「semiconductor anode」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

COPPER ANODE OR PHOSPHORUS-CONTAINING COPPER ANODE, METHOD FOR ELECTROPLATING COPPER ON SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR WAFER WITH PARTICLE NOT SIGNIFICANTLY DEPOSITED THEREON例文帳に追加

銅アノード又は含燐銅アノード、半導体ウエハへの電気銅めっき方法及びパーティクル付着の少ない半導体ウエハ - 特許庁

An anode electrode 2 is provided, where the anode electrode 2 is subjected to Schottky contact to the third semiconductor region 9, and is subjected to low-resistance contact to the fourth semiconductor region.例文帳に追加

第３の半導体領域９にショットキ接触し、第４の半導体領域に低抵抗接触するアノ−ド電極２を設ける。 - 特許庁

The anode electrode is Schottky-coupled to the first semiconductor diffusion layer.例文帳に追加

アノード電極は、第１半導体拡散層とショットキー接合されている。 - 特許庁

A semiconductor device 200 includes a cathode 216 and an anode 218.例文帳に追加

半導体装置２００は陰極２１６と陽極２１８を含む。 - 特許庁

An intrinsic semiconductor layer is formed on the first anode/cathode layer.例文帳に追加

真性半導体層が第１陽極／陰極層上に形成されている。 - 特許庁

An anode electrode 18 of the p-type semiconductor area 16 is formed.例文帳に追加

ｐ形半導体領域１６のアノード電極１８を設ける。 - 特許庁

To form a cavity 4 in a semiconductor substrate 1 by anode formation.例文帳に追加

陽極化成によって半導体基板１内に空洞４を形成する。 - 特許庁

ANODE FORMING DEVICE, TREATMENT METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

陽極化成装置及び処理方法並びに半導体基板の製造方法 - 特許庁

The semiconductor element 10 comprises a semiconductor substrate 20, an anode electrode 17 and a cathode electrode 18.例文帳に追加

半導体素子１０は、半導体基体２０と、アノード電極１７と、カソード電極１８と、を備える。 - 特許庁

An anode electrode 6 is formed on the p^+ type anode layer 15, and a cathode electrode 17 is formed under the n^+ type semiconductor substrate 12.例文帳に追加

上記ｐ^＋型アノード層１５上にアノード電極６を形成し、ｎ^＋型半導体基板１２の下側にカソード電極１７を形成する。 - 特許庁

This prevents the anode-bonding of the weight, if the weight makes contact the interior face in anode-bonding the semiconductor element to the cap.例文帳に追加

これにより、半導体素子とキャップを陽極接合する際に、重りが奥面に接触しても、陽極接合されない。 - 特許庁

On the reverse side of the semiconductor substrate 11, an (n) type buffer layer 19, a (p) type anode layer 20, and an anode electrode 21 are provided.例文帳に追加

半導体基板１１の裏面側にｎ型バッファ層１９、ｐ型アノード層２０およびアノード電極２１を設ける。 - 特許庁

As an advantage, the anode and the cathode can be prepared by using the anode and the cathode that are derived from the same semiconductor material.例文帳に追加

一利点として、アノードおよびカソードを、同じ半導体材料から得られるアノードおよびカソードを用いて製作することができる。 - 特許庁

To prevent the breakdown of a semiconductor wafer when a glass board is anode-joined with the semiconductor wafer with a semiconductor element formed thereon.例文帳に追加

半導体素子が形成された半導体ウェハにガラス基板を陽極接合する場合において、半導体ウェハの破壊を防止する。 - 特許庁

The light emitting element 10 has an anode and a cathode, the submount member 30 is a P type semiconductor substrate, N type semiconductor regions 32 and 32 are formed at a part on the bottom of the recess 30a, and anode connecting parts 20 and 20 connected with the anode and cathode are provided on the N type semiconductor regions 32 and 32.例文帳に追加

また、発光素子１０は陽極及び陰極を有し、サブマウント材３０はＰ型半導体基板であり、凹部３０ａの底の一部にＮ型半導体領域３２、３２を形成し、Ｎ型半導体領域３２、３２上に前記陽極、前記陰極と接続された陽極接続部２０、２０を設ける。 - 特許庁

A p^+ type semiconductor region 48 is formed beneath a first anode electrode 26 in the diode 14.例文帳に追加

