「半導体ひずみゲージ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

被測定部材（１０）に固定される半導体ひずみゲージ（２０）と、半導体ひずみゲージの出力を無線送信する被測定部材に固定される集積回路からなる送信モジュール（３０）と、半導体ひずみゲージ及び送信モジュールに電力を供給する被測定部材に固定される小型電池（４０）とからなる。例文帳に追加

The device comprises a semiconductor strain gauge (20) fixed on a member to be measured (10), a transmission module (30) consisting of an integrated circuit fixed to the member to be measured for radio-transmitting the output of the semiconductor strain gauge, and a small battery (40) fixed to the member to be measured for supplying electric power to the semiconductor strain gauge and the transmission module. - 特許庁

パワー半導体素子１５１，１５２の上面など、パワー半導体素子１５１，１５２の領域を含むパワー半導体素子１５１，１５２の近傍に、ひずみゲージ回路２０１，２０２を形成する。例文帳に追加

Strain gauge circuit 201, 202 are formed in an area near power semiconductor elements 151, 152 including regions of the power semiconductor elements 151, 152 such upper surfaces of the power semiconductor elements 151, 152. - 特許庁

このひずみゲージ回路２０１，２０２は、パワー半導体素子１５１，１５２の接合部半田層の熱応力などによって発生したパワー半導体素子１５１，１５２の近傍のひずみ量を測定する。例文帳に追加

The strain gage circuits 201, 202 measure a strain amount in an area near the power semiconductor elements 151, 152 generated by a thermal stress of a junction part solder layer of the power semiconductor element 151, 152. - 特許庁

半導体歪ゲージを用いた半導体歪センサーにおいて、センサーチップからの放熱を良くし、温度上昇や熱変形によるセンサー特性の変化を抑制する。例文帳に追加

To suppress a change of a sensor characteristic caused by temperature rise or thermal deformation by improving heat radiation from a sensor chip, in a semiconductor strain sensor using a semiconductor strain gage. - 特許庁

半導体歪ゲージを用いた半導体歪センサーにおいて、特性が長期間安定し、歪センサーチップと熱膨張率が異なる測定対象物に取り付けた場合でも、熱膨張差に起因する熱歪の影響を小さくして、高精度の歪測定を可能にする。例文帳に追加

To provide a semiconductor strain sensor using a semiconductor strain gauge, which can ensure stable characteristics for a long period and perform accurate strain measurement even when mounted on a measuring object differed in coefficient of thermal expansion from a strain sensor chip by minimizing the effect of a thermal strain resulting from the difference in coefficient of thermal expansion. - 特許庁

内燃機関の燃焼圧力を受けるダイアフラム２の下部に半導体式歪ゲージからなる圧縮荷重検出素子３が設けられる。例文帳に追加

A compression load sensing element 3 comprising a semiconductor type strain gauge is provided at a lower portion of a diaphragm 2 for receiving combustion pressure of an internal combustion engine. - 特許庁

半導体基板４にダイアフラム１，歪ゲージ２，電極部３を形成して成る感圧素子４´が絶縁基板たるステム９に接合される。例文帳に追加

A pressure-sensitive element 4' constituted by forming a diaphragm 1, a strain gauge 2 and an electrode part 3 on a semiconductor substrate 4 is jointed to a stem 9 of an insulation substrate. - 特許庁

ベッドスケール１００では、精度に優れた金属歪ゲージ１２３の出力信号に基づいて重量が計測され、応答性に優れた半導体歪ゲージ１２４の出力信号に基づいて活動情報が計測される。例文帳に追加

In the bed scale 100, the weight is measured in accordance with the output signal of the metal strain gauge 123 excellent in its accuracy and the active information is estimated in accordance with the output signal of the semiconductor strain gauge 124 excellent in its responsiveness. - 特許庁

荷重変換器は、荷重伝達部１２５から伝達された荷重に応じて歪む起歪体１２２と、起歪体１２２に貼り付けられ、起歪体１２２の歪に応じた電気信号を出力する金属歪ゲージ１２３と、起歪体１２２に貼り付けられ、起歪体１２２の歪に応じた電気信号を出力する半導体歪ゲージ１２４とを有する。例文帳に追加

The load converter has a flexure element 122 distorted in accordance with the load transmitted by the load transmitting part 125, a metal strain gauge 123 attached to the flexure element 122 to output the electric signal corresponding to the distortion of the flexure element 122 and a semiconductor strain gauge 124 attached to the flexure element 122 to output the electric signal corresponding to the distortion of the flexure element 122. - 特許庁

