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ショット列の英語
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「ショット列」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 88件
第2ショットマップを決定するに際して、第2ショット領域1個分を単位とする第2ショットマップが取りうる全ての配列を求める。例文帳に追加
When the second shot map is determined, all arrays that the second shot map can cover in a unit of one area of the second shot areas are found out. - 特許庁
ショットキーバリアダイオードの直列接続回路及びそれに使用するショットキーバリアダイオード。例文帳に追加
SERIALLY-CONNECTED CIRCUIT FOR SCHOTTKY BARRIER DIODE, AND THE SCHOTTKY BARRIER DIODE THEREOF - 特許庁
基板上を、複数の第1ショット領域に分割して露光するための第1ショットマップを決定し、第1ショットマップ上の第1ショット領域の配列を全て覆うように、複数の第2ショット領域に分割して露光するための第2ショットマップを決定する。例文帳に追加
In this exposure method, a first shot map is determined to divide a substrate 7 into a plurality of first shot areas, and a second shot map is determined to divide the substrate 7 into a plurality of second shot areas in a manner that the entire array of the first shot areas on the first shot map may be covered. - 特許庁
直列型コイルドウエーブスプリングのショットピーニング処理方法例文帳に追加
SHOT PEENING PROCESSING METHOD FOR SERIES TYPE COILED WAVE SPRING - 特許庁
そして、以降の投影露光工程でもその配列に従って各ショット位置でパターンを使い分けつつアライメントし、1ショットづつ露光する。例文帳に追加
In the subsequent projection exposure process also, patterns are selectively aligned at each shot position, in accordance with the arrangement and then exposed shot by shot. - 特許庁
そして、順次、配列を推定したショットS1〜S32の各ショットと、マスクMのパターン像とを位置合わせし、基板Pを露光していく。例文帳に追加
Thereafter, a substrate P is exposed sequentially by aligning each of the estimated shots S1 to S32 with a pattern image of a mask M. - 特許庁
次いで、計測されたサンプルショットの座標位置に基づいてウエハ上の複数のショットの配列が決定される。例文帳に追加
Next, based on a coordinate position of the measured sample shot, the alignment of a plurality of shots on the wafer is determined. - 特許庁
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「ショット列」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 88件
また、各ショットのマーク特徴量を統計計算して「マーク特徴量のショット配列成分」を算出し、重ね合わせ検査の結果より更新した「各ショット配列成分の変換係数」を用いて、「ショット配列補正値のWIS予測量」を算出し、アライメント時のショット配列補正値を補正する。例文帳に追加
By calculating a "shot arrangement component of a mark feature quantity" by statistically calculating the mark feature quantities of respective shots, and using "conversion coefficients of the respective shot arrangement components" updated by the result of the superposition inspection, a "WIS predictive quantity of the shot arrangement correction value" is calculated, and a shot arrangement correction value in alignment is corrected. - 特許庁
対向する二列の端子列とアンダカットを含むコネクタを一回のショットで成形する。例文帳に追加
To form two opposing rows of terminals and a connector including undercut by one shot. - 特許庁
EGAの処理条件として、ショットS1〜S32からサンプルショットに指定するショットの数と、サンプルショットの配置と、基板アライメントマークPAMの変位モデルの算出に用いる回帰分析の次数とを、第1保持部26上面の温度分布に基づいて決定し、EGA処理を実行してショットS1〜S32の配列を推定する。例文帳に追加
By determining the number of shots for assigning sample shots from shots S1 to S32, an array of the sample shots, degree of regression analysis used for calculation of a displacement model about a substrate alignment mark PAM based on a temperature distribution on upper surface of a first holding section 26, and by executing EGA processing, the array of the shots S1 to S32 is estimated. - 特許庁
内部回路5とLCフィルタ3の間にショットキーバリアダイオード2を並列に接続する。例文帳に追加
A Schottky barrier diode 2 is connected in parallel between an internal circuit 5 and the LC filter 3. - 特許庁
例えば、ショット配列を算出するのに適した計測条件を自動的に決定する。例文帳に追加
To determine the measurement conditions suitable for calculating a shot arrangement automatically. - 特許庁
基板テーブルPTの第1保持部26上面の温度分布に基づいた条件で、ショットS1〜S32の配列を求めることで、基板PのショットS1〜S32の各ショットと、マスクMのパターン像とを高精度に位置合わせする位置合わせ方法を提供する。例文帳に追加
To provide an alignment method for precisely aligning each one of shots S1 to S32 a substrate P with a pattern image of a mask M by obtaining an array of the shots S1 to S32 based on the condition of a temperature distribution on upper surface of a first holding section 26 of a substrate table PT. - 特許庁
コントローラは、所定数のショット毎に該所定数のショット内における実績値から得られる統計値、例えば前記所定数のショット内における実績値の最大値、最小値を時系列グラフにて前記表示部に表示させる。例文帳に追加
The controller allows the display part to display a statistical value obtained from the actual result values in a predetermined number of shots at every predetermined number of shots, for example, the maximum and minimum values of the actual result values in a predetermined number of the shots by the time series graph. - 特許庁
そして、上記の外内ショットを各々露光するときには、上で決定されたショットの配列に基づいて該ショットのマスクRのパターン像との位置合わせが行われるとともに、座標位置の計測の際に検出された相対位置に基づいてウエハの面位置が調整される。例文帳に追加
Then, when each of the out-in shots is exposed, not only a mask R of the shot is aligned with a pattern image according to the determined alignment of the shots, but also a face position of the wafer is adjusted according to the relative position detected during the measurement of the coordinate position. - 特許庁
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