ダイオード１４において、第１アノード電極２６下にｐ^+型半導体領域４８を形成する。 - 特許庁

The anode 64 of the semiconductor laser 61 is connected to an operation amplifier 19e for buffering.例文帳に追加

半導体レーザー６１のアノード６４はバッファ用の演算増幅器１９ｅに接続される。 - 特許庁

The anode electrode region 4 is formed in the second main face 1d of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

アノード電極領域４は、半導体基板１の第二の主面１ｄ内に形成されている。 - 特許庁

A first anode electrode 6 is formed on the second nitride semiconductor layer 4.例文帳に追加

第２の窒化物半導体層４上には第１のアノード電極６が形成されている。 - 特許庁

A hole 3 is formed by anode formation by patterning surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１表面にパターニングして、陽極化成により孔３を形成する。 - 特許庁

A P-type low-concentration anode region 12 is formed on a P-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

Ｐ型の低濃度アノード領域１２は、Ｐ型半導体基板２に形成される。 - 特許庁

An anode electrode 14 contacts the front surface of the semiconductor layer 10 in the central region 20.例文帳に追加

中心領域２０の半導体層１０の表面にはアノード電極１４が接している。 - 特許庁

Both the anode and the semiconductor wafer are exposed to a solution comprising copper electrolytes.例文帳に追加

陽極及び半導体ウェハの両方が銅電解質を含む溶液内にさらされる。 - 特許庁

The photovoltaic device includes a substrate, an anode, a cathode, two semiconductor layers, and an electron transport layer.例文帳に追加

基板と、アノードと、カソードと、２つの半導体層と、電子輸送層とを備える。 - 特許庁

A plurality of divided connections 18a of an anode electrode are connected to the p^+ type semiconductor region 23.例文帳に追加

Ｐ^＋型半導体領域２３にアノード電極の複数の分割接続部分１８ａを接続する。 - 特許庁

The photovoltaic device includes a substrate 110, an anode 120, a cathode 170, and a semiconductor two-layer 140.例文帳に追加

基板１１０と、アノード１２０と、カソード１７０と、半導体二層１４０とを備える。 - 特許庁

The photovoltaic device includes a substrate 110, an anode 120, a cathode 180, and two semiconductor layers.例文帳に追加

基板１１０と、アノード１２０と、カソード１８０と、２つの半導体層とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes an anode region 6, a cathode region 2, and a drift region 4.例文帳に追加

半導体装置１００は、アノード領域６とカソード領域２とドリフト領域４を備えている。 - 特許庁

The diode includes a semiconductor substrate 11 constituted of an N^+ semiconductor layer 1 and an N^- semiconductor layer 2, a P- type anode region 15 formed by selectively diffusing an impurity into an outer surface of the N^- semiconductor layer 2, and an anode electrode 17 conducting with the anode region 15 via a contact region 17c in the anode region 15.例文帳に追加

Ｎ^＋半導体層１及びＮ^−半導体層２からなる半導体基板１１と、Ｎ^−半導体層２の外面に対する選択的な不純物拡散により形成されたＰ型のアノード領域１５と、アノード領域１５内のコンタクト領域１７ｃを介してアノード領域１５と導通するアノード電極１７とを備える。 - 特許庁

A semiconductor substrate with anode pattern is anodized to be shaped into an optical lens.例文帳に追加

陽極パターンを有する半導体基材を陽極酸化して光学レンズを形成する。 - 特許庁

The semiconductor radiation detector 12 is installed on the wiring board 21 using an anode pin 29 and a cathode pin 30.例文帳に追加

アノードピン２９及びカソードピン３０を用いて配線基板２１に設置される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device preventing a current from concentrating at an outer peripheral end of an anode.例文帳に追加

アノードの外周端部に電流が集中するのが抑制される半導体装置を提供する。 - 特許庁

To suppress an anode junction process from becoming complex and rise in cost of a semiconductor sensor 1.例文帳に追加

陽極接合工程の煩雑化及び半導体センサ１のコスト上昇を抑制する。 - 特許庁

On the upper surface of the optical semiconductor element 10, the isolation groove 26 for enhancing isolation resistance between the first anode electrode 20 and second anode electrode 22 is provided between the first anode electrode 20 and second anode electrode 22.例文帳に追加

光半導体素子１０の上面には、第１のアノード電極２０と第２のアノード電極２２の間において、第１のアノード電極２０と第２のアノード電極２２のアイソレーション抵抗を高くするために分離溝２６が設けられている。 - 特許庁