梁部材２０の表面には歪ゲージ回路３４が半導体プロセスによって形成されており、梁部材２０（トーションバースプリング）の歪により生じる電圧をモニターすることができる。例文帳に追加

A strain gage circuit 34 is formed on a surface of a beam member 20 by a semiconductor process so as to monitor the voltage produced by strain of the beam member 20 (torsion bar spring). - 特許庁

ガラスペーストを用いて起歪体に貼り付けられる半導体歪みゲージ１を備えた歪み測定装置であって、前記半導体歪みゲージ１はピエゾ抵抗素子２が設けられた回路基板部３と、回路基板部３から延びている回転抑制延出部４とを有しており、回路基板部３の対向する２辺の少なくとも一方から回転抑制延出部４が延びていることを特徴とする。例文帳に追加

The strain measuring device provided with a semiconductor strain gauge 1 pasted on a strain element using glass paste is characterized in that the semiconductor stain gauge 1 has a circuit substrate 3 provided with a piezoresistive element 2 and a rotation suppression extension part 4 extending from the circuit substrate 3, and that the rotation suppression extension part 4 is extending from at least one side of the two facing sides of the circuit substrate 3. - 特許庁

本発明の一態様によると、複数の電極が設けられた可撓性薄膜と、複数の電気素子が形成された半導体基板とを有し、上記可撓性薄膜は上記半導体基板に被着されており、上記複数の電極と上記複数の電気素子とは電気的に接続されていることを特徴とする半導体歪ゲージが提供される。例文帳に追加

In one style of this semiconductor strain gauge, the gauge has a semiconductor substrate where a flexible thin film provided with plural electrodes and plural electric elements are formed; and the flexible thin film is adhered to the semiconductor substrate and the electrodes and electric elements are electrically connected. - 特許庁

半導体圧力センサは、シリコン単結晶基板の主表面１０、外側メサ部１２及び台座によって空間部を形成し、内側メサ部１４（ひずみゲージ１１ａ、１１ｂ、１３ａ、１３ｂ）及び電極部１６、１８、２０、２２を空間部に配置している。例文帳に追加

In a semiconductor pressure sensor, a space part is formed by a main surface 10 of a silicon single-crystal substrate, an outer mesa part 12, and a pedestal, and an inner mesa part 14 (strain gauges 11a, 11b, 13a, and 13b) and electrode parts 16, 18, 20, and 22 are arranged in the space part. - 特許庁

半導体異方性エッチングプロセスを使用してシリコン基板を加工したマイクロミラーデバイスであって、シリコン基板の厚さ方向にｐ型またはｎ型の半導体領域に分割したトーションバー２に、ミラー１の回転角を測定するピエゾ抵抗効果を利用したせん断型歪ゲージ３を設けた構造を特徴とする。例文帳に追加

The micromirror device is obtained by using a semiconductor anisotropic etching process to process a silicon substrate and has a structure, wherein a shear-type strain gauge 3 which measures the angle of rotation of a mirror 1 and utilizes a piezoresistance effect is provided in a torsion bar 2 divided p-type or n-type semiconductor areas in a perpendicular direction of the silicon substrate. - 特許庁

点滴薬液の薬液量をＬ／Ｃセンサー又は、半導体歪ゲージセンサーで読みとって、そのデーターを信号変換し、それを赤外線送信する機構を点滴薬液袋部に取付け、その赤外線電波受信装置を病室内に設置する。例文帳に追加

A mechanism for reading the quantity of an infusion medical solution by an L/C sensor or a semiconductor strain gage sensor, converting the data into a signal and performing infrared transmission, is mounted to an infusion medical solution bag part, and an infrared radio wave receiving device is installed in a sickroom. - 特許庁

本発明の超高温型荷重計は、外部よりの荷重を受ける受圧部１３と、シリコン半導体歪ゲージ２１が取り付けられたサファイア層２２と、金または銀と銅とチタンとを成分とする接合材により、サファイア層２２と受圧部１３とをろう付け接合して形成する接合層１５とを備えることとした。例文帳に追加

This ultrahigh temperature type load meter is provided with a pressure receiving part 13 receiving a load from outside, a sapphire layer 22 provided with a silicon semiconductor strain gage 21, and a bonding layer 15 formed by soldering the sapphire layer 22 and the pressure receiving part 13 with a jointing material comprising gold or silver, copper, and titanium. - 特許庁