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半導体アノードの英語
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英訳・英語 semiconductor anode
「半導体アノード」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 309件
半導体ウエハへの電気銅めっきに使用する銅アノード又は含燐銅アノードを提供する。例文帳に追加
To provide a copper anode or a phosphorus-containing copper anode for use in electrolytic copper plating on a semiconductor wafer. - 特許庁
半導体チップ１２のアノード端子側を金線１３でアノードリード１４に接続する。例文帳に追加
The anode terminal side of the semiconductor chip 12 is connected to an anode lead 14 with a gold wire 13. - 特許庁
半導体素子１０は、半導体基体２０と、アノード電極１７と、カソード電極１８と、を備える。例文帳に追加
The semiconductor element 10 comprises a semiconductor substrate 20, an anode electrode 17 and a cathode electrode 18. - 特許庁
銅アノード又は含燐銅アノード、半導体ウエハへの電気銅めっき方法及びパーティクル付着の少ない半導体ウエハ例文帳に追加
COPPER ANODE OR PHOSPHORUS-CONTAINING COPPER ANODE, METHOD FOR ELECTROPLATING COPPER ON SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR WAFER WITH PARTICLE NOT SIGNIFICANTLY DEPOSITED THEREON - 特許庁
アノード電極は、第１半導体拡散層とショットキー接合されている。例文帳に追加
The anode electrode is Schottky-coupled to the first semiconductor diffusion layer. - 特許庁
ｐ形半導体領域１６のアノード電極１８を設ける。例文帳に追加
An anode electrode 18 of the p-type semiconductor area 16 is formed. - 特許庁
上記ｐ^＋型アノード層１５上にアノード電極６を形成し、ｎ^＋型半導体基板１２の下側にカソード電極１７を形成する。例文帳に追加
An anode electrode 6 is formed on the p^+ type anode layer 15, and a cathode electrode 17 is formed under the n^+ type semiconductor substrate 12. - 特許庁
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「半導体アノード」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 309件
半導体基板１１の裏面側にｎ型バッファ層１９、ｐ型アノード層２０およびアノード電極２１を設ける。例文帳に追加
On the reverse side of the semiconductor substrate 11, an (n) type buffer layer 19, a (p) type anode layer 20, and an anode electrode 21 are provided. - 特許庁
一利点として、アノードおよびカソードを、同じ半導体材料から得られるアノードおよびカソードを用いて製作することができる。例文帳に追加
As an advantage, the anode and the cathode can be prepared by using the anode and the cathode that are derived from the same semiconductor material. - 特許庁
ダイオード１４において、第１アノード電極２６下にｐ^+型半導体領域４８を形成する。例文帳に追加
A p^+ type semiconductor region 48 is formed beneath a first anode electrode 26 in the diode 14. - 特許庁
半導体レーザー６１のアノード６４はバッファ用の演算増幅器１９ｅに接続される。例文帳に追加
The anode 64 of the semiconductor laser 61 is connected to an operation amplifier 19e for buffering. - 特許庁
アノード電極領域４は、半導体基板１の第二の主面１ｄ内に形成されている。例文帳に追加
The anode electrode region 4 is formed in the second main face 1d of the semiconductor substrate 1. - 特許庁
第２の窒化物半導体層４上には第１のアノード電極６が形成されている。例文帳に追加
A first anode electrode 6 is formed on the second nitride semiconductor layer 4. - 特許庁
Ｐ型の低濃度アノード領域１２は、Ｐ型半導体基板２に形成される。例文帳に追加
A P-type low-concentration anode region 12 is formed on a P-type semiconductor substrate 2. - 特許庁
中心領域２０の半導体層１０の表面にはアノード電極１４が接している。例文帳に追加
An anode electrode 14 contacts the front surface of the semiconductor layer 10 in the central region 20. - 特許庁
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semiconductor anode
JST科学技術用語日英対訳辞書
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