To provide a phosphorus-containing copper anode electrode for copper electroplating of semiconductor wafer or the like wherein the production of anode slime and the occurrence of plating defect are suppressed, to provide a method of producing the phosphorus-containing copper anode electrode, and to provide a copper electroplating method using the phosphorus-containing copper anode electrode.例文帳に追加

アノードスライムの発生およびメッキ欠陥の発生を抑えた半導体ウエハ等の電気銅メッキ用の含リン銅アノード電極、該含リン銅アノード電極の製造方法およびこの含リン銅アノード電極を用いた電気銅メッキ方法を提供する。 - 特許庁

The second p-type semiconductor anode region 206 is electrically coupled to the anode contact area 218 via a switch, such as a MOSFET 228, configured to provide an electrical connection or an electrical disconnection between the second p-type anode region and the anode contact area 218.例文帳に追加

第２のｐ型半導体陽極領域２０６は、第２のｐ型陽極領域と陽極接触領域２１８間を電気的に接続または切断するように構成された、ＭＯＳＦＥＴ２２８等のスイッチを介し陽極接触領域２１８に電気的に接続される。 - 特許庁

There is provided the copper anode or the phosphorus-containing copper anode for use in electrolytic copper plating on the semiconductor wafer, in which the purity of the copper anode or the phosphorus-containing copper anode excluding phosphorus is not less than 99.99% by weight, and the content of silicon as an impurity is not more than 10 ppm by weight.例文帳に追加

銅アノード又は燐を除く含燐銅アノードの純度が９９．９９ｗｔ％以上であり、不純物であるシリコンの含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下である半導体ウエハへの電気銅めっきに使用する銅アノード又は含燐銅アノード。 - 特許庁

The electrolytic copper plating method for the semiconductor wafer is characterized by dividing a plating tank into a cathode chamber and an anode chamber while separating them with an anion-exchange membrane, and performing electrolytic copper plating by using an insoluble anode as the anode, when electrolytic copper plating the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハに電気銅めっきを行うに際し、めっき槽を陰イオン交換膜で陰極室と陽極室に隔離し、陽極として不溶性陽極を使用して電気銅めっきを行うことを特徴とする半導体ウエハの電気銅めっき方法。 - 特許庁

After forming a p anode layer 2 and an anode electrode 3 in one principal plane of an n type semiconductor substrate 1, an electron beam is irradiated to introduce crystal defects in the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板１の一方の主面にＰアノード層２とアノード電極３を形成した後、電子線を照射して半導体基板１の中に結晶欠陥を導入する。 - 特許庁

A diaphragm 70 for separating the plating liquid in the semiconductor substrate W side and the plating liquid in the anode 30 side from each other is provided between the semiconductor substrate W and the anode 30.例文帳に追加

半導体基板Ｗとアノード３０との間に半導体基板Ｗ側のめっき液とアノード３０側のめっき液とを分離する隔壁７０を設ける。 - 特許庁

The semiconductor device is disposed on the anode substrate, the drawing section is a projection portion able to cover the semiconductor device disposed on the anode substrate.例文帳に追加

また、陽極基板上に半導体素子が配置され、上記凸状絞込み部は、陽極基板上に配置される半導体素子を覆うことができる凸状部である。 - 特許庁

A semiconductor element is secured on a die pad area of a cathode terminal and an anode terminal is secured to an anode electrode of the semiconductor element by an overhang of a section bar.例文帳に追加

カソード端子のダイ部に半導体素子を固着し、セクションバーのオーバーハングによりアノード端子を半導体素子のアノード電極に固着させる。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element 1 is provided with a substrate 2, a semiconductor multilayer structure 3, a cathode electrode 4 and an anode electrode 5.例文帳に追加

半導体発光素子１は、基板２と、半導体積層構造３と、カソード電極４と、アノード電極５とを備えている。 - 特許庁

An anode electrode is connected to a p^+ type semiconductor region 6, and a cathode electrode is connected to an n^+ type semiconductor region 3.例文帳に追加

Ｐ^＋形半導体領域６にアノード電極を接続し、Ｎ^＋形半導体領域３にカソード電極を接続する。 - 特許庁

An anode side n^+-type semiconductor region is arranged between a plurality of mutual inside p+ semiconductor regions 16.例文帳に追加

複数の内側Ｐ^＋型半導体領域１６の相互間にアノード側Ｎ^＋型半導体領域１８を配置する。 - 特許庁