ドライエッチング技術の英語

ナノインプリント技術に用いるモールドを高い精度で製造する方法と、このモールドの製造を簡便に行うことができるドライエッチング用のトレーとその製造方法、および、このトレーを用いたドライエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a mold used for a nano imprint technique with high accuracy, a tray for dry etching capable of conveniently manufacturing the mold, a method of manufacturing the same, and a dry etching method using the tray. - 特許庁

プラズマを利用したエッチング技術（ドライエッチング技術）を利用して、テーパ形状の孔を良好に形成し得る技術を提供することを一つの目的とする。例文帳に追加

To provide a technique capable of favorably forming a tapered hole by utilizing an etching technique (dry etching technique) that uses plasma. - 特許庁

微細加工技術で必要な金属材料の局所的エッチングを毒性、腐食性の低い反応ガスを用いた電子ビーム励起ドライエッチング技術を提供する。例文帳に追加

To provide an electron-beam excitation dry etching technique using a reaction gas having low toxicity and corrosiveness in the partial etching of a metallic material required in a fine machining technique. - 特許庁

フレネルレンズ、ホログラフィックディフューザは、化学的ウェットエッチング又はドライエッチング技術をリソグラフィー技術と共に用いて面上に形成できる。例文帳に追加

A Fresnel lens or a holographic diffuser may be formed on a surface by wet chemical etching or dry etching techniques in conjunction with a lithographic technique. - 特許庁

ドライエッチング技術およびウェットエッチング技術を用いて、中電圧トランジスタ形成領域ＭＶの熱酸化膜１４を選択的に除去してから、ゲート電極１７ｂの両側にイオン注入を行う。例文帳に追加

After a thermal oxide film 14 is selectively removed from an intermediate voltage transistor forming region MV through both a dry etching technique and a wet etching technique, ions are implanted into spots on the sides of a gate electrode 17b. - 特許庁

微細リソグラフィー技術やドライエッチング技術を用いることなく、光取り出し効率が高く且つ放射パターンが良好な半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor luminous element where light-extraction efficiency is high and a radiating pattern is excellent without using a microscopic lithography technology and a dry etching technology. - 特許庁

また、リソグラフィー技術とドライエッチング技術の併用により多モード干渉導波路部を含むレーザ共振器を寸法精度高く作製する手法も合わせて考案した。例文帳に追加

In addition, a method by which a laser resonator containing a multi-mode interference waveguide section can be manufactured with high dimensional accuracy by using both lithography and dry etching is also devised. - 特許庁

フォトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術を用い、絶縁膜１９および導電性膜４Ａの途中までは異方性エッチングによりパターニングを進める。例文帳に追加

By using photolithography technique and dry etching technology, patterning is performed by anisotropical etching of the insulating film 19 up to the middle of a conductive film 4A. - 特許庁