エミッタ接合の英語

エミッタの２つの部分は、エミッタ−ベース接合部から任意の距離に配置された分離酸化物層１１２によって分離される。例文帳に追加

These two parts are isolated by an isolated oxide layer 112 arranged at an optional distance apart from an emitter base joint part. - 特許庁

こうして、エミッタ・ベース接合部の不純物プロファイルの最適化により、エミッタ・クラウディング効果を抑制する構成となっている。例文帳に追加

Thus, by the optimization of the impurity profile at the emitter-base joint, emitter crowding effect is suppressed. - 特許庁

エミッタ領域は、エミッタ−ベース間ＰＮ接合がベースカバー部５０Ｂの絶縁薄膜４０ｃの下面に終端するように形成する。例文帳に追加

The emitter region is formed such that an emitter/base pn junction terminates at the undersurface of the thin dielectric 40c of the base cover 50B. - 特許庁

改良型エミッタ−ベース接合を持つヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法例文帳に追加

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR HAVING IMPROVED EMITTER-BASE JUNCTION, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE TRANSISTOR - 特許庁

エミッタポリシリコン電極からの不純物拡散によってエミッタ拡散層を形成するバイポーラトランジスタの製造方法において、エミッタベースの浅接合を実現した状態でトランジスタの寄生抵抗を低減させる。例文帳に追加

To reduce a transistor in parasitic resistance in a state of realizing shallow junction of an emitter base, in a method of manufacturing a bipolar transistor whose emitter diffusion layer is formed by diffusing impurities from an emitter polysilicon electrode. - 特許庁

バイポーラトランジスタにおいて、エミッタ電極引き出し配線層９をエミッタ領域５と、エミッタ領域５とベース領域３との接合近傍での空乏層領域２１を完全に覆うような形状とする。例文帳に追加

In the bipolar transistor, an emitter electrode lead layer 9 is formed into such a shape as to completely cover the emitter region 5 and a depletion region 21 near the junction between the emitter region 5 and the base region 3. - 特許庁

半導体装置１において、化合物半導体素子２のヘテロ接合バイポーラトランジスタ２０のエミッタ領域２６上にエミッタ電極３１が配設され、エミッタ電極３１には層間絶縁膜４０の開口部４１Ａを通してエミッタ主電極端子４２Ａが接続されている。例文帳に追加

In the semiconductor device 1, an emitter electrode 31 is arranged on an emitter region 26 of a heterojunction bipolar transistor 20 of a compound semiconductor element 2, and an emitter main electrode terminal 42A is connected to the emitter electrode 31 through an opening 41A of an interlayer dielectric 40. - 特許庁

本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタ１は、コレクタ層２、ベース層３、エミッタ層４及びエミッタキャップ層５を積層し、エミッタキャップ層５のメサ７端部にほぼ一致する断面Ｔ字型のエミッタ電極１２ｂを有することを特徴とする。例文帳に追加

The heterojunction bipolar transistor 1 comprises a multilayer of a collector layer 2, a base layer 3, an emitter layer 4 and an emitter cap layer 5, and an emitter electrode 12b having a T-shaped cross-section substantially aligned with the end of a mesa 7 of the emitter cap layer 5. - 特許庁