dry etching techniqueとは 意味・読み方・使い方

By using photolithography technique and dry etching technology, patterning is performed by anisotropical etching of the insulating film 19 up to the middle of a conductive film 4A.例文帳に追加

フォトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術を用い、絶縁膜１９および導電性膜４Ａの途中までは異方性エッチングによりパターニングを進める。 - 特許庁

To provide a technique capable of stably detecting an etching endpoint even when a pattern occupation rate of an etching target is fine in dry etching in contact hole processing or the like.例文帳に追加

コンタクトのホール加工等におけるドライエッチングにおいて、エッチング対象のパターン占有率が微小であっても、エッチング終点を安定して検出することができる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a technique capable of performing highly uniform etching to a substrate when a treatment gas is changed into plasma to perform dry etching to a film to be etched.例文帳に追加

処理ガスをプラズマ化して基板上の被エッチング膜をドライエッチングするにあたり、基板に対して均一性高くエッチング処理を行うことができる技術を提供すること。 - 特許庁

After a thermal oxide film 14 is selectively removed from an intermediate voltage transistor forming region MV through both a dry etching technique and a wet etching technique, ions are implanted into spots on the sides of a gate electrode 17b.例文帳に追加

ドライエッチング技術およびウェットエッチング技術を用いて、中電圧トランジスタ形成領域ＭＶの熱酸化膜１４を選択的に除去してから、ゲート電極１７ｂの両側にイオン注入を行う。 - 特許庁

After that, a resistance element is patterned by dry etching treatment, a cover insulating film 4 is formed, and a contact is opened by a similar technique.例文帳に追加

その後、ドライエッチング処理により抵抗素子をパターニングし、カバー絶縁膜４を成膜し前述同様の手法にてコンタクトを開口する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a mold used for a nano imprint technique with high accuracy, a tray for dry etching capable of conveniently manufacturing the mold, a method of manufacturing the same, and a dry etching method using the tray.例文帳に追加

ナノインプリント技術に用いるモールドを高い精度で製造する方法と、このモールドの製造を簡便に行うことができるドライエッチング用のトレーとその製造方法、および、このトレーを用いたドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

By working on a wiring layer including wiring 14 constituted into multiple layers through the use of, for example, a photolithography technique and dry-etching technique, a protein adsorbing hole 7 is formed.例文帳に追加

多層に構成された配線１４を含む配線層を、たとえばフォトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術を用いて加工することにより、タンパク質吸着孔７を形成する。 - 特許庁

Etching is successively performed to the stopper film 2 and the pattern oxidized film 3 by a lithography technique and a dry etching technique, a trench is etched with resist 1 or the stopper film 2 as a mask and the trench of a depth H Åis formed.例文帳に追加

リソグラフィ技術及びドライエッチ技術によってストッパ膜２及びパターン酸化膜３に対して順次エッチングを行い、レジスト１またはストッパ膜２をマスクとしてトレンチのエッチングを行い、深さＨÅのトレンチを形成する。 - 特許庁