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不均一半導体の英語
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英訳・英語 inhomogeneous semiconductor
「不均一半導体」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 200件
不均一ナローギャップ半導体の室温における極超巨大磁気抵抗例文帳に追加
EXTRAORDINARY MAGNETORESISTANCE AT ROOM TEMPERATURE IN INHOMOGENEOUS NARROW-GAP SEMICONDUCTORS - 特許庁
工程数の増加や金属原子が半導体層中へ過度に拡散することなく、不純物を含む半導体層の均一な熱処理を可能とする半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。例文帳に追加
To provide a semiconductor device manufacturing method capable of performing a uniform thermal treatment in a semiconductor layer including impurities without increasing the number of processes and allowing metallic atoms to be excessively diffused into the semiconductor layer, and to provide a semiconductor device. - 特許庁
一括的に製造される半導体チップの電気的な特性が不均一となるのを防止することができる半導体チップの製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a manufacturing method of a semiconductor chip capable of preventing an electrical characteristic of collectively manufactured semiconductor chips from becoming nonuniform. - 特許庁
パワー半導体素子および絶縁基板のはんだ接合不均一を解決し、さらにはパワー半導体素子の放熱不均一をも解決することができるパワー半導体モジュール、および該モジュールを搭載したパワー半導体デバイスを提供する。例文帳に追加
To provide a power semiconductor module capable of eliminating the solder bonding nonuniformity of the power semiconductor module and an insulating substrate and furthermore eliminating the heat radiation nonuniformity of the power semiconductor element, and a power semiconductor device mounted with the module. - 特許庁
不均一反応を用いた低サイズ分布および蛍光性半導体ナノ粒子の低温合成法例文帳に追加
METHOD OF SYNTHESIZING FLUORESCENT SEMICONDUCTOR NANOPARTICLE OF NARROW SIZE DISTRIBUTION AT LOW TEMPERATURE USING HETEROGENEOUS REACTION - 特許庁
不均一な半導体装置のアクティブ領域パターン形成方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of forming an active region pattern of an uneven semiconductor device. - 特許庁
半導体層の不純物含有領域における不純物(ドーパント)濃度の不均一性に起因して発生する特性不良を低減することができる半導体素子の製造方法、半導体素子、半導体装置及び表示装置を提供する。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing a semiconductor element capable of decreasing a characteristic defect occurring on the basis of an nonuniformity of an impurity (dopant) concentration in an impurity included region of the semiconductor layer; and to provide the semiconductor element, a semiconductor device, and a display unit. - 特許庁
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「不均一半導体」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 200件
これにより、表面の平滑性及び表面不純物濃度の均一性及び深さの均一性に優れたn型半導体領域16が得られる。例文帳に追加
Thus, it becomes possible to obtain an n-type semiconductor region 16 that is superior in smoothness on the surface and uniformity of surface impurity concentration and depth. - 特許庁
複数の半導体ウエハ間において、不純物の拡散の進行度合が均一化された半導体装置を製造することができる半導体装置の製造装置を提供する。例文帳に追加
To provide a manufacturing apparatus of a semiconductor device which manufactures the semiconductor device where the advancing degree of dispersion of impurity is equalized among a plurality of semiconductor wafers. - 特許庁
半導体素子の抵抗率の分布の不均一を解消し、半導体素子の耐久性の向上および破損の防止を可能とする半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device which eliminates the nonuniformity of the distribution of resistivity in a semiconductor device to improve the durability, and to prevent the breakage of the semiconductor device. - 特許庁
半導体基板の上に形成された構造体の配置密度や大きさに不均一性があっても、半導体基板を保護しながら所望の構造体を選択的にエッチングすることができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of selectively etching the predetermined structure by protecting a semiconductor substrate even though an arrangement density and a size of the structure formed on the semiconductor substrate are nonuniform. - 特許庁
多層配線構造の半導体装置において、はんだバンプの高さや形状が不均一になるのを防ぐことができる半導体装置、およびその製造方法、ならびにこの半導体装置を用いた電子機器を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device of multilayer wiring structure in which the height or shape of solder bumps can be prevented from becoming uneven, and to provide its manufacturing process and an electronic apparatus employing it. - 特許庁
応力の不均一による半導体チップの変形を防止することができ、かつ、両半導体チップ間に封止のための樹脂をスムーズに注入することができる半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device capable of preventing deformation of semiconductor chips due to unevenness of a stress, and smoothly injecting a resin for sealing between both the semiconductor chips. - 特許庁
半導体装置の大容量化を図る場合に、複数半導体素子の並列接続時におけるスイッチング動作を安定化し、かつ、半導体素子内部での不均一動作を抑える。例文帳に追加
To stabilize switching operation at parallel connection of a plurality of semiconductor elements while uneven operation inside the semiconductor element is suppressed, for the larger capacity of a semiconductor device. - 特許庁
不揮発性メモリー装置の製造方法であって、特に半導体パターン厚さの均一性が向上される3次元半導体装置の製造方法、及び当該製造方法によって製造された3次元半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing a nonvolatile memory device, especially a method of manufacturing a three-dimensional semiconductor device capable of improving uniformity of a thickness of a semiconductor pattern, and to provide the three-dimensional semiconductor device manufactured by the method. - 特許庁
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inhomogeneous semiconductor
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