双晶化の英語

イオン伝導体、化合物又はその塩、双連続キュービック液晶、電気化学デバイス例文帳に追加

ION CONDUCTOR, COMPOUND OR ITS SALT, TWIN CONTINUOUS CUBIC LIQUID CRYSTAL AND ELECTROCHEMICAL DEVICE - 特許庁

この窒化ホウ素膜は結晶性窒化ホウ素膜であり、結晶性窒化ホウ素の特定の結晶面が、とげ状の側枝を有する硫化亜鉛双晶ナノウィスカーの表面に平行に結晶配向して成長する。例文帳に追加

The boron nitride film is a crystalline boron nitride film grown in a crystal orientation in which a specified crystal face of the crystalline boron nitride is parallel with the surfaces of the zinc sulfide twin crystal nanowhiskers having the spiniform branches. - 特許庁

多重化された双安定ネマチック液晶表示ユニットの２つの状態の切り換えを制御する。例文帳に追加

To control switching of two states in a multiplex bistable nematic liquid crystal display unit. - 特許庁

双晶界面や結晶粒界への析出物拡散を抑制することにより、高減衰特性を発現できるとともに、経時劣化を抑制できるＭｎ基双晶型制振合金を提供すること。例文帳に追加

To provide an Mn-based twin crystal type damping alloy capable of producing high damping characteristics and suppressing deterioration with time by controlling diffusion of precipitates into twin interfaces and grain boundaries. - 特許庁

蒸気圧制御しながらＬＥＣ法を利用して結晶成長を行う単結晶成長装置であって、双晶や多結晶のない、高品質の化合物半導体単結晶を育成できる単結晶成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for growing a single crystal by utilizing an LEC method while controlling vapor pressure in which a high quality compound semiconductor single crystal free from twin and polycrystal can be grown. - 特許庁

ＺｎＯ系化合物半導体結晶の加工変質層による欠陥と、結晶固有の欠陥の双方を正確に検出する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for precisely detecting both of defects due to a machining degradation layer and defects characteristic to a crystal of a ZnO-based compound semiconductor crystal. - 特許庁

六方晶窒化ホウ素と立方晶窒化ホウ素の種結晶とを含む混合物を、立方晶窒化ホウ素の熱力学的に安定である圧力温度条件下に保持することによって立方晶窒化ホウ素砥粒を製造する際に、立方晶窒化ホウ素の種結晶に立方晶窒化ホウ素の双晶結晶を含有させる。例文帳に追加

This cubic boron nitride abrasive grain is obtained by maintaining a mixture comprising hexagonal boron nitride and seed crystal of cubic boron nitride under a pressure and temperature condition where the cubic boron nitride is thermodynamically stable, wherein twin crystal of the cubic boron nitride is included in the seed crystal of the cubic boron nitride. - 特許庁

InP単結晶を成長させる際に、多結晶や双晶などの欠陥が発生するのを抑制し、単結晶化率を高め、歩留まりが高いInP単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for producing an InP single crystal of a high yield by suppressing the generation defects, such as polycrystals and twins, when growing the InP single crystal, thereby enhancing a single crystallization rate. - 特許庁