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半導体アノードの英語
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英訳・英語 semiconductor anode
「半導体アノード」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 301件
銅アノード又は含燐銅アノード、半導体ウエハへの電気銅めっき方法及びパーティクル付着の少ない半導体ウエハ例文帳に追加
COPPER ANODE OR PHOSPHORUS-CONTAINING COPPER ANODE, METHOD FOR ELECTROPLATING COPPER ON SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR WAFER WITH PARTICLE NOT SIGNIFICANTLY DEPOSITED THEREON - 特許庁
半導体素子１０は、半導体基体２０と、アノード電極１７と、カソード電極１８と、を備える。例文帳に追加
The semiconductor element 10 comprises a semiconductor substrate 20, an anode electrode 17 and a cathode electrode 18. - 特許庁
ｐ形半導体領域１６のアノード電極１８を設ける。例文帳に追加
An anode electrode 18 of the p-type semiconductor area 16 is formed. - 特許庁
半導体ウエハへの電気銅めっきに使用する銅アノード又は含燐銅アノードを提供する。例文帳に追加
To provide a copper anode or a phosphorus-containing copper anode for use in electrolytic copper plating on a semiconductor wafer. - 特許庁
アノード電極は、第１半導体拡散層とショットキー接合されている。例文帳に追加
The anode electrode is Schottky-coupled to the first semiconductor diffusion layer. - 特許庁
カソード端子のダイ部に半導体素子を固着し、セクションバーのオーバーハングによりアノード端子を半導体素子のアノード電極に固着させる。例文帳に追加
A semiconductor element is secured on a die pad area of a cathode terminal and an anode terminal is secured to an anode electrode of the semiconductor element by an overhang of a section bar. - 特許庁
複数の内側Ｐ^＋型半導体領域１６の相互間にアノード側Ｎ^＋型半導体領域１８を配置する。例文帳に追加
An anode side n^+-type semiconductor region is arranged between a plurality of mutual inside p+ semiconductor regions 16. - 特許庁
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「半導体アノード」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 301件
半導体放射線検出器１は、半導体素子２と、半導体素子２の一方の面に取り付けられたアノード電極３と、半導体素子２の他方の面に取り付けられたカソード電極４とを備える。例文帳に追加
The semiconductor radiation detector 1 includes the semiconductor elements 2; anode electrodes 3 fitted to one side of the semiconductor elements 2; and cathode electrodes 4 fitted to the other side of the semiconductor elements 2. - 特許庁
一態様に係る半導体装置は、第１導電型の半導体層、複数のトレンチ、絶縁層、導電層、第１半導体拡散層、及びアノード電極を有する。例文帳に追加
A semiconductor device comprises: a semiconductor layer of a first conductivity type; a plurality of trenches; an insulating layer; a conductive layer; a first semiconductor diffusion layer; and an anode electrode. - 特許庁
Ｐ^＋形半導体領域６にアノード電極を接続し、Ｎ^＋形半導体領域３にカソード電極を接続する。例文帳に追加
An anode electrode is connected to a p^+ type semiconductor region 6, and a cathode electrode is connected to an n^+ type semiconductor region 3. - 特許庁
半導体発光素子１は、基板２と、半導体積層構造３と、カソード電極４と、アノード電極５とを備えている。例文帳に追加
The semiconductor light-emitting element 1 is provided with a substrate 2, a semiconductor multilayer structure 3, a cathode electrode 4 and an anode electrode 5. - 特許庁
アノード電極１２と半導体検出部１３との接合は、オーミック接合である。例文帳に追加
The electrodes 12 is joined to the detection part 13 by means of an ohmic joint. - 特許庁
半導体基板Ｗとアノード３０との間に半導体基板Ｗ側のめっき液とアノード３０側のめっき液とを分離する隔壁７０を設ける。例文帳に追加
A diaphragm 70 for separating the plating liquid in the semiconductor substrate W side and the plating liquid in the anode 30 side from each other is provided between the semiconductor substrate W and the anode 30. - 特許庁
基板と、アノードと、カソードと、２つの半導体層と、電子輸送層とを備える。例文帳に追加
The photovoltaic device includes a substrate, an anode, a cathode, two semiconductor layers, and an electron transport layer. - 特許庁
Ｐ型の低濃度アノード領域１２は、Ｐ型半導体基板２に形成される。例文帳に追加
A P-type low-concentration anode region 12 is formed on a P-type semiconductor substrate 2. - 特許庁
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semiconductor anode
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