ゼロバイアスの英語

ボディ電位Vbody_nは、入力信号Ｖ__BODYINに応じて、ソース領域に対してボディ領域が逆バイアス、または、ゼロバイアスとなるように印加される。例文帳に追加

The body potential Vbody-n is applied to a source region so that the body region becomes reverse biased or zero biased according to an input signal VBODYIN. - 特許庁

フォトダイオード１０を有する感光装置において、フォトダイオードの応答の非直線部分が使用されないようにする「ファットゼロ」バイアスがフォトダイオードに注入される。例文帳に追加

In a photosensitive device having a photodiode 10, a 'fat zero' bias for preventing the nonlinear part of a response of the photodiode from being used is injected into a photodiode. - 特許庁

入力信号Ｖ_BODYINは、ＰＭＯＳトランジスタＭＰの待機時にはゼロバイアス、動作時には逆バイアスが、ボディ領域へ印加されるように入力される。例文帳に追加

The input signal VBODYIN is inputted, so that zero bias is applied to the body region stand-by by the PMOS transistor MP and reverse bias during operation. - 特許庁

ｐ型多結晶ＳｉＣ層１０９は仕事関数が相対的に大きいので、ゼロバイアス状態でもＭＩＳＨＦＥＴのチャネルが空乏化されて、ノーマリオフ動作が生じる。例文帳に追加

Since the p-type polycrystalline SiC layer 109 has a relatively large work function, the channel of the MISHFET is depleted even in a zero bias state, and the normally-off operation is generated. - 特許庁

出力の発振を抑制することができ、暗電流が気になるような小さい光電流の時にはゼロゼロバイアス回路として動作して、回路動作に異常をきたすような大きい光電流の時には出力電流を制限することのできる光検出回路を提供する。例文帳に追加

To provide a light detection circuit that can suppress the oscillation of output, can operate as a zero-bias circuit for a photocurrent in which a dark current is not negligible, and can limit an output current for a large photocurrent causing circuit operation malfunctions. - 特許庁

トレンチ構造３８の間隔は、ｐ−チャネル領域３６の不純物濃度に応じた間隔であり、かつ、トレンチ構造３８及びアノード電極４２にゼロバイアスを印加した状態でｐ−チャネル領域３６全体を空乏化するように設定される。例文帳に追加

The interval of the trench structure 38 corresponds to a concentration of impurity in the p-channel region 36, and the p-channel region 36 is entirely depleted while a zero bias is applied to the trench structure 38 and the anode electrode 42. - 特許庁

逆バイアスされる半導体光素子と順（又はゼロ）バイアスされる半導体光素子の活性層どうしを突合せ接合している光集積デバイスにおいて、大きな逆バイアス動作や超高速変調をしても、高速なデバイス動作速度を確保する。例文帳に追加

To ensure a device working speed at a high speed, even by a large reverse bias operation and an ultra-high speed modulation in an optical integrated device, in which the active layers of a reverse biased semiconductor optical element and the positive (or zero) biased semiconductor optical element are abutted and jointed mutually. - 特許庁