タンタル電極の英語

非線形素子１０ｘの下電極１３ｘおよびタンタル配線１３ｙを構成するにあたって、窒素含有の第１タンタル層１３１ｘおよび下層タンタル層１３１ｙの上層に、窒素を含有しない第２タンタル層１３２ｘおよび中間タンタル層１３２ｙを積層し、その上層に窒素含有の第３タンタル層１３３ｘおよび下層タンタル層１３３ｙを形成する。例文帳に追加

In configuring the lower electrode 13x of the non-linear element 10x and a tantalum wiring 13y thereof, a second tantalum layer 132x and an intermediate tantalum layer 132y which contain no nitrogen are laminated over a first tantalum layer 131x and a lower tantalum layer 131y which contain nitrogen, and a nitrogen-containing third tantalum layer 133x and a lower tantalum layer 133y are formed thereon. - 特許庁

簡易な方法で、所定の形状のタンタルの炭化物を形成することが可能であり、また、表面にタンタルの炭化物を被覆する場合であっても、均一な厚みのタンタルの炭化物を形成することができるとともに、熱履歴によっても剥離することのないタンタルの炭化物の製造方法及びその製造方法により得られるタンタルの炭化物並びにタンタルの炭化物配線及びタンタルの炭化物電極を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing tantalum carbide capable of easily forming a tantalum carbide having a required shape and a uniform thickness when tantalum carbide is used for coating the surface of an article, which is not peeled off by a thermal history, tantalum carbide obtained by the method, and wiring lines and electrodes of tantalum carbide. - 特許庁

上電極１６は、窒化タンタル（Ｔａ_2Ｎ）からなる第１の上電極用薄膜１７、および立方晶系構造のタンタルからなる第２の上電極用薄膜１８がこの順に積層されてなる。例文帳に追加

The upper electrode 16 has a first upper electrode thin film 17 of tantalum nitride (Ta_2N) and a second upper electrode thin film 18, comprising tantalum of cubic crystal structure stacked, in this order. - 特許庁

下部電極１１０、タンタル原子と配位結合する原子又は原子団を含むタンタル前駆体及びオゾンガスをソースガスとして前記下部電極上に化学気相蒸着したタンタル酸化膜１２０及び上部電極１３０を含んで構成される。例文帳に追加

The semiconductor capacitor includes an upper electrode 130, a lower electrode 110, a tantalum oxide film 120 formed on the lower electrode by chemical vapor deposition by using a source gas comprising ozone and a tantalum precursor containing atom or atomic group combined with tantalum by coordination bonding. - 特許庁

(a)チタンよりなる電極基体、(b)該電極基体表面に設けたチタンとタンタルとの合金層、(C)該合金層上に形成させた多孔性タンタル層、及び(d)該多孔性タンタル層に担持させた白金を含んで成ることを特徴とする電解用電極。例文帳に追加

The electrode for electrolysis comprises (a) a base substance consisting of titanium, (b) an alloy layer of titanium and tantalum provided on the base substance, (c) a porous tantalum layer formed on the alloy layer, and (d) platinum supported in the porous tantalum layer. - 特許庁

電気光学装置の製造方法において、タンタル膜６をパターニングし、非線形素子用下電極６１を備えた第１のタンタルパターン６ａと、データ線２、保持容量用下電極６２、および共通電極６３を備えた第２のタンタルパターン６ｂとを形成する。例文帳に追加

In the method for manufacturing the electrooptical device, a tantalum film 6 is patterned to form a first tantalum pattern 6a and a second tantalum pattern 6b having a data line 2, a lower electrode 62 for a holding capacitor, and a common electrode 63. - 特許庁

ゲート電極３は、少なくともゲート絶縁層２に接する領域に窒化タンタル層４を有する。例文帳に追加

The gate electrode 3 comprises a tantalum nitride layer 4 at least in a region contacting the gate insulating layer 2. - 特許庁

そして、このしきい値調整膜７上に、ケイ窒化タンタル膜よりなるゲート電極１１を形成する。例文帳に追加

A gate electrode 11 composed of the silicon nitride tantalic film is formed on the threshold value adjustment film 7. - 特許庁