極浅接合の英語

極浅接合の深さが精密制御された半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which the depth of extremely shallow junction is controlled precisely, and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁

極浅接合の形成に際し、多数のレーザ光源を用いることなく、イオンが打ち込まれた部分の結晶性を回復し且つ接合深さを浅くするのに必要十分なアニール時間を得る。例文帳に追加

To obtain the annealing time sufficient for recovering crystallinity of a part where ions are implanted and reducing the junction depth, without having to use many laser light sources, when forming a very shallow junction. - 特許庁

ドーパントの過渡的増速拡散を、実質的に排除した、極浅い接合を有するＣＭＯＳデバイスを作製する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a CMOS device that substantially eliminates increased transient speed diffusion in a dopant, and has an extremely shallow junction. - 特許庁

接合深さに起因する特性のバラツキを抑制可能な、極浅不純物拡散領域を有する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of restricting variations of characteristics caused by a junction depth and having an extremely shallow impurity diffusion region. - 特許庁

ＭＯＳＦＥＴにショットキー接合を内蔵させるときに、ショットキー接合はＭＯＳＦＥＴのｐボディ領域６とゲート電極１０と隔てられた場所に配置し、ショットキー接合の端部をｐ型の浅い接合によって囲まれるようにする。例文帳に追加

When incorporating a Schottky junction into a MOSFET, the Schottky junction is positioned at a place distant from a p-body region 6 and a gate electrode 10 of the MOSFET so that the ends of the Schottky junction are surrounded by p-type shallow junctions. - 特許庁

ゲート電極の空乏化や、ゲート絶縁膜の信頼性低下を招くことなく、極浅い接合を有する不純物拡散層を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can form an impurity diffusion layer having an ultra-shallow junction without causing the depletion of a gate electrode and deterioration in the reliability of a gate insulating film. - 特許庁

極性によって最適な結晶面にそれぞれのチャネル面を形成し、浅いソース・ドレイン接合位置を保ちつつソース・ドレイン電極上部がシリサイド化されたＭＯＳ型半導体装置において、接合リークを低く抑えて素子動作の高速化をはかる。例文帳に追加

To achieve speed-up of element performance by reducing junction leak in a MOS semiconductor device whose upper portion of a source-drain electrode is formed into silicide, while forming each channel surface in the optimal crystal face according to the polarity and maintaining a shallow source-drain junction position. - 特許庁

パルス波形を最適化したレーザパルスを半導体基板表面に照射することにより、結晶欠陥のなく電気的に活性な層である低抵抗の極浅接合を得る。例文帳に追加

To provide ultra shallow junction having a low resistance, which is an electrically active layer, without crystal defects by having a semiconductor substrate surface irradiated with a laser pulse obtained by optimizing the pulse waveform. - 特許庁