ショットキダイオードの英語

ショットキダイオード１１で窒化ガリウム支持基体１３は、第１の面１３ａと第１の面の反対側の第２の面１３ｂとを有しており、１×１０^１８ｃｍ^−３を超えるキャリア濃度を示す。例文帳に追加

A gallium nitride support substrate 13 in a Schottky diode 11 has a first surface 13a and a second surface 13b on the opposite side, and indicates the carrier concentration of 1×10^18 cm^-3. - 特許庁

パワートランジスタにおいて、誘電結合部における低減によりスイッチング電力損失が低減させられ、ショットキダイオードにおいてトレンチ幅が低減させられ得る。例文帳に追加

In power transistors, the reduction in dielectric coupling reduces switching power losses, and in Schottky diodes, the trench width is reduced. - 特許庁

ショットキダイオードは、半導体基板１０と、この半導体基板１０にショットキ接触するショットキ金属層１５と、ショットキ金属層１５上に形成されたボンディングメタル層１６とを含む。例文帳に追加

A Schottky diode includes a semiconductor substrate 10, a Schottky metal layer 15 in Schottky-contact with the semiconductor substrate 10, and a bonding metal layer 16 formed on the Schottky metal layer 15. - 特許庁

ショットキダイオード１１で窒化ガリウム支持基体１３は、第１の面１３ａと第１の面の反対側の第２の面１３ｂとを有しており、１×１０^１８ｃｍ^−３を超えるキャリア濃度を示す。例文帳に追加

In a Schottky diode 11, a gallium nitride support base 13 includes a first surface 13a and a second surface 13b opposite from the first surface and has a carrier concentration exceeding 1×10^18 cm^-3. - 特許庁

ショットキダイオード１１で炭化ケイ素支持基体１３は、第１の面１３ａと第１の面の反対側の第２の面１３ｂとを有しており、１×１０^１８ｃｍ^−３を超えるキャリア濃度を示す。例文帳に追加

In the Schottky diode 11 of the semiconductor element, a silicon-carbide supporting substrate 13 having a first surface 13a and a second surface 13b opposed to the layer 13a exhibits a carrier concentration exceeding 1×10^18 cm^-3. - 特許庁

スイッチング装置（１０）は、逆方向電流を阻止するショットキダイオードＤ３を内蔵する主IGFET（１１）と、保護スイッチ手段（１２）と、保護スイッチ制御手段（１３）とを有する。例文帳に追加

The switching device (10) includes: a main IGFET (11) incorporating a Schottky diode D3 for blocking a reverse current; a protecting switch means (12); and a protecting switch control means (13). - 特許庁

トレンチ型電界効果パワートランジスタ及びトレンチ型ショットキダイオードのような、トレンチ２０において絶縁トレンチ電極１１を含む半導体デバイスにおいて、トレンチ２０の底部２７において本体部分１４とトレンチ電極１１との間の誘電結合部を低減させるために、トレンチ２０の底部２７とトレンチ電極１１の底部２５との間にキャビティ２３がもたらされる。例文帳に追加

Semiconductor devices include an insulated trench electrode 11 in a trench 20, for example, trench-gate field effect power transistors and trenched Schottky diodes, a cavity 23 is provided between the bottom 25 of the trench electrode 11 and the bottom 27 of the trench 20 to reduce the dielectric coupling between the trench electrode 11 and the body portion 14 at the bottom 27 of the trench 20. - 特許庁