ドライエッチングプロセスの英語

エッチング耐性に優れ、ドライエッチングプロセスにおいて、下層膜パターンが折れ曲がり難く、レジストパターンを忠実に再現性よく被加工基板に転写することが可能なレジスト下層膜形成用組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a resist undercoat forming composition excellent in etching resistance and forming an undercoat pattern which hardly bends in a dry etching process and faithfully transfers a resist pattern to a workpiece substrate with good reproducibility. - 特許庁

このドライエッチングプロセスは、ホール３２１の側壁にのみアルミニウム膜１０３が残留し、導電層３２２を形成可能な条件下とする。例文帳に追加

The dry etching process can be executed under the condition that the aluminum film 103 remains on only the side wall of the hole 321, and a conductive layer 322 is able to be formed. - 特許庁

ウェットエッチングプロセスを、レーザを用いたドライエッチングプロセスにすることにより、フォトリソグラフィー工程を削減でき、高生産性を実現するディスプレイの製造方法を提案することを目的とする。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a display by which a photolithographic process is eliminated by changing a wet etching process to a dry etching process using laser and high productivity is realized. - 特許庁

本発明の目的は、中間層の凹凸パターン形成時のドライエッチングプロセスにおいて、必要部位のみを高精度に加工することができる、パターンドメディア型の磁気記録媒体の製造方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a patterned magnetic recording medium by which only a necessary part can be highly accurately machined in a dry etching process when forming a rugged pattern of an interlayer. - 特許庁

ドライエッチングプロセス等の除去プロセスにおいて除去量のばらつきを減少することができる半導体装置の製造方法及びその方法を実現する半導体製造システムを提供する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a semiconductor device which reduces the variety of a removing amount in removing process such as dry etching process or the like, and to provide a semiconductor manufacturing system for realizing the method. - 特許庁

ミクロンからナノメータースケールの微細開口を有するマスクをもとに、基板上に形成された有機物薄膜をドライエッチングプロセスまたは真空紫外光照射により直接パターニングを行なうことを特徴とする有機薄膜の製造方法とそれによる有機薄膜。例文帳に追加

In the method, patterning is directly applied to the organic thin film formed on a substrate, based on a mask having micro apertures with a scale of micron to nanometer by a dry etching process or vacuum ultraviolet radiation. - 特許庁

エッチング耐性に優れ、ドライエッチングプロセスにおいて折れ曲がり難く、レジストパターンを忠実に再現性よく被加工基板に転写することが可能な下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成用組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a composition for forming a resist lower-layer film, by which a lower-layer film can be formed, wherein the lower-layer film is excellent in etching resistance, is less likely to be bent when subjected to dry-etching process, and can transfer a resist pattern precisely with good reproducibility to a substrate to be processed. - 特許庁

ホール３２１が形成された層間絶縁膜１０１の上に、スパッタリングにてアルミニウム膜１０３を形成し、ビット線１３ｂの形成部位にレジストパターン１０４を形成した後、ドライエッチングプロセスを用いて異方性エッチングを行う。例文帳に追加

An anisotropic etching is executed by employing a dry etching process after forming an aluminum film 103 by means of spattering on the layer insulating film 101 on which the hole 321 is formed, and forming a resist pattern 104 at a part at which a bit wire 13b is formed. - 特許庁