semiconductor blue-violet laserとは 意味・読み方・使い方

The laser emitting part 31 has a heat sink 41, a blue-violet color semiconductor laser element 42 adhered on the heat sink 41, a red color semiconductor laser element 43 adhered on the blue-violet color semiconductor laser element 42, an infrared semiconductor laser element 44, and a magnification correcting lens 45.例文帳に追加

レーザ発光部３１は、ヒートシンク４１と、ヒートシンク４１上に接着された青紫色半導体レーザ素子４２と、青紫色半導体レーザ素子４２上に接着された赤色半導体レーザ素子４３及び赤外半導体レーザ素子４４と、倍率補正レンズ４５とを有している。 - 特許庁

A monolithic red/infrared semiconductor laser element 23X is joined onto a blue-violet semiconductor laser element 1.例文帳に追加

青紫色半導体レーザ素子１上にモノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘが接合される。 - 特許庁

Or, the self oscillation type blue/blue violet semiconductor laser or the high power blue/blue violet semiconductor laser containing the n-type clad layer, the active layer, and the p-type clad layer on the GaN substrate in which Si, O, Se, or Ge is doped comprises AlGaInN based compound, wherein a dopant concentration is not higher than 2×10^18 cm^-3.例文帳に追加

あるいは、Si、またはＯ、またはSe、またはGeをドーピングしたGaN基板上にn型クラッド層と活性層とp型クラッド層を含む自励発振型青／青紫色半導体レーザ又は高出力青／青紫色半導体レーザであって、ドーパント濃度が2×10^18cm^-3以下であり、AlGaInN系化合物から成る。 - 特許庁

A side face 21c arranged to face the blue-violet semiconductor laser element 10, of a semiconductor substrate 21 in the two-wavelength semiconductor laser element 20, is formed to make long a distance to the blue-violet semiconductor laser element 10, as it goes away from the submount 2.例文帳に追加

２波長半導体レーザ素子２０の半導体基板２１の、青紫色半導体レーザ素子１０に対向配置される側面２１ｃは、サブマウント２から離れるにしたがって青紫色半導体レーザ素子１０との距離が大きくなるように形成されている。 - 特許庁

A light path from a collimating lens 217 is separated at a first beam splitter 213 into a light path to a two-wavelength semiconductor laser light source 202 and a light path to a blue-violet semiconductor laser light source 201 and a PDIC 222, and the light paths of the blue-violet semiconductor laser light source 201 and the PDIC 222 are separated at BS2.例文帳に追加

コリメートレンズ２１７から２波長半導体レーザ光源２０２への光路と、青紫色半導体レーザ光源２０１およびＰＤＩＣ２２２への光路を第１のビームスプリッタ２１３で分離し、青紫色半導体レーザ光源２０１とＰＤＩＣ２２２の光路をＢＳ２で分離する。 - 特許庁

The semiconductor laser apparatus 500 includes a first semiconductor laser device 11 for emitting a blue-violet laser beam, a second semiconductor laser device 12 for emitting a red laser beam and a conductive package body 19.例文帳に追加

半導体レーザ装置５００においては、青紫色レーザ光を出射する第１の半導体レーザ素子１１と、赤色レーザ光を出射する第２の半導体レーザ素子１２と、導電性のパッケージ本体１９とを備える。 - 特許庁

In a blue-violet semiconductor laser element 1; p-electrodes 12 are formed on an upper face, and an n-electrode 15 is formed on a lower face.例文帳に追加

青紫色半導体レーザ素子１において、上面にはｐ電極１２が形成され、下面にはｎ電極１５が形成されている。 - 特許庁

Solder films H are formed on a part of the upper face of the p-electrode 12 of the blue-violet semiconductor laser element 1.例文帳に追加

青紫色半導体レーザ素子１のｐ電極１２の上面の一部にはんだ膜Ｈが形成されている。 - 特許庁