ハイメサの英語

エッチングプロセスにより第１のｎ−ＧａＮ電極層３０３に至るまでエッチングを行い、ハイメサ導波路構造の光導波路３２０を作製している。例文帳に追加

Etching is performed by an etching process up to the first n-GaN electrode layer 303 to create an optical waveguide 320 of a deep ridge waveguide structure. - 特許庁

ハイメサ型導波路における基本モードの曲げ伝播損失が抑制された光集積素子および光集積素子の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an optical integrated element which is suppressed in bending propagation loss of a high mesa waveguide in basic mode, and a manufacturing method of the optical integrated element. - 特許庁

埋込導波路の両側に、埋込層を選択成長させる際に、マスクで覆っているハイメサ導波路領域に向かって被り成長が生じる。例文帳に追加

To solve the problem in which, in selectively growing an imbedding layer on both sides of an imbedded waveguide, an excess growth is caused towards a high-mesa waveguide region covered with a mask. - 特許庁

さらに、基板の上に、コアの両側に、第１の媒質よりも屈折率の小さな第２の媒質が配置されているハイメサ導波路が形成されている。例文帳に追加

Further, on the substrate, a high-mesa waveguide is formed in which, on both sides of the core, a second medium is arranged having a smaller refractive index than the first medium. - 特許庁

リッジ型導波路とハイメサ型導波路とを同一基板上に有する半導体光集積素子において、導波路の境界で発生する光の反射を低減させる。例文帳に追加

To reduce the reflection of light at the boundary between a ridge-type waveguide and a high-mesa-type waveguide that are formed on the same substrate of a semiconductor optical integrated element. - 特許庁

埋込導波路とハイメサ導波路との接続箇所にテーパ構造を導入する場合、テーパ構造の形成時に、既に形成されている導波路に対して高い位置合わせ精度が要求される。例文帳に追加

To solve the problem wherein, when a taper structure is introduced in a connection place between an embedded waveguide and a high-mesa waveguide, high alignment precision is required for a waveguide already formed, when the taper structure is formed. - 特許庁

ハイメサ導波路構造と埋め込み導波路構造を接続することによって、ＬＤ／ＳＷ／Ｇａｔｅ／ＡＭＰ／導波路型ＰＤなどとの集積が容易であり、また、光ファイバーとの接続も容易となるアレイ導波路格子素子を提供すること。例文帳に追加

To provide an array waveguide grid element which is easily integrated together with an LD/SW/Gate/AMP/waveguide type PD and is easily connected to an optical fiber by connecting a high mesa waveguide structure and a buried waveguide structure. - 特許庁

III V族半導体を用いて、シリコン細線と同等の屈折率差をもつ光導波路を形成し、ハイメサ構造よりも更に小さく、機械的な強度が強く導波路の特性に問題の無い光集積回路を実現することができる光半導体装置の作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an optical semiconductor device, for manufacturing an optical integrated circuit smaller than a high-mesa structure and having no problem in characteristics of a waveguide, strong in mechanical strength by using a group III-V semiconductor to form an optical waveguide having the same refractive index difference as a silicon thin line. - 特許庁