半導体ひずみゲージの英語

このひずみゲージ回路２０１，２０２は、パワー半導体素子１５１，１５２の接合部半田層の熱応力などによって発生したパワー半導体素子１５１，１５２の近傍のひずみ量を測定する。例文帳に追加

The strain gage circuits 201, 202 measure a strain amount in an area near the power semiconductor elements 151, 152 generated by a thermal stress of a junction part solder layer of the power semiconductor element 151, 152. - 特許庁

半導体歪ゲージを用いた半導体歪センサーにおいて、センサーチップからの放熱を良くし、温度上昇や熱変形によるセンサー特性の変化を抑制する。例文帳に追加

To suppress a change of a sensor characteristic caused by temperature rise or thermal deformation by improving heat radiation from a sensor chip, in a semiconductor strain sensor using a semiconductor strain gage. - 特許庁

半導体歪ゲージを用いた半導体歪センサーにおいて、特性が長期間安定し、歪センサーチップと熱膨張率が異なる測定対象物に取り付けた場合でも、熱膨張差に起因する熱歪の影響を小さくして、高精度の歪測定を可能にする。例文帳に追加

To provide a semiconductor strain sensor using a semiconductor strain gauge, which can ensure stable characteristics for a long period and perform accurate strain measurement even when mounted on a measuring object differed in coefficient of thermal expansion from a strain sensor chip by minimizing the effect of a thermal strain resulting from the difference in coefficient of thermal expansion. - 特許庁

内燃機関の燃焼圧力を受けるダイアフラム２の下部に半導体式歪ゲージからなる圧縮荷重検出素子３が設けられる。例文帳に追加

A compression load sensing element 3 comprising a semiconductor type strain gauge is provided at a lower portion of a diaphragm 2 for receiving combustion pressure of an internal combustion engine. - 特許庁

半導体基板４にダイアフラム１，歪ゲージ２，電極部３を形成して成る感圧素子４´が絶縁基板たるステム９に接合される。例文帳に追加

A pressure-sensitive element 4' constituted by forming a diaphragm 1, a strain gauge 2 and an electrode part 3 on a semiconductor substrate 4 is jointed to a stem 9 of an insulation substrate. - 特許庁

ベッドスケール１００では、精度に優れた金属歪ゲージ１２３の出力信号に基づいて重量が計測され、応答性に優れた半導体歪ゲージ１２４の出力信号に基づいて活動情報が計測される。例文帳に追加

In the bed scale 100, the weight is measured in accordance with the output signal of the metal strain gauge 123 excellent in its accuracy and the active information is estimated in accordance with the output signal of the semiconductor strain gauge 124 excellent in its responsiveness. - 特許庁

荷重変換器は、荷重伝達部１２５から伝達された荷重に応じて歪む起歪体１２２と、起歪体１２２に貼り付けられ、起歪体１２２の歪に応じた電気信号を出力する金属歪ゲージ１２３と、起歪体１２２に貼り付けられ、起歪体１２２の歪に応じた電気信号を出力する半導体歪ゲージ１２４とを有する。例文帳に追加

The load converter has a flexure element 122 distorted in accordance with the load transmitted by the load transmitting part 125, a metal strain gauge 123 attached to the flexure element 122 to output the electric signal corresponding to the distortion of the flexure element 122 and a semiconductor strain gauge 124 attached to the flexure element 122 to output the electric signal corresponding to the distortion of the flexure element 122. - 特許庁

梁部材２０の表面には歪ゲージ回路３４が半導体プロセスによって形成されており、梁部材２０（トーションバースプリング）の歪により生じる電圧をモニターすることができる。例文帳に追加

A strain gage circuit 34 is formed on a surface of a beam member 20 by a semiconductor process so as to monitor the voltage produced by strain of the beam member 20 (torsion bar spring). - 特許庁