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semiconductor anodeとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 半導体陽極; 半導体アノード
「semiconductor anode」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 394件
The anode includes a first p-type semiconductor anode region 204 and a second p-type semiconductor anode region 206.例文帳に追加
陽極は第１のｐ型半導体陽極領域２０４と第２のｐ型半導体陽極領域２０６を含む。 - 特許庁
To provide a copper anode or a phosphorus-containing copper anode for use in electrolytic copper plating on a semiconductor wafer.例文帳に追加
半導体ウエハへの電気銅めっきに使用する銅アノード又は含燐銅アノードを提供する。 - 特許庁
The anode terminal side of the semiconductor chip 12 is connected to an anode lead 14 with a gold wire 13.例文帳に追加
半導体チップ１２のアノード端子側を金線１３でアノードリード１４に接続する。 - 特許庁
The first p-type semiconductor anode region 204 is electrically connected to an anode contact area 218.例文帳に追加
第１のｐ型半導体陽極領域２０４は陽極接触領域２１８に電気的に接続される。 - 特許庁
COPPER ANODE OR PHOSPHORUS-CONTAINING COPPER ANODE, METHOD FOR ELECTROPLATING COPPER ON SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR WAFER WITH PARTICLE NOT SIGNIFICANTLY DEPOSITED THEREON例文帳に追加
銅アノード又は含燐銅アノード、半導体ウエハへの電気銅めっき方法及びパーティクル付着の少ない半導体ウエハ - 特許庁
An anode electrode 2 is provided, where the anode electrode 2 is subjected to Schottky contact to the third semiconductor region 9, and is subjected to low-resistance contact to the fourth semiconductor region.例文帳に追加
第３の半導体領域９にショットキ接触し、第４の半導体領域に低抵抗接触するアノ−ド電極２を設ける。 - 特許庁
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「semiconductor anode」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 394件
The anode electrode is Schottky-coupled to the first semiconductor diffusion layer.例文帳に追加
アノード電極は、第１半導体拡散層とショットキー接合されている。 - 特許庁
A semiconductor device 200 includes a cathode 216 and an anode 218.例文帳に追加
半導体装置２００は陰極２１６と陽極２１８を含む。 - 特許庁
An intrinsic semiconductor layer is formed on the first anode/cathode layer.例文帳に追加
真性半導体層が第１陽極／陰極層上に形成されている。 - 特許庁
An anode electrode 18 of the p-type semiconductor area 16 is formed.例文帳に追加
ｐ形半導体領域１６のアノード電極１８を設ける。 - 特許庁
To form a cavity 4 in a semiconductor substrate 1 by anode formation.例文帳に追加
陽極化成によって半導体基板１内に空洞４を形成する。 - 特許庁
ANODE FORMING DEVICE, TREATMENT METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加
陽極化成装置及び処理方法並びに半導体基板の製造方法 - 特許庁
The semiconductor element 10 comprises a semiconductor substrate 20, an anode electrode 17 and a cathode electrode 18.例文帳に追加
半導体素子１０は、半導体基体２０と、アノード電極１７と、カソード電極１８と、を備える。 - 特許庁
An anode electrode 6 is formed on the p^+ type anode layer 15, and a cathode electrode 17 is formed under the n^+ type semiconductor substrate 12.例文帳に追加
上記ｐ^＋型アノード層１５上にアノード電極６を形成し、ｎ^＋型半導体基板１２の下側にカソード電極１７を形成する。 - 特許庁
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