performed so as to make the base voltage of the transistors Q1 and Q2 be equal to the reference voltage V_ref, and the input impedance of the base of the transistors Q1 and Q2 is increased by appropriately setting the emitter ground current amplification factor of the transistor Q2 and the current value of the constant current source 3-2. - 特許庁

そして、第１Ｎ型導電領域２をコレクタとし、第３Ｐ型導電領域１２、第４Ｐ型導電領域１３及び基板導電領域１をベースとし、第２Ｎ型導電領域３をエミッタとする第１のトランジスタのベース接地電流増幅率α_1を増大させる構成とした。例文帳に追加

In addition, it is constituted so that a common base current amplification factor α_1 of a first transistor, where a first N type conductive region 2 is a collector, and the third P type conductive region 12 and the fourth P type conductive region 13 and a substrate conductive region 1 are a base, and a second N type conductive region 3 is an emitter. - 特許庁

そして、第１Ｎ型導電領域２をコレクタとし、第２Ｐ型導電領域２５及び基板導電領域１をベースとし、第２Ｎ型導電領域１１，１２，１３，１４，１５，１６をエミッタとするトランジスタのベース接地電流増幅率α_1を増大させる構成とした。例文帳に追加

Thereafter, the amplification factor α_1 of the base grounding current of a transistor using the first N-type conductive region 2 as its collector, the second P-type conductive region 25 and the conductive region 1 of the substrate 100 as its base, and the second N-type conductive regions 11, 12, 13, 14, 15, and 16 as its emitter is increased. - 特許庁