ホットキャリア効果の英語

ホットキャリア効果に対する信頼性を向上させると共にソースドレイン拡散層の接合耐圧を低下させることがない半導体装置を実現できるようにする。例文帳に追加

To achieve a semiconductor device that prevents a drop in bonding breakdown voltage of a source-drain diffusion layer while improving reliability to hot carrier effects. - 特許庁

ホットキャリア耐性の劣化を抑制することが可能な、０．２μｍ以下のゲート長を有するゲート電極を備える電界効果トランジスタ、半導体記憶装置およびそれらの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a field effect transistor which can suppress deterioration of hot carrier resistance and has a gate electrode, having a gate length of not larger than 0.2 μm, and to provide a semiconductor storage device, and the manufacture method. - 特許庁

光吸収層におけるキャリアの滞在時間が短くても変換効率を効果的に高めることができるホットキャリア型の光起電力素子を提供する。例文帳に追加

To provide a hot-carrier photovoltaic device adapted to effectively increase conversion efficiency even if residence time of carriers in a light-absorbing layer is short. - 特許庁

このため、高い電流能力を確保できると共に、小さいしきい値電圧（Ｖｔ）温度係数のしきい値電圧Ｖｔ依存性を保つことができるという効果や、ホットキャリアによる特性変動を防止することができるという効果を得ることができる。例文帳に追加

As a result, the high current capability can be ensured, the effect which maintains the dependence of the threshold voltage Vt on a small threshold-voltage(Vt) temperature coefficient and an effect which can prevent the characteristic change due to the hot carries are obtained. - 特許庁

半導体装置１の半導体集積回路内に配設されたトランジスタがホットキャリア効果等で発生する微弱光を基に前記半導体集積回路の特性を評価する評価装置を、発光検出手段としての光電子表示装置３に微弱光伝達媒体１１をコネクタ１２で接続した構成とする。例文帳に追加

In an evaluation device for evaluating the characteristics of a semiconductor integrated circuit based on the weak light generated due to a hot carrier effect, etc., by a transistor arranged in the semiconductor integrated circuit of a semiconductor device 1, a weak light transmitting medium 11 is connected to an optical electron display device 3 as a light emission detecting means by a connector 12. - 特許庁