パタッとの英語

バンパアブソーバフォーム３０の後壁部の上下方向中間部に形成した凸部３０Ｂが、バンパリインフォースメント２０に配設したバンパタッチセンサ２６に当接している。例文帳に追加

A projection 30B formed on an intermediate part in the vertical direction of the rear wall of a bumper absorber foam 30 is abutted on a bumper touch sensor 26 arranged on a bumper reinforcement 20. - 特許庁

バンパリインフォースメント２０の前壁部２０Ｃの前面における、上方側のリブ２０Ａの車体外側（車体前側）となる部位にバンパタッチセンサ２６が車幅方向に沿って配設されている。例文帳に追加

A bumper touch sensor 26 is installed in the body outside (front of the body) part of an upper rib 20A on the front face of the front wall part 20C of a bumper reinforcement 20 along the vehicle width direction. - 特許庁

更に好ましくは、可変抵抗体８として、一般式Ｐｒ_１−ｘＣａ_ｘＭｎＯ_３で表されるプラセオジウム・カルシウム・マンガン酸化物を３５０℃〜５００℃の範囲内の成膜温度でスパタッリング法で成膜する。例文帳に追加

More preferably, a praseodymium calcium manganese oxide represented by a general formula Pr_1-xCa_xMnO_3 is deposited as the variable resistor 8 by sputtering at a deposition temperature in the range of 350°C-500°C. - 特許庁

対向ターゲットを用いたスパタッリングによって下地電極上の結晶方位に倣ってエピタキシャル成長した巨大磁気抵抗材料薄膜を成膜する際に、少なくとも２段階のスパッタリング工程を用い、第１段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に遅くし、その後の段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に速くして薄膜を形成する。例文帳に追加

When depositing the colossal magneto-resistive material thin film which has epitaxially grown after crystal orientation on a base electrode by sputtering using facing targets, a sputtering process having at least two steps are used, a deposition rate is relatively slowed down in the sputtering process in a first step, and the deposition rate is relatively accelerated in the sputtering process in later steps to form the thin film. - 特許庁