ゲート側の英語

ゲート構造（１４）は、ゲート誘電体２４上にゲート電極（２２）と、ゲート（２２）の面に沿った側壁２６を有する。例文帳に追加

The gate structure (14) comprises a gate electrode (22) on a gate dielectric (24) and a sidewall (26) along the side face of the gate electrode (22). - 特許庁

コルゲートフィン６は風上側コルゲートフィン６Ｕと風下側コルゲートフィン６Ｄに区分され、風下側コルゲートフィン６Ｄの熱交換能力は風上側コルゲートフィン６Ｕの熱交換能力よりも大とされている。例文帳に追加

The corrugated fins 6 are divided into windward-side corrugated fins 6U and leeward-side corrugated fins 6D, and a heat exchanging capacity of the leeward-side corrugated fins 6D is higher than that of the windward-side corrugated fins 6U. - 特許庁

ゲート電極１１８の側壁に、ゲート電極側壁絶縁膜１１９を介してゲート電極側壁導電膜１２０が形成される。例文帳に追加

A gate electrode sidewall conductive film 120 is formed on the sidewall of a gate electrode 118 through a gate electrode sidewall insulating film 119. - 特許庁

バルブケーシング25のゲート側及び反ゲート側を、固定型１の組み込み孔23，22に嵌合する。例文帳に追加

The gate side and anti-gate side of the valve casing 25 are fitted in the insertion holes 23 and 22 of a fixed mold 1. - 特許庁

バルブケーシングのゲート側及び反ゲート側における材料通路の断熱性を向上する。例文帳に追加

To enhance the heat insulating properties of a material passage on the gate side and anti-gate side of a valve casing. - 特許庁

上側ゲート（３）の底部は、下側ゲート（４）の頂部に分離可能な様態で接続可能である。例文帳に追加

A bottom part of the upper gate (3) is connectable to an apex part of the lower gate (4) in the separable form. - 特許庁

選択ゲート電極Ｇ１の側面には、ゲート分離絶縁膜２１を介して制御ゲート電極Ｇ３ａ，Ｇ３ｂが側壁状に形成されている。例文帳に追加

On a side surface of the selective gate electrode G1, control gate electrodes G3a, G3b are formed in the shape of sidewall via a gate separation insulating film 21. - 特許庁

フローティングゲート電極の側面、及びフローティングゲート電極の両側の半導体基板表面をゲート絶縁膜が覆う。例文帳に追加

The flank of the floating gate electrode and the surface of the semiconductor substrate on both sides of the floating gate electrode are covered with a gate insulating film. - 特許庁